Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 2" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 1" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 12" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 11" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 10" (Журналы)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Промышленные производства -> Анохин В.3. -> "Практикум по химии и технологии полупроводников" -> 31

Практикум по химии и технологии полупроводников - Анохин В.3.

Анохин В.3., Гончаров Е. Г., Кострюкова Е. П., Маршакова Т. А. Практикум по химии и технологии полупроводников: учебное пособие — M.: «Высшая школа», 1978. — 191 c.
Скачать (прямая ссылка): poluprovodniki.djvu
Предыдущая << 1 .. 25 26 27 28 29 30 < 31 > 32 33 34 35 36 37 .. 81 >> Следующая


Равновесное давление пара при температуре плавления арсенида индия (942°С) 0,33 атм. Равновесный с расплавом пар состоит из двух- и четырехатомных молекул мышьяка. Арсенид индия является полупроводником с ши« риной запрещенной зоны 0,47. эВ. Некоторые физико-химические свойства InAs:

t,

WDD 900 800 700 В00 500 WO J00 200 WO

О W 20 3D WlnAsffi 70 80 30 WO ,П Ат.% As

Рис.

36. T—лс-диаграмма системы In—As

Температура плавления, °С .........

Давление пара при-т. пл., а?м ».....

Плотность, г/см3.......j .... .

Микротвердость, кг/мм2 '. . . . . : . . . Ширина запрещенной зоны (термическая), эВ Концентрация носителей (77 К), см-3 . . . Подвижность носителей (25°С), сма/В-с . .

942 +3 0,33 5,68 330+10 0,45 8-10" 30 000

х-диаграмма состояния системы In—As (рис. 36) характерна для соединений типа A111BV . Единственное соединение эквиатомного состава плавится конгруэнтно, причем пологий максимум на фазовой диаграмме свидетельствует, 0значительной диссоциаций в расплаве. Эвтектика со стороны индия вырождена.

Порядок выполнения работы. Собирают установку по схеме, пРиведенной на рис. 37.

69

Двухтемпературную печь изготавливают путем намотки нихро. мовой проволоки (диаметр 0,6—0,8 мм) на кварцевую трубу длиной 0,5 м и внутренним диаметром 25 мм с последующей обмазкой смесью огнеупорной глины с асбестовой крошкой и небольшой добавкой ша.

т,

SDD 800 700. BOO 500

T

iO

-220В -220В -

Рис. 37. Схема установки для двухтемпературиого синтеза

мота (10:20:1). Смесь замешивают на воде до тестообразного состояния. Для фиксации обмотки на гладкой поверхности кварцевой трубы вдоль трубы прокладываются 3—4 асбестовые нити. После обмазки

печь просушивают пропусканием тока небольшой величины через обмотку. Затем необходимо проверить распределение температуры в печи (температурный профиль, рис. 38). Если это распределение отличается от приведенного на рис. 38 (наблюдаются местные «провалы» температуры или перегрев), то температурный профиль корректируется или дополнительной местной обмазкой, или снятием части теплоизоляции.

Рассчитанные количества компонентов* располагают в противоположных концах толстостенных ампул так, чтобы при помещении в двухтемпературную печь фосфор находился в холодной зоне, а металл — в горячей. Ампулы вакуумируют до 10~2—10~3мм рт. ст. и отпаивают. Во всех работах необходимо соблюдать осторожность: точно выдерживать указанный температурный режим и скорость нагрева так как несоблюдение этих условий может привести к взрыву* а слишком быстрое охлаждение — к растрескиванию ампул. Вскрытие охлажденных ампул производят под тягой. Если в ампуле осталось| некоторое количество непрореагировавшего фосфора, то возможно самовозгорание.

10 W 30 Длина печи, см

Рис. 38. Температурный профиль печи для двухтемпературиого синтеза

* При расчете следует учесть избыток фосфора, необходимый для созданий давления в ампуле. Расчет ведут по уравнению Клапейрона—Менделеева с уче'і том объема ампулы и температуры синтеза (при этом полагают, что пар состой1 из молекул P4).

70

Режим синтеза CuP2- Сначала медленно в течение 1,5—2,0 ч поднимают температуру горячей зоны до 900° С, что превышает температуру плавления CuP2, одновременно нагревая холодную зону до 480— 500°. При установившемся режиме холодной и горячей зон выдерживают ампулу не менее 3 ч. За это время основная масса фосфора прореагирует с медью. По истечении этого времени осторожно повышают температуру фосфорной зоны до значения, при котором давление пара фосфора достигает 15 атм. Эту температуру определяют из зависимости упругости насыщенного пара фосфора от температуры (см. табл. 2 приложения). После 2—3-часовой выдержки при этой температуре переходят к режиму охлаждения. В течение 0,5—1 ч охлаждают горячую зону до 600°С. Потом медленно снижают температуру холодной зоны до 300—350°С и плавно уменьшают напряжение на обеих печах до нуля. Дожидаются полного охлаждения и производят вскрытие ампулы.

Если взаимодействие между медью и фосфором за время опыта не завершилось и слиток представляет собой смесь двух фаз (Cu3P и CuP2), то выделение дифосфида меди проводят растворением слитка в холодной концентрированной HNO3. При этом низший фосфид меди растворяется полностью, a CuP2 остается в виде блестящих пластинок, которые затем промывают водой, спиртом и высушивают.

Режим синтеза InAs. В горячей зоне устанавливают температуру 950° С, в холодной — температура соответствует давлению пара As, равному упругости диссоциации InAs при температуре плавления (см. табл. 1 приложения). Поскольку взаимодействие происходит в расплаве индия, то равновесие устанавливается быстро. Время выдержки в заданных условиях составляет 1 —2 ч. Режим охлаждения аналогичен приведенному для CuP2-

Если необходимо выделить InAs из смеси с индием, то целесообразно воспользоваться травлением слитка в разбавленной HNO3, -в которой индий растворяется значительно быстрее, чем соединение.

Форма отчета. Отчет должен содержать обоснование выбора режима синтеза на базе P —T—л-диаграммы состояния, краткое описание методики. Полученные кристаллы предъявить преподавателю и сохранить для дальнейших исследований (микроструктура, микротвердость, давление диссоциации и т. п.).
Предыдущая << 1 .. 25 26 27 28 29 30 < 31 > 32 33 34 35 36 37 .. 81 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама