Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 2" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 1" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 12" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 11" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 10" (Журналы)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Промышленные производства -> Анохин В.3. -> "Практикум по химии и технологии полупроводников" -> 42

Практикум по химии и технологии полупроводников - Анохин В.3.

Анохин В.3., Гончаров Е. Г., Кострюкова Е. П., Маршакова Т. А. Практикум по химии и технологии полупроводников: учебное пособие — M.: «Высшая школа», 1978. — 191 c.
Скачать (прямая ссылка): poluprovodniki.djvu
Предыдущая << 1 .. 36 37 38 39 40 41 < 42 > 43 44 45 46 47 48 .. 81 >> Следующая


Установка для зонной плавки; установка для измерения электропроводности четырехзондовым методом; кварцевые ампулы, тигельные шипцы; печі для сплавления; лодочки из плавленого кварца; установка для вакуумированщ и запаивания ампул; металлы полупроводниковой чистоты: индий, сурьма, олово,, цинк.

Порядок выполнения работы. Готовят сплав InSb1 легированный оловом и цинком. Общая масса слитка 15—20 г. Количество примесев

(ат. %): олово 1, цинк 0,5 (см работу, 5). Полученный сплэе извлекают из ампулы, загружают в лодочку и расплавляют. Охлаждают и вдоль образовавшегося слитка измеряют элект ропроводность четырехзондо вым методом (рис. 55). Пред варительно слиток отшлиф вывают с одной стороны, про мывают от абразивных матери» лов и высушивают. Замерь электропроводности делать * рез каждые 5 мм.

Далее замеряют температур ный профиль печи установ»' для зонной плавки (рис. 561, Для этого поднимают темі* ратуру зоны на 50—70° вь# температуры плавления In" Температуру измеряют чере 1 см в обе стороны от центра печи. Строят график в координата температура*— длина зоны и нагреваемого пространства около зой"

Щ/////ШПЫкШ//////Л?

Рис. 55. Схема установки для контроля распределения примеси вдоль слитка четырехзондовым методом:

/, 4 — токовые зонды; 2, 3 — потенциальные зонды", R — переменное сопротивление; мА — миллиамперметр; Б — источник питания;

Bk — выключатель; тивление; П1Ш П3

- эталонное сопро-

______, переключатели полярности; П, — переключатель V37JUx

-220 а

Лодочку вместе со слитком помещают в ампулу из кварцевого стеКла, которую откачивают до Ю-3 мм рт. ст. и отпаивают. Ампулу „омешают в кварцевую трубку. Проводят однократную зонную плавку (скорость прохода 1—1,5 см/ч), после чего повторяют измерение электропроводности вдоль слитка в том же направлении. Строят график изменения электропроводности вдоль образца до зонной ' 0 плавки и после нее.

Зная коэффициент распределения (для олова k = 0,057, а для цинка k = 2,3) и первоначальную концентрацию примеси, рассчитывают по формуле (11.1) или (11.2) относительную концентрацию примесей по длине образца после одного прохода зоны. Ширину расплавленной зоны Ь рассчитывают из температурного профиля печи; х — расстояние от начала слитка до точек, в которых измерялась электропроводность.

Строят кривую распределения примесей относительно длины образца. Сравнивают полученный график с графиком изменения электропроводности вдоль образца после очистки.

Форма отчета. Отчет по работе должен содержать: 1) схему установки для зонной плавки; 2) график температурного профиля печи; 3) экспериментальные данные по измерению электропроводности вдоль образца до очистки и после нее; 4) расчетные данные по распределению относительной концентрации примесей вдоль образца в виде таблицы и графика; 5) выводы по работе.

Литература '

Вигдорович В. Н. Очистка металлов и полупроводников кристаллизацией. Металлургия, 1969.

Медведев С. А.- Введение в технологию полупроводниковых ма-«Риалов. Высшая школа, 1970.

О р м о н т Б. Ф. Введение в физическую химию и кристаллохимию полх-"Роводников. Высшая школа, 1968. 3

П а р р Н. Зонная очистка и ее техника. Металлургиздат, 1963.

H ф а н н В. Зонная плавка. Мир, 1970. 1ап„ 0 м а н е н к о В. Н. Получение однородных полупроводниковых крис-'аллов. Металлургия, 1966. н

щргт «,п и н в- Д- и др- Методы получения особочистых неорганических ве-V М-~Л" Химия, 1969.

у г а й Я. А. Введение в химию полупроводников. Высшая школа, 1975.

Рис. 56. Схема лабораторной установки для проведения зонной плавки: /—ампула; 2—слиток; 3—кварцевая трубка; 4— нагреватель зоны; 5 — мотор; 6 — редуктор; 7 — ходовой винт

94

Часть III

ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПРИЕМЫ ОБРАБОТКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ

В современной технологии полупроводниковых приборов особое значение имеют методы химического воздействия на исходный кристалл кремния, ,которые позволяют формировать в нем разнородные области (п- и р-типа, окисленные участки поверхности и т. п.), являющиеся активными и пассивными элементами структуры. К этим методам прежде всего относятся отмывка и травление, служащие для удаления с поверхности примесей и нарушенного слоя, вызванного механической обработкой, создания определенного рельефа на поверхности пластины и т. п.; формирование стеклообразных пленок на основе SiO2, полученных или методами термического окисления, или осаждением из газовой фазы в результате химической реакции. Важную роль в технологии играют методы эпитаксиального наращивания, позволяющие создавать слоистые монокристаллические структуры с разнообразными электрофизическими свойствами. Непременным этапом физико-химической обработки кристалла при изготовлении прибора служит диффузия примесей донорного й акцепторного типов, при помощи которой формируются области эмиттера и базы в транзисторах, резисторы и другие элементы интегральной схемы.

Последовательность операций при изготовлении интегральных схем. Для изготовления интегральных схем (ИС) большое значение имеет подготовка поверхности кремниевых подложек. Слиток монокристаллического кремния ориентируют в заданном направлении в разрезают на пластины металлическими дисками, режущая кромка которых содержит алмазный абразив. Пластины затем подвергаю? плоскопараллельной механической двусторонней шлифовке абразивными микропорошками на основе карбида кремния с размером зерна порядка 10 -4- 20 мкм. После этого пластины механически полируют при помощи алмазных паст, представляющих собой суспензии алмазного микропорошка с размером зерна 0,5—2 мкм в минерально»1 вязком масле. Окончательная толщина механически обработанных пластин должна составлять 200 -і- 400 мкм.
Предыдущая << 1 .. 36 37 38 39 40 41 < 42 > 43 44 45 46 47 48 .. 81 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама