Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 2" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 1" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 12" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 11" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 10" (Журналы)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Промышленные производства -> Анохин В.3. -> "Практикум по химии и технологии полупроводников" -> 28

Практикум по химии и технологии полупроводников - Анохин В.3.

Анохин В.3., Гончаров Е. Г., Кострюкова Е. П., Маршакова Т. А. Практикум по химии и технологии полупроводников: учебное пособие — M.: «Высшая школа», 1978. — 191 c.
Скачать (прямая ссылка): poluprovodniki.djvu
Предыдущая << 1 .. 22 23 24 25 26 27 < 28 > 29 30 31 32 33 34 .. 81 >> Следующая


2 * Для синтеза InSb и Ві2Тез используют ампулы с толщиной стенок 1,5— м> Для GeAs— с толщиной стенок 2,5—3 мм; диаметр ампул-10—15 мм.

'63

t,'C

BOO

JOO

.300

WO JOO

водность, различная химическая активность граней и др.). В химическом отн0, шении антимония индия инертен, однако при повышенных температурах он окщ ляется кислородом воздуха до соответствующих окислов. Так-же ведут себя « компоненты соединения. Это необходимо принимать во внимание при синтезе

Диаграмма состояния системы In—Sj представлена на рис. 33. Оба элемента обра, зуют между собой единственное конгруэнтцс плавящееся соединение эквиатомного сое. тава. Эвтектика InSb—Sb содержит 7о,( ат.% сурьмы и кристаллизуется при 505°С Эвтектика InSb—In вырождена. Область гом0. генности соединения очень невелика. Кристал, лизация его идет со значительным увеличе нием объема (на 11,4%). Давление пара на; антимонидом при температуре плавления okojiJ 10 мм рт. ст. '

Микроструктура хорошо выявляется трав, лением в СР-4 или в 5%-ном растворе FeQ в соляной кислоте (1:2). Помимо указанных тра) вителей антимонид индия взаимодействует и/ азотной кислотой.

Физико-химические и электрофизически характеристики антимонида индия:









53
6"

505°





70S

















155°





1.



In

Ат.%

Sb

Рис. 33. T—дг-диаграммз системы In—Sb •

Температура плавления, °С , 536

' Плотность, г/см3......• •...... 5,78

Микротвердость, кг/мм2 . . . і «...... 220+Ю

Ширина запрещенной зоны при 0 К, эВ ... 0,25

Концентрация собственных электронов, см-3 . І016

Подвижность электронов, см2/В-с ...... 6,5-10*

Подвижность Дырок, см2/В-с 10й

Термо-э. д. с, мкВ/град........., —300

Физико-химические свойства теллурида висмута. Теллурид висмута eil ладает ромбоэдрической кристаллической структурой. Его кристаллы состаі леиы из атомных слоев, чередующихся в направлении оси с в последовательности

Те' — Bi — Те" — Bi — Те' — Те' — Bi — Те"— Bi-Te'

Важной структурной особенностью является приблизительно октаэдрю «кое расположение атомов Те' вокруг атомов Те'^и атомов Те' вокруг атомов Б Связи между атомами далеко не равноценны (Д): Bi-Te' — 3,12, Bi-Te"-3,22, Те'—Те" (между соседними слоями) 3,57. Поэтому теллурид висмута имя хорошо выраженную плоскость спайности. Те же причины лежат в основе » рошо известной анизотропии этого соединения. В направлении, перпендикуляр ном и параллельном плоскости спайности, все параметры чрезвычайно разнятс! В частности, это относится к теплопроводности: »¦i = 0,0075 Вт/см- град.ічі 1 => 0,0175 Вт/см-град.

В химическом отношении Теллурид висмута так же, как и антимонид инди достаточно благороден. Тем не менее он растворим в окисляющих кислотах (азе пая кислота — распространенный травитель данного соединения), взаимодей' . вует с кислородом воздуха при температурах выше 300° С. Некоторые наибе-' важные свойства теллурида висмута:

°С .

Температура плавления Плотность, г/cm3 . . . . Микротвердость, кг/мм2 . Ширина запрещенной зоны, Термо-э. Д. с, мкВ/град . Электропроводность (200C),

зВ

Ом-1 •CM"*

585 7,85 30 0,19 +230 140—400

(Упругость пара при температуре ллавления невелика)

«4

Диаграмма плавкости системы Bi—Те представлена на рис. 34. Существуют четыре соединения висмута с теллуром: Bi1^iTe6, ВігТе, BiTe, Ві'аТез. Фаза Ві2Тез плавится конгруэнтно, остальные же плавятся инконгруэнтно и образуются по перитектической реакции из более тугоплавкого соединения и жидкости соответствующего состава: - .

Bi2Te3 (тв) + L1 *t BiTe (тв) BiTe (тв) + L2 * Bi8Te (тв) Bi2Te (тв) + L3 Bh4Te5 (тв)

Три соединения ВігТез, BiTe и Bi2Te имеют достаточно широкие области гомогенности, при этом ВігТев-склонен к растворению избытка теллура, в»то время как Bi2Te и BiTe легче растворяют избыток висмута.

Масс.% JO 40 50 SO 70 SO SO

Ti---

Масс. % 20 SP bp 5р ВО

20 JO W 50 60 W 8Р 90 100 ¦я і Ат.% ' те

Рис. 34. T—дг-диаграмма системы Bi—fe

Рис. 35. T — лс-диаграмма Ge-As

системы

Физико-химические свойства арсенидов германия. В системе Ge—As

(рис. 35) установлено существование двух промежуточных фаз GeAs и GeAs2 с широкими областями гомогенности (42—59 и 61—76 ат. % соответственно). Предполагается существование узкой гетерогенной области между ними, вытекающее из празила фаз; однако экспериментально эта область пока не обнаружена. Остается открытым вопрос и о природе этих фаз (дальтонпды или бертол-лидьі). Максимальная температура плавления в области существования GeAs '37 С, а в области GeAsj 732°С. Низкие температуры плавления и пологие Максимумы, отвечающие промежуточным -фазам, свидетельствуют об их значительной термической нестабильности и практически полной диссоциации на компоненты в расплаве.

Моноарсенид германия обладает моноклинной кристаллической структурой, заметно слоистой, и вследствие этого сильно анизотропен. Для структуры ^As характерны катион-катионные связи. Пара атомов германия находится в центре искаженного октаэдра, образованного атомами мышьяка. Таким обра-и°м. каждый атом германия в GeAs тетраэдрически окружен тремя атомами As
Предыдущая << 1 .. 22 23 24 25 26 27 < 28 > 29 30 31 32 33 34 .. 81 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама