Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 2" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 1" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 12" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 11" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 10" (Журналы)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Промышленные производства -> Анохин В.3. -> "Практикум по химии и технологии полупроводников" -> 35

Практикум по химии и технологии полупроводников - Анохин В.3.

Анохин В.3., Гончаров Е. Г., Кострюкова Е. П., Маршакова Т. А. Практикум по химии и технологии полупроводников: учебное пособие — M.: «Высшая школа», 1978. — 191 c.
Скачать (прямая ссылка): poluprovodniki.djvu
Предыдущая << 1 .. 29 30 31 32 33 34 < 35 > 36 37 38 39 40 41 .. 81 >> Следующая


• • DBcAPBc^2flAC Тв мп

°Асд/>АсЛіавсЇА - .

Учитывая, что логарифм константы равновесия связан с энтальпией и энтропией уравнением (8.1), после логарифмирования выражения (8.6) и подстановки (8.1) получим

InX-f A^-A^U HAS2-AS1)

' . , . 0AC1, Tb,, Dbc , , Арвс"

+ In:-+In-+ in —- + In -—-. . (8.7)

°вс 7а ^AC A^AQ

глеАН2 HAS2 —изменение энтальпии и энтропии реакции в участием примеси; AH1 и AS1 — изменение энтальпии и энтропии для реакции о основным компонентом:

А«І = АЯАС-(А//А+АЯЄ); AS^S^-^a + Sc),

AW2 - АЯБС - (АЯВ + АЯв ); AS2 = SBC - (? + SQ ).

Кроме энтальпийного и энтропийного членов в выражении (8.7) появляется еще ряд членов, вводящих поправки на разность давлений продуктов реакции, на коэффициенты диффузии и т. п. Анализ уравнения (8.7) позволяет выбрать оптимальные условия переноса и очистки (газ-носитель, температурный режим).

Наилучшее разделение достигается при таком реагенте-носителе, который в основным веществом взаимодействует экзотермически, а с примесью — эндотермически. Однако равновесие еистемы не должно

78

быть слишком смещено в одну сторону, т. е. продукты реакции не полжны быть соединениями с большой теплотой образования.

Различие в энтропиях полученных веществ должно быть меньше, qeM между энтропиями исходных: ...

AS^AS8 или AS2-AS1-CO,

5вс — ^B ~ 5С — SAC + SA -f S0 = (SBC — SAC) — (SB SA) <c.0.

Различия в энтропиях твердых продуктов невелики. Основное влияние на эффективность процесса оказывает различие энтропии АС(г) и ВС(г). Для повышения эффективности очистки рекомендуется использовать соединения, обладающие наиболее сложной молекулярной структурой.

Эффект разделения возрастает при уменьшении соотношения пвС/?)АС. Так как коэффициент диффузии прямо пропорционален скорости движения частиц, а скорость обратно пропорциональнаj/M (ЛІ —молекулярная масса), то следует выбирать такой газ-носитель С(г), который с примесью образует более тяжелые молекулы, чем е основным компонентом. При использовании метода потока можно

Dor* '

принять, что ~ 1 и Ig —— ~0.

Чем больше разность парциальных давлени-йДРАС продукта основной реакции между двумя зонами, т. е. чем больше основного компонента переходит из одной зоны в другую по сравнению'с примесью, тем эффективнее очистка вещества.

Отношение 1п(аАс/авс) ~ 1п(РАС/Рвс) указывает на необходимость создания в зоне с высокой температурой в непосредственной близости к твердой фазе минимального парциального давления вещества АС(г), т. е. АС(г) должно выводиться из зоны с большей скоростью, чем ВС(г). Это требование хорошо выполняется только при DBc< DAo

Отношение 1п(ув/ул) позволяет сделать вывод, что коэффициент активности примеси в твердой фазе должен быть минимальным: Vb ^ уд . Это возможно, если транспорт осуществляется в присутствии добавок, связывающих микропримесь в соединения, практически не взаимодействующие с транспортером С(г). Например, до= бавка графита связывает металлы в карбиды, которые при сравнительно невысоких температурах транспорта в иодидном процессе очистки металлов с иодом не реагируют и поэтому не переносятся.

Все возрастающее значение приобретает метод транспортных реакций при получении некоторых соединений, тугоплавких или плавящихся с разложением. Ряд соединений обладает высоким давлением Диссоциации при температуре плавления и потому из расплава их можно выкристаллизовывать только, создавая в аппаратуре необходимое давление летучего компонента. Получение этих материалов при помощи транспортных реакций осуществляется при малых давлениях и сравнительно низких температурах. В процессе реакции вещества получаются в виде монокристаллов, слоев или пленок, содержащих сРавнительно небольшое количество термических дефектов.

79

Экспериментальная часть

' Заданце. 1. Осуществить выращивание кристаллов InAs ц твердого раствора InAs1^Pj1. в ампуле при помощи газотранспортной реакции (носитель — иод). 2. Определить пикнометрическую плотность полученных кристаллов, тип проводимости, при наличии достаточно крупных кристаллов — микротвердость.

Оборудованной материалы

Двухтемпературная печь с независимой регулировкой температур в 3onaj (до 1000°С); две ХА-термопары, потенциометр ПП-63 для измерения температуры; кварцевая .ампула внутренним диаметром 20—25, длиной 250 мм (толщина ст& нок 2—2,5 мм); стеклянные тонкостенные капилляры диаметром 1 мм; прибор для очистки иода сублимацией; вакуумный откачной пост; пикнометр; установка для определения типа проводимости методом термозонда; микротвердомер ПМТ-3; поликристаллический InAs (см. работу 6); кристаллы или порошок InP (см. работу 7); иод металлический (ч), очищенный сублимацией.

Порядок выполнения работы. Выращивание кристаллов InAs и твердого раствора InAs1^Pj,. осуществляют на установке, схема которой приведена на рис. 45. Двухтемпературная печь представляет

собой кварцевую трубу диаметром 30—35, длиной 40— 50 мм, на которой размещены две обмотки, выполненные из нихрома диаметром 0,8 мм. Теплоиз'Ьляция достигается обмазыванием трубы смесью огнеупорной глины с асбестовой крошкой и небольшой добавкой шамота (см. работу 6). Регулировка температуры в зонах печи осуществляется независимо от двух лабораторных автотрансформаторов, контроль температуры — при помощи двух термопар. Температурный профиль печи предусматривает наличие двух изотермических зон с перепадом температуры между ними порядка 20—30° С. Амцула по-¦ мещается в печь таким образом, ' чтобы навеска исходных компонентов находилась в высокотемпературной зоне при температуре ^2- Расположение в ампуле капилляра с навеской иода произвольное.
Предыдущая << 1 .. 29 30 31 32 33 34 < 35 > 36 37 38 39 40 41 .. 81 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама