Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 2" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 1" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 12" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 11" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 10" (Журналы)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Промышленные производства -> Анохин В.3. -> "Практикум по химии и технологии полупроводников" -> 26

Практикум по химии и технологии полупроводников - Анохин В.3.

Анохин В.3., Гончаров Е. Г., Кострюкова Е. П., Маршакова Т. А. Практикум по химии и технологии полупроводников: учебное пособие — M.: «Высшая школа», 1978. — 191 c.
Скачать (прямая ссылка): poluprovodniki.djvu
Предыдущая << 1 .. 20 21 22 23 24 25 < 26 > 27 28 29 30 31 32 .. 81 >> Следующая


Механизм роста кристалла-во многом определяется микрорельефом поверхностей, которые можно подразделить на атомно-гладкие" и СтУпенчатые. Образовавшийся на атомно-гладкой грани двумерный

59

Рис. 31. Положения атома на растущей грани:

/ — положение повторимого хода (трехгранный угол); 2 — атом в двугранном углу; 3 — атом на поверхности

зародыш растет тангенциально (по поверхности). При этом атома, поступающие из расплава на растущую поверхность, могут адсор. бироваться в трех различных положениях (рис. 31).

Наиболее энергетически выгодным положением является, поло, жение так называемого повторимого хода, когда атом фиксируется в трехгранном угле, образованном ступенькой на растущей поверхности, изломом этой ступеньки и материнской гранью (число степеней свободу равно нулю). При попадании атома в двугранный угол, образованный ступенькой и материнской гранью, возможно его перемещение вдоль

этой ступеньки до тех пор, пока он не попадет в положение повторимого хода (число степеней сво-боды равно 1). Атом, попавший на свободную материнскую по-верхность, в конечном итоге зай. мет это же положение (число степеней свободы равно 2). Когда грань будет застроена, для дальнейшего роста необходимо возникновение нового двумерного зародыша. Для зарождения необходимы большие пересыщения, чем для развития образовавшегося зародыша.

Скорость роста идеально гладкой грани пропорциональна частоте появления на ней двумерных зародышей. Этот этап является весьма чувствительным к пересыщению, и вероятность образования нового слоя при пересыщениях ниже 25—50% совсем ничтожна. Дальнейшее разрастание слоя происходит быстро и от пересыщения не зависит. Однако в реальных кристаллах рост кристалличеекой поверхности становится непрерывным и осуществляется при малых пересыщениях порядка 1 % и ниже. Это противоречие между теорией и практикой объясняет так называемая дислокационная теория. В настоящее время эти представления о механизме и кинетике роста кристаллов из пара являются общепринятыми. Согласно дислокационной теории винтовые дислокации, всегда присутствующие в реальном кристалле и вы ходящие на растущую поверхность, обеспечивают наличие готовых ступенек. Частицы, адсорбированные поверхностью, свободно по ней перемещаются и, наконец, присоединяются к имеющемуся дислокационному выступу — ступеньке. В процессе кристаллизации ступеньки не зарастают, а сохраняются в новых слоях. Поэтому вся кинетика роста определяется движением ступенек и нет необходимости в появлений новых двумерных зародышей. При таком механизме роста полностью заполненных плоскостей нет, присоединение частиц происходит спирали. Для образцов с достаточно совершенной структурой плотность дислокаций, выходящих на поверхность, достигает 10* см"-Поэтому рост такой поверхности происходит во многих точках одновременно и микрорельеф ее оказывается не гладким, а шероховатым-

лгушествление классического послойного роста гла дких граней мож-„ проводить лишь в специальных условиях.

Н распределение примесей при кристаллизации. В процессе крис-адлизации растворенное вещество (примесь) распределяется между тверДОЙ и жидкой фазами и концентрация его, как правило, в обеих Йазах различна. Отношение концентрации растворенного вещества в тверд00 фазе (Ств) к концентрации его в жидкой (C1J называется к0Эффициентом распределения:

к = Сть/Ск: (9)

60

Иногда его называют коэффициентом сегрегации или коэффициентом ликвации. Коэффициент распределения —очень важная характеристика примеси. Он определяет поведение примеси при кристаллизации и характер распределения ее в выращенном кристалле, а также позволяет оценить эффективность очистки вещества в процессе кристаллизации. Величина k зависит от природы примеси и основного вещества, типа фазовой диаграммы соответствующей системы, условий кристаллизации, скорости перемещения расплавленной зоны, интенсивности перемешивания и т. п. При кристаллизации-из расплава различают равновесный и эффективный коэффициенты распределения. Равновесный коэффициент распределения k0 применим к бесконечно медленной кристаллизации при равновесии между соприкасающимися фазами. Эффективный коэффициент распределения &эфф характеризует процессы кристаллизации с измеримой скоростью (состояние системы неравновесно). Величина k0 для различных примесей в одном том же веществе может меняться в очень широких пределах. Примеси, понижающие температуру плавления, имеют k0 < 1, а примеси, повышающие температуру,— k0 > 1. На рис. 32 показаны участки фазовых диаграмм в области небольших концентраций примеси. При этих концентрациях можно использовать для описания состояния системы иконы разбавленных растворов и считать, что линии солидуса и ликви-Цуса близки к прямым. Тогда коэффициент распределения легко рассчитать. Он равен отношению отрезков горизонтальных линий от оси температур до их пересечения с линиями солидуса и ликвидуса. Если гол между линиями солидуса и ликвидуса мал и концентрации Ств и близки, то равновесный коэффициент распределения близок к 1. наблюдается при большом сходстве природы и характера химической связи основного вещества и примеси.
Предыдущая << 1 .. 20 21 22 23 24 25 < 26 > 27 28 29 30 31 32 .. 81 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама