Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 2" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 1" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 12" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 11" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 10" (Журналы)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Промышленные производства -> Анохин В.3. -> "Практикум по химии и технологии полупроводников" -> 27

Практикум по химии и технологии полупроводников - Анохин В.3.

Анохин В.3., Гончаров Е. Г., Кострюкова Е. П., Маршакова Т. А. Практикум по химии и технологии полупроводников: учебное пособие — M.: «Высшая школа», 1978. — 191 c.
Скачать (прямая ссылка): poluprovodniki.djvu
Предыдущая << 1 .. 21 22 23 24 25 26 < 27 > 28 29 30 31 32 33 .. 81 >> Следующая


Для оценки равновесного коэффициента распределения часто используются следующие эмпирические закономерности: 1) тетраэдри-^ский радиус многих примесей в германии и кремнии при температуре •Явления полупроводника изменяется симбатно с измененцем коэф-І^циента распределения. Эта зависимость определяется типом вхож-П ДиИЯ пРимеси в решетку основного вещества и характером образую-;убХся связей; 2) зависимость между 1г0 и стандартными энтальпиями J11 Лимации примесей при температуре плавления; основой корреля-гв СлУжит зависимость между энергией атомов в простом веществе и Рдом растворе его в полупроводниковом материале.

61

В реальных условиях кристаллизация почти всегда протекает ц равновесно. При заметных скоростях кристаллизации процессы щ фузии не успевают выравнять концентрацию примеси во всем объец, расплава. При этом для примесей с k0 < 1 впереди фронта кристал^ зации возникает слой жидкости толщиной В, обогащенный примеси по сравнению с ее содержанием в расплаве. Поскольку наращиващ, кристалла происходит именно из этого прилегающего к кристаллу слоц называемого диффузионным, а не из основной массы расплава, то состав закристаллизовавшейся части также будет определяться oW шением С'тв -= /гЭффСж, где Сж* — концентрация примеси в слое жм кости, прилегающем к фронту кристаллизации; Ств— концентрат)

примеси в твердой фазе вблщі фронта кристаллизации. Свя| между равновесным и эф тивным коэффициентом pacnpJ деления определяется выра»| нием

^эфф:

k0 + (\^-k0)e

D

Величина vb/D - называем приведенной скоростью u включает в еебя три параые pa; V —екорость криєталлизі ции, см/с; 8 —толщину да) фузионного слоя жидкост( см; D — коэффициент дифф зии примеси в раеплав €м2/с.

При малых значениях і$; эффективный коэффициент ^ приближается к равновесно k0, а при больших А:Эфф станови ся равным единице. В реальиВ условиях &эфф имеет промеЖ точную величину между эти крайними значениями. Именно эта величина эффективного кЫ фициента распределения отражает конкретные условия кристалла ции. Для очистки наиболее благоприятны режимы, при которых k0. Этому способствует медленность процесса кристаллизации (малые' применение перемешивания (которое уменьшает толщину дифФ знойного слоя Ь) и большие значения коэффициентов диффузии w меси. Толщина обогащенного слоя в зависимости от условий пере»Ч шивания может составлять 0,1—0,001 см. Скорости кристаллизаС| (в зонной плавке) составляют от неекольких долей миллиметров Я 3 мм/мин и коэффициенты диффузии примееей в завиеимости от

Рис. 32. Участки диаграмм состояния в области разбавленных растворов: а —примесь понижает температуру плавления !растворителя (A0 < I); б —примесь повышает температуру плавления растворителя

природы имеют порядок Ю-4 — Ю"

«2

рАБОТА 5. ПОЛУЧЕНИЕ СОЕДИНЕНИЙ С МАЛЫМ ДАВЛЕНИЕМ ДИССОЦИАЦИИ (ОДНОТЕМПЕРАТУРНЫЙ СИНТЕЗ)

Особенности и границы применимости метода. Однотемператур-НЬІй синтез из компонентов является одним из наиболее простых в распространенных. Преимущества этого метода: а) простота достижения стехиометрии в процессе синтеза и отсутствие потерь компонентов; б) несложное аппаратурное оформление; в) отсутствие посторонних веществ и избытка компонентов, которое обусловливает высокую чистоту получаемого продукта. Тем не менее этот метод обладает рядом недостатков, ограничивающих область его применения. Он применим лишь для получения веществ из малолетучих компонентов, поскольку при заметной их летучести возможны отклонения от стехиометрии за счет испарения. Данным, методом трудно получать соединения, образующиеся по перитектической реакции. Поскольку необходимо нагревание компонентов выше температуры плавления соединения, то получение тугоплавких фаз также затруднено. Это связано с необходимостью использовать специальные нагреватели, а также с ограничениями при выборе контейнерных материалов.

Прямой однотемпературный синтез может быть применен лишь к соединениям, образующимся в условиях нонвариантного равновесия, т. е. когда состав практически не зависит от давл-ния. Для обоснованного выбора режима синтеза необходимо знать лишь T—лг-диаграмму состояния данной системы. Этот метод можно иногда использовать и для получения соединения из компонентов, обладающих заметной летучестью, при условии, что давление диссоциации соединения намного меньше, чем давление пара компонентов при той же температуре (и составляет не более 0,1 атм). При этом нагревание необходимо произ-' водить осторожно, постепенно поднимая температуру в соответствии со скоростью реакции во избежание разрушения ампулы.

Экспериментальная часть

Задание. ОднОтемпературным методом необходимо синтезировать одно из соединений: InSb, GeAs или Bi2Te3.

Оборудование и материалы

Ампулы из кварцевого стекла*; печь с силитовым или нихромовым нагревателем и терморегулятором; установка для откачки н отпаивания ампул; XA-термопары и потенциометр ПП-63; металлический индий, сурьма, висмут, теллур, ГеРманий, мышьяк.

Физико-химические свойства антимоиида иидия. Антимонид индия крис-аллизуется в структуре цинковой обманки. Каждый атом одного сорта распо-ожен в центре тетраэдра, образованного четырьмя ближайшими атомами другого Рта. И хотя точечная группа кубическая, полной симметрией антимонид индия, обладает. Это подтверждается анизотропией некоторых свойств (электропро-
Предыдущая << 1 .. 21 22 23 24 25 26 < 27 > 28 29 30 31 32 33 .. 81 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама