Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 2" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 1" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 12" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 11" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 10" (Журналы)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Промышленные производства -> Анохин В.3. -> "Практикум по химии и технологии полупроводников" -> 24

Практикум по химии и технологии полупроводников - Анохин В.3.

Анохин В.3., Гончаров Е. Г., Кострюкова Е. П., Маршакова Т. А. Практикум по химии и технологии полупроводников: учебное пособие — M.: «Высшая школа», 1978. — 191 c.
Скачать (прямая ссылка): poluprovodniki.djvu
Предыдущая << 1 .. 18 19 20 21 22 23 < 24 > 25 26 27 28 29 30 .. 81 >> Следующая


Определение области гомогенности. В вакуумированных амп лах из тугоплавкого стекла приготовить по 10 г сплавов свинца оловом, содержащих 1, 2, 3, 5, 10,15, 20 ат.% олова. Каждый из пс лученных слитков разделить на три части. Полученные таким образо три одинаковые серии сплавов отжечь в вакуумированных ампула при температурах 100, 130, 160° С в течение 6 ч. По окончании отжиг )С: произвести закалку погружением в ледяную воду (Осторожй* Предохранительные очки!). Закаленные образцы подготовить для и( следования микроструктуры и микротвердости по методике, описанН" выше. На полученных шлифах определить микротвердость основна фазовой составляющей и на основании данных микротвердостн микроструктурных исследований построить границу области гс* генности Sn—Pb со стороны Pb.

Примечание. Работа распределяется между тремя исполнителями, изучг* щими по одной изотерме. Результаты работы обрабатываются совместно.


Нагрузка
Диагональ отпечатка, деления
Среднее арнфм.
Диагональ отпечатка,
mkm
H
P-

Вещество
расчет
из таблицы





і
•<-


5) данные по определению области гомогенности в двухкомпонен-ктіи™ - ВЫРаЗИТЬ * Ф°РМе ТйблИЦЫ и ДиаграГе S-

Номер образца

Состав образца, масс. %

Температура отжига, °С

Указание на гомогенность илн гетерогенность

ft , кг/мы1

6) выводы по работе.

Литература

"^проводников. Металлургия* °&9 * " " В" МикР°твеРД°сть металлов

Физ б°РаТОрНаЯ металлография. Металлургия,

:1 изитеское металловедение Под ред._ р< Кана Мир> т ^ ^ ^

55

64

Ч а с т ь II

методы синтеза и очистки полупроводниковых

соединений. выращивание монокристаллов

Чистые вещества и их классификация. В СССР принята классификаод чистых материалов для полупроводниковой техники, согласно которой они щ разделяются на 3 класса: А, В, С. К классу чистоты Al и А2 относятся вещесц с содержанием примесей выше 0,01%, которые можно определить методу классического химического анализа. К классам чистоты ВЗ—В6 и С7—ClO носятся вещества, для которых приводятся характеристики лишь по содержав! анализируемых примесей.

В последнее время высокочистые материалы принято подразделять на щества эталонной чистоты (ВЭЧ) и особо чистые вещества (ОСЧ). В первых митируют присутствие небольшого количества особо нежелательных примесе При этом указывают общее содержание примесей в виде цифр перед индекс ВЭЧ, а также количество определяемых примесей и их суммарное содержат Например, обозначение 003ВЭЧ4-7 соответствует материалу с общим соде жанием примесей 0,003 масс.%, с четырьмя определяемыми примесями, кол 'чество которых равно Ю-7 масс. % По сравнению с материалами класса BS вещества ОСЧ характеризуются большей чистотой. При этом количество опр деляемых примесей значительно больше, а потому общее содержание прими практически соответствует сумме определяемых. Например, обозначен ОСЧ 10-5 соответствует особо чистому веществу с десятью определяемыми пр месями и с их общим содержанием 10_в масс.% (по старой классификации I

В маркировке полупроводниковых материалов обозначают не только і легирующей примеси, но и те свойства, которые наиболее важны для практо ского применения, а иногда и способ получения. Например, мар БКЭФ-Ю/0,2 характеризует кремний (К), полученный бестигельной зони плавкой (Б), электронного типа проводимости (Э), легированный фосфор

(Ф) С уДеЛЬНЫМ Сопротивлением 10 ОМ-CM И временем ЖИЗНИ ВеОСНОВНЫХ Hti

телей 0,2 мке; арсенид галлия АГДЦЗ,5-17 — дырочного типа (Д), легиров цинком (Ц) с концентрацией дырок 3,5-ДО17. Фосфид галлия, применяемый J фотодиодов, маркируется, например, так: ФГЭТК-К/30 [Э — электронного W .TK— легирован теллуром, кислородом, 1?— красное свечение р—п-перехс; 30 — яркость свечения, кд/м2 (нит)].

Термодинамические условия зарождения фазовой границы. П

цессы кристаллизации представляют собой фазовые переходы, провождающиеся увеличением степени упорядоченности. Эти ПР цессы подразделяются на 2 типа: газ—кристалл, жидкость (стекло) кристалл. В термодинамическом отношении данные фазовые рав* весия описываются однотипно. В предкристаллизационный период жидкости образуются ассоциаты в пределах ближнего порядка, рые, однако, не могут стать зародышем новой фазы из-за термодинаї ческой нестабильности. Эта нестабильность —следствие их болЫЛ поверхностной энергии. Возникающие таким образом гомогеяН флуктуации не способны к самостоятельному существованию в Pj плаве, и время их релаксации зависит от многих факторов: вязк<* теплопроводности, теплоемкости и т. п. По мере снижения теми

туры стабильность и время релаксации (т) гомогенных флуктуации возрастают. Если т-v оо, эта величина исключается и для анализа системы достаточно знания термодинамических параметров.

Зародышем новой фазы следует считать ассоциат минимального размера, стабильность которого не зависит от времени." Образование зародыша сопровождается возникновением фазовой границы, что связано с затратой работы. Выделяющаяся при этом скрытая теплота кристаллизации должна эффективно отводиться для обеспечения изотермических условий. В частности, образование гетерогенной флуктуации (зародыша новой фазы) в расплаве при температуре кристаллизации (температуре плавления) невозможно, поскольку выделяющаяся-скрытая теплота кристаллизации способствует разрушению новообразований. Для образования зародыша необходимо переохлаждение расплава, компенсирующее выделение тепла.
Предыдущая << 1 .. 18 19 20 21 22 23 < 24 > 25 26 27 28 29 30 .. 81 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама