Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 2" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 1" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 12" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 11" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 10" (Журналы)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Промышленные производства -> Анохин В.3. -> "Практикум по химии и технологии полупроводников" -> 16

Практикум по химии и технологии полупроводников - Анохин В.3.

Анохин В.3., Гончаров Е. Г., Кострюкова Е. П., Маршакова Т. А. Практикум по химии и технологии полупроводников: учебное пособие — M.: «Высшая школа», 1978. — 191 c.
Скачать (прямая ссылка): poluprovodniki.djvu
Предыдущая << 1 .. 10 11 12 13 14 15 < 16 > 17 18 19 20 21 22 .. 81 >> Следующая


компонента В. Давление P2 является минимальным, при котором

ІПЖОЛ ппппп------ *------ " v

которой паровая фаза практически целиком состоит из молекул лев;™ расплавить бет разложения любой состав системы. При дав-тучего компонента, и поэтому из двух кривых, ограничивающих ге^аблюла^гГпЯп~^Лf ™С™В0ВТ' находящихся правее точки Q8, рогенную область жидкость + пар, верхняя кривая, определяющая Равновесие L + В L + G, так как при температуре

состав пара отсутствует (она сливается с ординатой летучего колшс*з1'^схоДит возгонка кристаллов В, находящихся в равновесии с ра-нента В) Такое "допущение оправдано только для некоторых системЖз =Г р j Дальнейшее понижение давления в системе (п„г ю я

тучего компонента, и поэтому из двух кривых, ограничивающих гетеь,, , . --, _______ ___

ювесг

------------,--J^ , . _ понижение давления в системе (рис 19 г

в частности, для систем А'11 — Bv , у которых в паровой фазе не былАт 1 4> пРив°Дит к исчезновению области (L -f В). Это означает' обнаружено ни компонента А, ни молекул соединения. ¦>авновег^А^аВОВ правее эвтектической точки должно наблюдаться

Анализ Т—х-сечений начнем с высоких давлений пара летучегЛек^есие AB -f- В L + G, т. е. одновременно с плавлением эв-компонента (рис. 19, a, P = P1). В объемной P—Т—х-диаграммч однофазным системам соответствует некоторый объем, равновесию двуї фаз — поверхность, равновесию трех фаз — линия и равновесию четырех фаз— единственная точка. На изобарных разрезах, как это следует из правила фаз, степени свободы уменьшаются на единицу, и однофазной области соответствует плоскость, равновесию двух фаз — лй' и трех фаз — точка.

ния

36

тактики происходит возгонка кристаллов компонента В.

При давлении P5 (рис. 19, д) происходит возгонка компонента *Jb составе эвтектики, связанная с появлением гетерогенной области (A? -j- Теперь для всех составов правее ординаты соединения AB РРИ температуре R5 наблюдается равновесие AB + В ^ AB + G, а !^Ри более высокой температуре для составов правее точки Q5 AB + L-fG. Давление P6, равное давлению диссоциации соединения в

37

точке плавления (рис. 19, е), является минимальным, при котором ещ( возможно конгруэнтное плавление кристаллов соединения AB.

На T—я-сечениях, выполненных при давлениях меньше критичес кого давления диссоциации P6 (рис. 19, ж, P = P7), наблюдаете, гоги юнтальная линия, пересекающая ординату химического соедини ния ниже дистектической точки и соответствующая разложению крис таллов на жидкую и паровую фазы до достижения температуры плав

Р.атм ИГ3-

W-

W

W

WO




\1









\
^o














*









1?










-
--

Рис. 20. Проекции P-T-JfI диаграммы системы Cu—Р:

а — на плоскость T — х; б — на'1 плоскость P — Т; в —на плоскость Р — х

-Cu

Лт.%

ления. Таким образом, нагрев кристаллов соединения AB под да нием пара летучего компонента, равным P7*, приводит к диссоциа кристаллов. Процесс будет продолжаться до тех пор, покакриста. AB не окажутся в равновесии с расплавом состава точки Q7. меньше давление в системе будет отличаться от критического, ближе будет находиться состав расплава точки Q7 к дистектичео точке, и при критическом давлении состав расплава совпадает с ставом кристаллов AB1 т. е. будет наблюдаться конгруэнтное п ление. " ,

Кроме изобарных сечений-для анализа P—T—х-диаграмм испа Зуют проекции на плоскости T—х, P—T и P—х. На рис. 20 (а, б\

Давление пара создается конденсированной фазой компонента В,

дящейся в «холодном» конце ампулы 38

представлены проекции линий трехфазного равновесия бинарной системы Cu — Р. Комбинация двух любых проекций позволяет получить третью графическим построением.

Большую информацию о фазовых превращениях в системе представляет анализ Р— Г-проекции. Кривая моновариантного равновесия (CuP2 + L + G) на Р—Т-проекции позволяет выбрать оптимальное сочетание параметров (температуры и давления), при котором можно выращивать монокристаллы соединения из расплава, представляющего собой раствор CuP2 как в летучем, так и в нелетучем компоненте. Точка N (рис. 20, б) соответствует четырехфазно-Му равновесию эвтектики (CuP2 + Cu3P) с расплавом и паром, и из нее должны выходить четыре линии трехфазного равновесия. Одна из них— равновесие CuP2 + -|-L + G, вторая соответствует равновесию кристаллов Cu3P с жидкостью и паром, третья является линией трехфазного равновесия эвтектики (Cu3P + CuP2) со своим паром. Четвертая кривая трехфазного равновесия, соответствующая плавлению эвтектики без разложения (Cu3P + CuP2+L), на проекции не приведена. Она представляет собой линию, почти параллельную оси давлений, так как равновесие между конденсированными фазами практически не' зависит от давления.

Методы построения P—T—лг-диаграмм.

Для построения фазовых диаграмм полупроводниковых систем в координатах Р~Т—X используют термический анализ при контролируемом давлении и тензи-метрические методы в различных вариантах.
Предыдущая << 1 .. 10 11 12 13 14 15 < 16 > 17 18 19 20 21 22 .. 81 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама