Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 2" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 1" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 12" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 11" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 10" (Журналы)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Органическая химия -> Анюхин В.З. -> "Практикум по химии и технологии полупроводников" -> 48

Практикум по химии и технологии полупроводников - Анюхин В.З.

Анюхин В.З., Гончаров Е.Г., Кострюкова Е.П. Практикум по химии и технологии полупроводников — М.: Высшыя школа, 1978. — 191 c.
Скачать (прямая ссылка): praktikumpohim1978.djvu
Предыдущая << 1 .. 42 43 44 45 46 47 < 48 > 49 50 51 52 53 54 .. 80 >> Следующая


Дислокации образуются в процессе роста кристаллов, при пластической деформации, при наличии больших температурных градиентов, выявление дислокационных искажений методом травления основано На том, что растворение начинается особенно легко в местах выхода Дислокаций на поверхность. Здесь значительно снижается энергия °трыва атома с поверхности твердого тела. Скорость травления в мес-

107> тах выхода дислокаций выше, чем в других точках кристалла. Поэтому здесь после травления образуются ямки. Форма основания ямки зависит от ориентации плоскости, в которой идет травление. Ямка представляет собой пирамиду с вершиной, уходящей в глубину пласти, ны. Количество дислокационных ямок травления не зависит от времени травления. Однако при большой продолжительности травления

основания ямок расплываются и могут перекрыть друг друга. Методом химического травления выявляются не все дислокации, а лишь те, которые идут перпендикулярно шлифу или с небольшим отклонением OT это-го направления. Для кремния с кристаллографической ориентацией (111) рекомендуется применять хромовый травитель состава-15 г CrO3 + 35 мл H2O + 15 мл HF (49%). Первые фигуры.травления появляются после 15—20-минутной обработки при комнатной температуре. При нечеткой картине следует провести повторное травление в течение такого же времени до появления хорошо заметных дислокационных ямок травления. Травление необходимо проводить во фторопластовой посуде при помощи специальных держателей или пинцета. Для промывания используют три стакана с дистиллированной водой. Образец из травителя переносят в воду как можно быстрее. Длительный кон-о воздухом смоченного травителем образца приводит к ин-окислению поверхности, что затрудняет, а иногда де-

Рис. 61. Вид дислокационных ямок травления на поверхности (IIl) кремния

такт

тенсивному

лает невозможным подсчет дислокационных ямок.

Дислокационные-ямки травления в монокристаллах кремния с ориентацией (111) имеют вид трехгранной пирамиды с равносторонним основанием. При просмотре протравленной поверхности в отраженном свете дислокации представляют собой темные треугольники (рис. 61). Подсчет количества дислокаций производят при помощи металлографического микроскопа. Поверхность исследуемого образца просматривается в двух взаимно перпендикулярных направлениях. Для этого используют окуляр о координатной сеткой. Подсчитывают число ямок травления на пяти участках пластины и берут среднее арифметическое. Плотность дислокаций определяют по формуле ¦

N = n/s,

гдеN—-плотность дислокаций, см-2; п—"среднее арифметическое из количества дислокаций на пяти участках; s — площадь поля зрения в окуляре микроскопа, см2. Площадь поля зрения зависит от увеличения микроскопа и рассчитывается по объект-микрометру, который представляет собой линейку с ценой деления 0,01 мм. Линейка устанавливается на предметный столик микроскопа и подсчитываете« число делений, попадающих в поле зрения окуляра. Зная цену деле-

108> нИя, можно получить диаметр круглого поля и вычислить площадь

поля зрения.

Форма отчета. Отчет должен содержать: 1) краткое описание методики травления; 2) график кинетических кривых при определении "нарушенного слоя; 3) расчет глубины нарушенного слоя; 4) расчет плотности дислокаций; 5) выводы по работе.

Литература

Гаврило в. Р. А., Скворцов А. И. Технология производства полупроводниковых приборов. М.—JI., Энергия, 1968.

Пшеничнов Ю. П. Выявление тонкой структуры кристаллов. Металлургия, 1974.

Травление полупроводников. Сб. под ред. С. Н. Горина. Мир, 1965,

Уг а й Я. А. Введение в химню полупроводников. Высшая школа, 1975.

Файнштей'н С. М. Обработка поверхности полупроводников. М.—JI., Энергия, 1966, с. 33—101, 136—146. .

РАБОТА 13. ОКИСЛЕНИЕ КРЕМНИЯ

* < .

В пленарной технологии полупроводниковых кремниевых приборов и интегральных схем широко применяются оксидные пленки на базе SiO2. Они используются как маскирующее покрытие в фотолитографических и диффузионных процессах, в качестве разделительной изоляции, для пассивации готовых структур и других целей

Защита поверхности кремния при помощи SiO2 имеет определенные преимущества по сравнению с покрытиями из других диэлектрических материалов и широкозонных полупроводников (например, Si3N4, SiC).

Диоксид кремния—*двдлектрик универсального применения. В нем удачно сочетаются высокая химическая стабильность в окислительной среде, склонность к стеклообразованию, способствующая формированию беспористых пленок, удовлетворительные электрофизические характеристики, с одной стороны, а с другой стороны, SiO2 легко растворяется в плавиковой кислоте, что облегчает процесс фотогравировки при изготовлении планарных структур. В то.же время по отношению к смесям HF + HNO3 пленка SiO2 практически стабильна. Это и позволяет использовать ее в качестве маски при селективном травлении кремния.

Свойства кремнеоксидных пленок, а также характер пограничных явлений (на границе кремния с оксидом) можно варьировать, изменяя мегодику нанесения маскирующего и изолирующего 4слоя и условия формирования 'границ раздела. Необходимостью получения разнообразных по свойствам пленок на основе SiO2 на кремнии и мотивируется многочисленность методов создания таких покрытий.
Предыдущая << 1 .. 42 43 44 45 46 47 < 48 > 49 50 51 52 53 54 .. 80 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама