Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 2" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 1" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 12" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 11" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 10" (Журналы)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Органическая химия -> Анюхин В.З. -> "Практикум по химии и технологии полупроводников" -> 47

Практикум по химии и технологии полупроводников - Анюхин В.З.

Анюхин В.З., Гончаров Е.Г., Кострюкова Е.П. Практикум по химии и технологии полупроводников — М.: Высшыя школа, 1978. — 191 c.
Скачать (прямая ссылка): praktikumpohim1978.djvu
Предыдущая << 1 .. 41 42 43 44 45 46 < 47 > 48 49 50 51 52 53 .. 80 >> Следующая


Полирование со средней скоростью

Быстрое селективное травление всех плоскостей

Селективный травитель для выявления дислокаций и оценки плотности дислокаций

Выявление дисдока-ций в плоскости (111)

106

1

\ Экспериментальная часть

Задание. 1. Определить при помощи химического травления глу. бину нарушений, вызванных механической обработкой поверхности кремния. 2. Провести химическую полировку поверхности кремния. 3. Провести травление образца кремния для выявления и подсчета дислокаций.

Оборудование и материалы

Микроскоп МИМ-8 (МИМ-7); аналитические весы АДВ-200; фторопластовые стаканы; фторопластовые держатели или наконечники для пинцетов; кремниевые пластины диаметром 8 мм;' кислота азотная. 70%-ная; кислота плавиковая, 49%-ная; кислота уксусная CH3COOH, ледяная; оксид хрома (+6).

Определение глубины нарушенного слоя. При механической обра ботке поверхности полупроводниковых материалов образуются нарушенные слои, отличающиеся по своей структуре от глубинных слоев монокристалла. Толщину нарушенного слоя можно оценить по изменению скорости травления при-стадийном растворении механически обработанных образцов, поскольку механически обработанная поверхность травится быстрее, чем совершенный монокристалл. Постоянство скорости травления указывает на полное снятие нарушенного слоя. Скорость травления определяется по" уменьшению толщины образца в единицу времени. Процесс определения глубины нарушенного слоя состоит из следующих этапов: 1) очистка поверхности образца; 2) взвешивание образца перед травлением; 3) удаление с поверхности в полирующем травителе тонкого слоя материала; 4) определение количества удаленного кремния (повторноевзвешивание). Этапы2—4 повторяются до полного удаления нарушенного слоя (постоянство скорости травления). Поверхность очищают органическими растворителями (четы-реххлористый углерод, толуол). Образец взвешивают на аналитических весах с точностью до IO-4 г. При использовании травителей, содержащих плавиковую кислоту, необходима фторопластовая посуда. Для определения глубины нарушенного слоя на кремнии рекомендуются следующие травители: СР-8 (HNO3: HF = 3:1) и Уайта (HNO3 : HF = 2:1). Оба травителя являются полирующими.

Пластины кремния закрепляют во фторопластовый держатель (можно использовать пинцеты с фторопластовыми наконечниками) и'травят на каждом этапе в СР-8 20—30 с или 30—40 с в травителе Уайта при комнатной температуре. После травления образцы промывают дистиллированной водой последовательно в трех сосудах. После каждого цикла травления определяют изменение массы пластины Api--Процесс повторяют до тех пор, пока изменение массы не станет постоянным. После полного удаления нарушенного слоя строится график зависимости количества удаленного материала от общего времени травления*. Типичная кинетическая кривая приведена на рис. б0_

* Поскольку скорость травления пропорциональна количеству удаленного материала в единицу времени, то график A pi — }(t) характеризует изменение скорости в процессе травления.

106> Кинетические кривые имеют два участка: спада и постоянства скорости травления. Зная точку перегиба, можно рассчитать глубину нарушенного слоя (для образцов круглой формы) по формуле

42Л Pt . 8 = —-p. 10*,

(12.3)

где S —глубина нарушенного слоя, мкм; 2Aр( —общее количество удаленного материала до точки перегиба на кривой, г; d —диаметр образца, см; у —плотность исследуемого материала,, г/см3.

Формула (12.3) справедлива при травлении образца с одной стороны (вторая сторона защищена, например, лаком ХСЛ). Если травятся обе стороны пластины, то расчет ведут по формуле

2SA Pi

IO4.

(12.4)

Рис. 60. Кинетическая кривая циклического травления

При этом необходима одинаковая механическая обработка обеих рабочих сторон пластины. Однако формулы (12.3) и (12.4) не учитывают эффекта «бокового травления», т. е. уменьшения диаметра образца в процессе химической обработки.

Химическая полировка кремния. Травлению для выявления дислокаций должна обязательно предшествовать химическая полировка, в процессе которой удаляется поверхностный слой и получается зеркальная поверхность, на фоне которой четко выявляется дислокационная структура монокристалла кремния. Полирование поверхности можно проводить в указанных травителях в течение 40—50 с. Можно использовать более мягкий травитель с добавлением уксусной кислоты состава HN03:HF : CH3COOH = 3:2:2. Травление проводить в течение 2—3 мин. Образцы после травления тщательно промывают дистиллированной водой и высушивают.

Особое внимание следует уделять предварительной отмывке, поскольку травление загрязненных образцов редко дает удовлетворительные результаты. Удаление пыли можно проводить промывкой в Дистиллированной воде. Обезжиривание образцов проводится в органических растворителях кипячением или тщательной протиркой ватным тампоном, смоченным в растворителе.

Определение плотности дислокаций. По внешнему виду протравленной поверхности можно сделать заключение о наличии и плотности таких дефектов структуры, как дислокация.
Предыдущая << 1 .. 41 42 43 44 45 46 < 47 > 48 49 50 51 52 53 .. 80 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама