Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 2" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 1" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 12" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 11" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 10" (Журналы)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Промышленные производства -> Анохин В.3. -> "Практикум по химии и технологии полупроводников" -> 29

Практикум по химии и технологии полупроводников - Анохин В.3.

Анохин В.3., Гончаров Е. Г., Кострюкова Е. П., Маршакова Т. А. Практикум по химии и технологии полупроводников: учебное пособие — M.: «Высшая школа», 1978. — 191 c.
Скачать (прямая ссылка): poluprovodniki.djvu
Предыдущая << 1 .. 23 24 25 26 27 28 < 29 > 30 31 32 33 34 35 .. 81 >> Следующая


°ДНим атомом Ge, а каждый атом мышьяка находится в вершине тригональной "РЭмиды, основание которой слагается тремя атомами Ge. " а Для орторомб и ческой структуры диарсенида германия GeAs2 характерны м°н анионные связи. Здесь каждый атом Ge тетраэдрически окружен атомами

1UbHKa1 а атомы As структурно неэквивалентны: один (As') связан с тремя-ато-р"и Ge, а другой (As") — с двумя атомами (As") и одним атомом Ge. Таким об-а атомы As" образуют зигзагообразные цепи (подобно цепочкам серы, селена,

' п-), сшитые между, собой атомами германия. К настоящему времени электри-

S^2 - ' .65

ческие свойства этих фаз не изучены. Однако исходя из общих принципов (пра. вило 8-^N для анионообразователя) следует ожидать полупрородимости у и GeAs2. В химическом отношении при обычных условиях эти соединения доста. точно стабильны Они устойчивы по отношению к кислороду воздуха, воде и не окисляющим минеральным кислотам. Хорошо растворимы в азотной кислоте царской водке и смесях азотной и плавиковой кислот. При нагревании оба ар.' сенида германия диссоциируют с переходом мышьяка в паровую фазу. Давлен^ диссоциации при температуре плавления, измеренное компенсационным мано, метрическим методом на поликристаллических образцах, составляет 1,9 дЛя GeAs и 6,6 атм для GeAs2. Плотность GeAs и GeAs2, измеренная методом гидро. статического взвешивания, равна 5,3 и 5,2 г/см3 соответственно.

Порядок выполнения работ. Синтез предложенных соединение проводят в вакуумированных кварцевых ампулах. Кварцевое стекло при температурах синтеза не размягчается и не реагирует с расплавленными компонентами. Необходимый вакуум (10~2 мм рт. ст. во избежание окисления материалов) создают при помощи форвакуумного насоса без использования паромасляных диффузионных насосов. Для получения достаточно чистых продуктов исходные компоненты и ампулы должны быть чистыми.

Взвешенные количества компонентов из расчета получения 10 г продукта загружают в ампулу, которую откачивают, запаивают ц помещают в печь, позволяющую производить равномерный нагрев. Температура поднимается по определенному режиму, зависящему от летучести компонентов и скорости реакции.

Получение InSb. Ампулу помещают в муфельную печь в горизонтальном положении с небольшим наклоном, чтобы компоненти полностью находились в нижнем ее конце. Спай термопары должен касаться кварцевой ампулы. Печь в течение 1,5—2 ч нагревается до 650° С. По достижении этой температуры печь открывают, при помощи тигельных щипцов (очки, защитная маска!) содержимое перемешивают и ампулу устанавливают в горизонтальном положении. Прч этом надо следить, чтобы расплав не разделился на несколько частей. В дальнейшем печь остывает вместе с ампулой. При охлаждении от 540 до 500ЖС печь должна остьшать не менее 1,5 ч. Иначе слиток InSl) будет иметь на поверхности дендриты и «усы», которые образуются при быстром охлаждении за счет выдавливания кристаллическим блоками не успевшего затвердеть расплава на поверхность слитка Затем печь выключают и дальнейшее охлаждение системы происходи' самопроизвольно.

Получение Bi2Te3. Ампулу помещают в муфельную печь так же, как при синтезе InSb. Печь за 1,5 ч нагревается до 630°С, now* чего содержимое ампулы перемешивают. При 630СС печь выключав и охлаждают вместе с ампулой до комнатной температуры.

Получение GeAs. Ампулу заворачивают в листовой асбест 11 помещают в железную трубку. Трубку загружают в печь в горизонтальном положении. Печь быстро нагревают До 600°С (давление пар3 твердого мышьяка при 633°С равно 1 атм), а от 600 до 9800C темпер^ туру поднимают в течение 2 ч, после чего, выдержав ампулу 1,5—2* печь выключают и охлаждают вместе с ампулой до комнатной темп*' ратуры. *

66

Охлажденные ампулы с синтезированными твердыми веществами оборачивают в три-четыре слоя сухой тканью и осторожно вскрывают полотком на наковальне. Обычно слитки InSb и Bi2Te3 легко отделяются от ампул. GeAs часто прилипает к кварцу за счет образования легкоплавких стекол между окислами мышьяка, германия и кремния.

форма отчета. Отчет должен содержать: 1) схему установки, 2) краткое описание методики, 3) описание полученных кристаллов. Полученные кристаллы сохранить для дальнейших исследований.

Литература

Вол А. Е. Строение и свойства двойных металлических систем, т. II. Физ-матгиз, 1963, с. 234—240.

Горюнова Н. А- Сложные алмазоподобные полупроводники. Советское радио, 1968.

Горюнова Н. А. Химия алмазоподобных полупроводников. Изд-во ЛГУ, 1963, с. 108—112.

Материалы, используемые в полупроводниковых приборах. Cft под ред. К. Хогарда. Мир, 1968, с. 211—244.

Угай Я. А. Введение в химию полупроводников. Высшая школа, 1975, с. 134—136, 194—198.

РАБОТА 6. ПОЛУЧЕНИЕ СОЕДИНЕНИЙ С, ВЫСОКИМ ДАВЛЕНИЕМ ДИССОЦИАЦИИ (ДВУХТЕМПЕРАТУРНЫЙ СИНТЕЗ)

Особенности и границы применимости метода. При получении соединений со значительным давлением пара необходимо контролировать температуру и давление, поскольку слитки заданного, состава могут быть получены при этом только в условиях бивариантного равновесия. Возможность независимого регулирования и контроля температуры и давления в системе реализуется в условиях так называемого двухтемпературного меюда синтеза. В этом методе нелетучий компонент должен находиться в более горячей зоне в двухтемпературной печи при температуре T1, а летучий —в низкотемпературной при T2 (T1 ;> T2). Обычно температура T1 должна быть на 10—20* выше температуры плавления синтезируемого сплава. В установившемся температурном режиме летучий компонент, испаряясь при температуре T2, поглощается расплавленным (или твердым) нелетучим компонентом. Состав расплава определяется температурой T1 и давлением пара в системе, которое, в свою очередь, регулируется температурой T2. Для контролируемого регулирования давления в системе изменением температуры T2 необходимо знать зависимость давления насы-^нного пара летучего компонента от температуры.
Предыдущая << 1 .. 23 24 25 26 27 28 < 29 > 30 31 32 33 34 35 .. 81 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама