Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 2" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 1" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 12" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 11" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 10" (Журналы)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Промышленные производства -> Анохин В.3. -> "Практикум по химии и технологии полупроводников" -> 43

Практикум по химии и технологии полупроводников - Анохин В.3.

Анохин В.3., Гончаров Е. Г., Кострюкова Е. П., Маршакова Т. А. Практикум по химии и технологии полупроводников: учебное пособие — M.: «Высшая школа», 1978. — 191 c.
Скачать (прямая ссылка): poluprovodniki.djvu
Предыдущая << 1 .. 37 38 39 40 41 42 < 43 > 44 45 46 47 48 49 .. 81 >> Следующая


Подготовленные таким образом пластины содержат на поверхност" жировую пленку, различного рода примеси, а также нарушенные слои вызванные абразивной обработкой. В последующих операциях °т' мывки и травления эти нарушения должны быть удалены. Отмы^-проводят в несколько стадий обработкой пластин в различных орган'1 ческих растворителях (в парах толуола, четыреххлористого углерод и т. п.), минеральных окисляющих кислотах (кипячение в Н№ч с промежуточным промыванием дистиллированной водой. Нарушен©1'

96

сдой в приповерхностной области, включающий в себя скопление ыик-р0трещин, зону повышенной плотности дислокаций, деформационные искажения, структуры, удаляют химическим полирующим травлением или путем газового травления безводным HCl на глубину 5—8 мкм. Операция отмывки крайне важна, поскольку она применяется многократно в течение технологического цикла изготовления структуры и от тщательности ее выполнения существенно зависят параметры и стабильность работы готового прибора. Все реактивы, применяемые при отмывке пластин, должны быть квалификации ОСЧ, высокие требования предъявляются к посуде, в которой происходит обработка. Вода, используемая в полупроводниковой технологии,-не должна содержать минеральных и органических примесей, наличие которых даже в ничтожно малых концентрациях может привести к необратимому дрейфу параметров прибора в процессе эксплуатации.

При изготовлении различных типов интегральных схем используется одна и та же базовая технология, заключающаяся в последовательном многократном выполнении операций окисления, диффузии,, травления, фотолитографических процессов. В последнее время широкое распространение получила так называемая планарная технология, отличительной особенностью которой является то, что все активные и пассивные элементы структуры формируются в приповерхностном слое с одной стороны пластины, а р—п- переходы областей эмиттер — база и база — коллектор выходят на одну плоскость и защищены слоем окисла. Это обеспечивает повышенную надежность прибора, поскольку р—я-переходы изолированы от влияния внешней среды. Варианты планарной технологии отличаются способами изоляции активных элементов (диодов, транзисторов, резисторов) друг от друга. Электрическая изоляция может быть осуществлена обратно смещенным р — n-переходом или диэлектрической пленкой двуокиси кремния. Иногда используют комбинированный способ изоляции.

Рассмотрим последовательность операций при создании изолированных участков структуры, на которых впоследствии формируются элементы интегральной схемы. На рис. 57 представлены этапы изготовления изолированных областей при диэлектрической изоляции. На исходную пластину и-типа (которая будет служить рабочим телом ври изготовлении элементов ЙС) эпитаксиально наращивают моно-•фисталлический сильнолегированный слой кремния n-типа (п+) (Рис. 57, о). Затем на пластине термически выращивают слой SiO2 фис. 57, б), в котором при помощи метода фотолитографии вытравливают «окна» (рис. 57, в). Оставшийся слой SiO2 служит маской при п°следующем травлении разделительных «канавок» в кремнии ¦ (Рис. 57, g) После вытравливания канавок слой термического окисла снимают в плавиковой кислоте, а на рельефную поверхность кремния ^аждают из газовой фазы относительно толстый (2—3 мкм) слой изо-"Рующего окисла (рис. 57, д) путем, например, гидролиза SiCl4 в "беи SiCl4 + H2O 4- H2 при высокой температуре. На рельефную астину кремния, покрытую слоем изолирующего окисла, наращи-10t толстый (порядка 200 мкм) слой поликристаллического крем-я (рис. 57, е), который в дальнейшем служит механической основой

-912

97

Чатом исходный монокристалл шлифуют и поли, будущей структуры. 3«2^Jj; наРрис. 57, е). В результат, руют до вскрытия <<каРпмп^*іПУформиРруются монокристаллические SJ^A^c"^ Липа, электрически изолир,

п*-эпи

У°2

/7+ />

SiO2- изолирующий

I, „.(ssse^n+ Г----1 1

п-зпи

Диффузия Я

Рис. 57. Последовательность этапов изготовления изолированных моно-кристаллических областей (диэлектрическая изоляция)

Рис. 58. Последовательность этапов изготовления изолированных

монокристаллических областей (изоляция р— П-переходом)

ление тела коллектора в будущем транзисторе. После удаления маскирующего окисла на поверхности эпитаксиально выращивают слой кремния я-типа (рис. 58, б), к которому предъявляются жесткие требования в отношении толщины, удельного сопротивления и кристаллического совершенства, поскольку именно здесь будут сформированы рабочие элементы струк

SlO2 (терм)

ванные слоем SiO2 от поликристаллической основы (рис. 57, Ж Именно в этих островках в дальнейшем создаются различные элемент интегральной схемы. ffl

При изоляции элементов структуры р—n-переходом (рис. 6* в качестве исходной берут пластину кремния р-типа (рис. 58,"' На ней выращивают слой термического окисла, который служит кой при последующей диффузии фосфора в специально вытрав^ ные для этой цели окна (рис. 58, б). При этой ДифФЯ формируется «""-область, уменьшающая последовательное сопрл
Предыдущая << 1 .. 37 38 39 40 41 42 < 43 > 44 45 46 47 48 49 .. 81 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама