Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 2" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 1" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 12" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 11" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 10" (Журналы)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Промышленные производства -> Анохин В.3. -> "Практикум по химии и технологии полупроводников" -> 44

Практикум по химии и технологии полупроводников - Анохин В.3.

Анохин В.3., Гончаров Е. Г., Кострюкова Е. П., Маршакова Т. А. Практикум по химии и технологии полупроводников: учебное пособие — M.: «Высшая школа», 1978. — 191 c.
Скачать (прямая ссылка): poluprovodniki.djvu
Предыдущая << 1 .. 38 39 40 41 42 43 < 44 > 45 46 47 48 49 50 .. 81 >> Следующая


туры. Затем поверхность вновь термически окисля-юТі вытравляют окна- и осуществляют диффузию бора сквозь эпитаксиаль-нЫй слой до встречи с подложкой р-типа (рис. 58, г). Таким способом на пластине формируются локальные рабочие области п-типа, отделенные друг от друга материалом р-типа (рис. 58, d). р—п-Переход между рабочей областью и основанием выполняет ту же роль, что и слой SiO2, т. е. электрически изолирует элементы структуры друг от друга. Этот способ изоляции рабочих областей по сравнению с диэлектрической изоляцией имеет некоторые технологические преимущества. Он менее трудоемок, включает меньшее количество последовательных операций и позволяет получать структуры с , большим выходом. В то I *е время диэлектрическая изоляция обеспечивает меньшие утечки тока и меньшие паразитные Скости, чем изоляция р—п-перехбдом. В дальнейшем процесс изготовления ИС сводится к формированию изолированных участках различных элементов структуры (диодов, Ранзисторов, резисторов) и к созданию на поверхности металлически Разводки, соединяющей эти элементы определенным образом друг Другом. На рис. 59 представлена последовательность основных технических операций, позволяющих сформировать, например, диод, б™нзистор и резистор. Пластина с изолированными карманами под-п РГадтся термическому окислению (рис. 59, а). В слое окисла при °Щи фотолитографических методов вытравливаются отверстия не-. °Димой формы и осуществляется селективная диффузия бора

Рис. 59. Последовательность этапов изготовления- элементов интегральной схемы

99

98 • -

(рис. 59, б). При этом в карманах формируются р-п-перехОды и области р-типа, которые представляют собой базу транзистора (А), «тело» ре. зистора (В) и р-область диода (Б). На этой стадии заканчивается изготовление резистора и диода. Для завершения изготовления транзис-тора в р-область (А) необходимо провести диффузию фосфора, форми, рующую эмиттер и п+ —р-переход эмиттер — база. Перед диффу. зией пластину вновь термически окисляют и вскрывают окна только в местах создания эмиттера (рис. 59, в). р-Области резистора и диода находятся под слоем SiO2, который препятствует диффузии фосфора в них. Таким образом, различные активные элементы структуры обра, зуются одновременно в ходе последовательных операций окисления и локальной диффузии через окисную каску. Поскольку режим диффу. зии один и тот же для всех вскрытых участков структуры, то электри. ческие параметры отдельных элементов можно регулировать, изменяя геометрию соответствующих областей (форму и размер окон в окисле, подлежащих вскрытию перед диффузией). Заключительной операцией изготовления ИС является монтаж элементов структуры в единый функциональный блок посредством металлоразводки. Для этого пластину вновь покрывают слоем термического окисла,. в котором вскрывают отверстия в местах будущих контактов. У транзистора обнажают участки n-, р-, п+-областей (коллектор, база, эмиттер), у диода п- и р-участки, а у резистора оба контактных участка находятся в р-об-ласти. Затем методом вакуумного напыления наносят металлический слой (например, алюминия), который подвергают селективному травлению с применением методов фотолитографии, оставляя лишь тонкие полоски, соединяющие между собой элементы ИС в определенной последовательности. Термообработкой создают омические контакты металла с кремнием во вскрытых окнах в окисле, тогда как слой окисла электрически изолирует металлоразводку от тела прибора (рис. 59, г).

Такая последовательность операций в пленарной технологии полу-1 проводниковых приборов является универсальной и в принципе MC-1 жет быть применена не только для кремния, но и для других полупрої водниковых материалов. Только вместо окисления в общем случае! потребуется процесс осаждения диэлектрика на поверхность полу-^ проводника, а эпитаксия может осуществляться не только на своей но и на «чужом» монокристалле (гетероэпитаксия).

РАБОТА 12. ХИМИЧЕСКОЕ ТРАВЛЕНИЕ

Особенности и границы применимости метода. Травление прим* няется: а) для удаления поверхностного слоя, нарушенного абразив ной обработкой, или для уменьшения толщины образцов, придания я* необходимого рельефа; б) для очистки поверхности; в) как подгот0' вительный этап для металлографического исследования. При этом * процессе травления увеличивается контраст между неоднородны"* участками поверхности, что позволяет определить фазовый соста' слитка, степень его однородности и выявить макро- и микpoдeфeкT1,,

Существуют различные способы травления:

100

1. Химическое травление, основанное на различной химической активности структурных составляющих или участков кристалла по отношению к химическим реагентам. Химическое травление может происходить как в жидкой среде — в водных и неводных растворах, в расплавах солей и металлов, так и в газовой фазе. Единственное условие, которое при этом должно соблюдаться, — достаточная легкость образования и удаления с поверхности'продуктов взаимодействия.

2. Электрохимическое травление, основанное на анодном растворении материала под действием пропускаемого через систему тока.
Предыдущая << 1 .. 38 39 40 41 42 43 < 44 > 45 46 47 48 49 50 .. 81 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама