Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 2" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 1" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 12" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 11" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 10" (Журналы)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Промышленные производства -> Анохин В.3. -> "Практикум по химии и технологии полупроводников" -> 47

Практикум по химии и технологии полупроводников - Анохин В.3.

Анохин В.3., Гончаров Е. Г., Кострюкова Е. П., Маршакова Т. А. Практикум по химии и технологии полупроводников: учебное пособие — M.: «Высшая школа», 1978. — 191 c.
Скачать (прямая ссылка): poluprovodniki.djvu
Предыдущая << 1 .. 41 42 43 44 45 46 < 47 > 48 49 50 51 52 53 .. 81 >> Следующая


H2O2 1; HF 1, H2O 4

1 мл супероксоля (I мл H2O2, 1 мл HF; 4 мл H2O) в 50 мл воды

KOH 6 (г); K3[Fe(CN)6] 4 (г); H2O 50

HNO3 AgNO3

1; HF 2; (5%) 2

Полирование и травление поверхностей (111) и (100); Выявление

р—и-переходов

Травитель с небольшой скоростью травления. Используется при подогреве

Дает ямки травления на плоскостях (111), (100) я (110) с четкой

структурой

Селективное травление плоскости (111)

Выявление границ между зернами, травление плоскости (111)-

Примечание. Для приготовления указанных травителей необходимо использовать 48%-ную плавиковую, 70%-ную азотную, ледяную уксусную кис-слоты и 30%-ную перекись водорода. Реактивы, применяемые для составления травителя. Должны быть чистыми. Особенно это требование относится к плавиковой кислоте, в которой часто бывают растворены тяжелые металлы.

Таблица 1

Травители для кремния

Травитель

Состав, мл

Примечание

СР-8

СР-8 с уксусной кислотой

Йодный травитель А _ Травитель Дэша

СД-1

^Ромовый травитель

HNO3 3; HF 1

HNO8 3; HFl; CH3COOHl

HNO, 100; HF 50; CH3COOH 100; I8 1

HNO3 3; HF I; CH3COOH 8—12

HNO3 18; HF 25; СН,СООН 5; H2O 10; Br2 0,1

CrO3 15 (г); HF 15; H2O 35

Наиболее часто используемый полирующий травитель

Скорость травления ниже, чем в СР-8

Полирование со средней скоростью

Быстрое селективное травление всех плоскостей

Селективный травитель для выявления дислокаций и оценки плотности дислокаций

Выявление дислрка-ций в плоскости (111)

ЮБ

Экспериментальная часть

Задание. 1. Определить при помощи химического травления глу. бину нарушений, вызванных механической обработкой поверхности кремния. 2. Провести химическую полировку поверхности кремния. 3. Провести травление образца кремния для выявления и подсчета дислокаций.

Оборудование и материалы

Микроскоп МИМ-8 (МИМ-7); аналитические весы АДВ-200; фторопластовые стаканы; фторопластовые держатели или наконечники для пинцетов; кремниевые пластины диаметром 8 мм;' кислота азотная. 70%-ная; кислота плавиковая, 49%-ная; кислота уксусная CH3COOH, ледяная; оксид хрома (-фб).

Определение глубины нарушенного слоя. При механической обра ботке поверхности полупроводниковых материалов образуются нарушенные слои, отличающиеся по своей структуре от глубинных слоев монокристалла. Толщину нарушенного слоя можно оценить по изменению скорости травления при-стадийном растворении механически обработанных образцов, поскольку механически обработанная поверхность травится быстрее, чем совершенный монокристалл. Постоянство скорости травления указывает на полное снятие нарушенного слоя. Скорость травления определяется по" уменьшению толщины образца в единицу времени. Процесс определения глубины нарушенного слоя состоит из следующих этапов: 1) очистка поверхности образца; 2) взвешивание образца перед травлением; 3) удаление с поверхности в полирующем травителе тонкого слоя материала; 4) определение количества удаленного кремния (повторноевзвешивание). Этапы2—4 повторяются до полного удаления нарушенного слоя (постоянство скорости травления). Поверхность очищают органическими растворителями (четы-реххлористый углерод, толуол). Образец взвешивают на аналитических весах с точностью до Ю-4 г. При использовании травителей, содержащих плавиковую кислоту, необходима фторопластовая посуда. Для определения глубины нарушенного слоя на кремнии рекомендуются следующие травители: CP-8 (HNO3: HF = 3:1) и Уайта (HNO3 : HF = 2:1). Оба травителя являются полирующими.

Пластины кремния закрепляют во фторопластовый держатель (можно использовать пинцеты с фторопластовыми наконечниками) и/травят на каждом этапе в CP-8 20—30 с или 30—40 с в травителе Уайта при комнатной температуре. После травления образцы промывают дистиллированной водой последовательно в трех сосудах. После каждого цикла травления определяют изменение массы пластины Ар*-Процесс повторяют до тех пор, пока изменение массы не станет постоянным. После полного удаления нарушенного слоя строится график зависимости количества удаленного материала от общего времени травления*. Типичная кинетическая кривая приведена на рис. 6O-

* Поскольку скорость травления пропорциональна количеству удаленно-го материала в единицу времени, то график Ap^ = f(x) характеризует измен? ние скорости в процессе травления.

106

кинетические кривые имеют два участка: спада и постоянства скорости травления. Зная точку перегиба, можно рассчитать глубину нарушенного слоя (для образцов круглой формы) по формуле

8 =

IQ4,

(12.3)

где о —глубина нарушенного слоя, мкм; SAp г —общее количество удаленного материала до точки перегиба на кривой, г; d —диаметр образца, см; у —плотность исследуемого материала,, г/см3.

Формула (12.3) справедлива при травлении образца с одной стороны (вторая сторона защищена, например, лаком ХСЛ). Если травятся обе стороны пластины, то расчет ведут по формуле

22Др;

(12.4)

I04.

Рис. 60. кривая

Кинетическая циклического

травления

При этом необходима одинаковая механическая обработка обеих рабочих сторон пластины. Однако формулы (12.3) и (12.4) не учитывают эффекта «бокового травления», т. е. уменьшения диаметра образца в процессе химической обработки.
Предыдущая << 1 .. 41 42 43 44 45 46 < 47 > 48 49 50 51 52 53 .. 81 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама