Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 2" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 1" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 12" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 11" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 10" (Журналы)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Промышленные производства -> Анохин В.3. -> "Практикум по химии и технологии полупроводников" -> 37

Практикум по химии и технологии полупроводников - Анохин В.3.

Анохин В.3., Гончаров Е. Г., Кострюкова Е. П., Маршакова Т. А. Практикум по химии и технологии полупроводников: учебное пособие — M.: «Высшая школа», 1978. — 191 c.
Скачать (прямая ссылка): poluprovodniki.djvu
Предыдущая << 1 .. 31 32 33 34 35 36 < 37 > 38 39 40 41 42 43 .. 81 >> Следующая


Определение некоторых физических свойств выращенных кристал лов. Плотность определяют пикнометрически по стандартной методике и рассчитывают (г/см3) по формуле

Ps-Pi ...

(P4 — Pi) — (Рз — Pt)

где P1 — масса пустого пикнометра, г; р2 — масса пикнометра с # ществом, г; P3 — масса пикнометра с веществом и водой до метки, ¦ JO4 — масса пикнометра с водой, г; при этом р4 — P1 равно массе водь" объеме пикнометра или (условно) объему пикнометра (приним

82

Рис. 46. Схема установки для определения термо-э.д.с. (термозонд):

/— вольфрамовая игла, запрессованная в стержень; 2 — медный стержень; 3 — печь термозонда; 4 — термопара; б — образец; 6 — массивный медный блок

. 0== 1 г/см3); р9 —pz—массе воды над веществом или (условно) Й!,ему свободной части пикнометра; (pt—P1)—(ра.— р2) принимается за объем взятой навески (р2 —Pi) вещества.

Тип проводимости и дифференциальную термо-э. д. с. определяют термозондом (рис. 46). Термозонд состоит из медного стержня 2 диаметром 5 мм, на конце которого впрессована вольфрамовая игла /. Вблизи иглы в медном стержне в специальном оТВерстии закреплена ХА-термопара 4 для измерения температуры иглы. Стержень 2 обогревается печью 3, состоящей из керамического полого цилиндра, на который намотана нихромовая. спираль. Питание печи осуществляется через автотрансформатор. Образец 5 помещают на массивный медный блок 6, находящийся при комнатной температуре. Иглу опускают на образец при помощи манипулятора (препаратоводи-гель CT-11). Возникающую термо-э. д. с. измеряют низкоомным потенциометром Р-306. Знак термо-э. д. с, а следовательно, и тип проводимости образца определяют предварительной калибровкой установки по кремнию п- и р-типа. Дифференциальную термо-э. д. с. а (мкВ/град) определяют по формуле

a = ± EJM,

где E — термо-э. д. с, определяемая потенциометричёски, мкВ; At — разность температур между зондом и основанием, °С. Поскольку холодные концы термопары 4 находятся при той же температуре, что и медный блок 6, то разность температур равна температуре, определяемой по потенциометру ПП-63. Знак а совпадает со знаком Е.

Микротвердость при наличии достаточно крупных кристаллов определяют по методике, описанной в работе 4 (нагрузка 50 г).

Форма отчета. Отчет по работе должен содержать: 1) формулировку поставленной задачи; 2) описание и схему установки; 3) обоснование выбора режима и описание методики проведения эксперимента; 4) описание внешнего вида полученных кристалов, их размеров 11 формы; 5) результаты определения плотности, типа проводимости,

Чхреренциальной термо-э. д. с. и микротвердости; 6) выводы по ра-ООТе.

Литература

с ^Новоселова А. В. Журн. BXO им. Д. И. Менделеева. 1968, 13, ^„-Новоселова д. В. Изв. АН'СССР, «Неоргаиич. материалы», 1965, 1,

¦ 83

Новое в получении монокристаллов полупроводников. Сб. статей."ИЛ, 19? с. 118—124. ^

Практикум поіюлупроводникам и полупроводниковым приборам. Под ре. К. В.-Шалимовой. Высшая школа, 1968, с. 136—145. Д'

Процессы роста и выращивания монокристаллов. Под ред. Н. Н. Шефталв ИЛ, 1963, с. 488—521.

Степин Б. Д. и др. Методы получения особочистых неорганически, веществ. М. — Л., Химия, 1969. - ' 1

Ш е ф ф е р Г. Химические транспортные реакции. Мир, 1964,

РАБОТА 9. ПОЛУЧЕНИЕ МОНОКРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСПЛАВА (НАПРАВЛЕННАЯ КРИСТАЛЛИЗАЦИЯ)

Особенности и границы применимости метода. Метод выращиванщ монокристаллов элементарных и сложных полупроводников из рас. плава, состав которого близок к составу получаемого кристалла, об-

е тем больше, чем больше скорость роста. Для получения совершен-"ых монокристаллов необходимо учитывать возможность кристалли-яционного переохлаждения, связанного с накоплением примеси вблизи Іронта кристаллизации (рис. 48, а, б). Это явление возникает при недостаточно крутом градиенте температуры в экспериментальной уста* вовке, что приводит к переохлаждению жидкости вблизи фронта крИсталлйзации (температура плавления слоя жидкости оказывается руще фактически существующего распределения температуры). В переохлажденной жидкости, спонтанно могут возникнуть новые центры

расплава *

Рис. 47. Обогащение (а) и обеднение (б) расплава примесью вблизи фронта кристаллизации

ладает двумя важными преимуществами по сравнению с остальным способами: высокой скоростью роста и возможностью получены больших монокристаллов. Однако этот метод неприменим для вещесщ плавящихся инконгруэнтно, а также, если наблюдается фазовьіі переход в твердом состоянии. Кроме того, метод выращивания из расплава иногда связан с применением высоких температур, что так* ограничивает его применимость.

Скорость роста кристалла будет определяться следующими 4 торами: 1) скоростью образования зародышей кристаллизации и 2) скоростью отвода тепла от фронта кристаллизации так, чтобы температур8: в нем не превышала температуры плавления растущего центра кристал' ;лизации. Практически в любом расплаве присутствуют примеси, которые влияют на скорость роста и чистоту кристалла. Реальные пр0' цессы кристаллизации всегда связаны с относительно большими ско ростями роста так, что равновесие между расплавом и растут"'] кристаллом не успевает устанавливаться, т. е. оттесняемая от фронт" кристаллизации в расплав примесь (при k < 1) не успевает равномер1* распределяться по всему объему жидкости, и концентрация при^еС у границы раздела возрастает (рис. 47). Таким образом, кристалл P^ тет из слоя расплава, обогащенного примесью, причем это обогай
Предыдущая << 1 .. 31 32 33 34 35 36 < 37 > 38 39 40 41 42 43 .. 81 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама