Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 2" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 1" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 12" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 11" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 10" (Журналы)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Промышленные производства -> Анохин В.3. -> "Практикум по химии и технологии полупроводников" -> 48

Практикум по химии и технологии полупроводников - Анохин В.3.

Анохин В.3., Гончаров Е. Г., Кострюкова Е. П., Маршакова Т. А. Практикум по химии и технологии полупроводников: учебное пособие — M.: «Высшая школа», 1978. — 191 c.
Скачать (прямая ссылка): poluprovodniki.djvu
Предыдущая << 1 .. 42 43 44 45 46 47 < 48 > 49 50 51 52 53 54 .. 81 >> Следующая


Химическая полировка кремния. Травлению для выявления дислокаций должна обязательно предшествовать химическая полировка, в процессе которой удаляется поверхностный слой и получается зеркальная поверхность, на фоне которой четко выявляется дислокационная структура монокристалла кремния. Полирование поверхности можно проводить в указанных травителях в течение 40—50 с. Можно использовать более мягкий травитель с добавлением уксусной кислоты состава HN03:HF : CH3COOH = 3:2:2. Травление проводить в течение 2—3 мин. Образцы после травления тщательно промывают дистиллированной водой и высушивают.

Особое внимание следует уделять предварительной отмывке, поскольку травление загрязненных образцов редко дает удовлетво- • рительные результаты. Удаление пыли можно проводить промывкой в Дистиллированной воде. Обезжиривание образцов проводится в органических растворителях кипячением или тщательной протиркой ватным тампоном, смоченным в растворителе.

Определение плотности дислокаций. По внешнему виду протравленной поверхности можно сделать заключение о наличии и плотности таких дефектов структуры, как дислокация.

Дислокации образуются в процессе роста кристаллов, при пластической деформации, при наличии больших температурных градиентов, выявление дислокационных искажений методом травления основано На том, что растворение начинается особенно легко в местах выхода Дислокаций на поверхность. Здесь значительно снижается энергия 0трьта атома с поверхности твердого тела. Скорость травления в мес-

107

тах выхода дислокаций выше, чем в других точках кристалла. Поэ-тому здесь после травления образуются ямки. Форма основания ямки зависит от ориентации плоскости, в которой идет травление. Ямка представляет собой пирамиду с вершиной, уходящей в глубину пласти, ны. Количество дислокационных ямок травления не зависит от времени травления. Однако при большой продолжительности травления

основания ямок расплываются и могут перекрыть друг друга. Методом химического травления выявляются не все дислокации, а лишь те, которые идут перпендикулярно шлифу или с небольшим отклонением ОТ ЭТО-го направления. Для кремния с кристаллографической ориентацией (111) рекомендуется применять хромовый травитель состава-15 г CrO3 + 35 мл H2O + 15 мл HF (49%). Первые фигуры.травления появляются после 15—20-минутной обработки при комнатной температуре. При нечеткой картине следует провести повторное травление в течение такого же времени до появления хорошо заметных дислокационных ямок травления. Травление необходимо проводить во фторопластовой посуде при помощи специальных держателей или пинцета. Для промывания используют три стакана с дистиллированной водой. Образец из травителя переносят в воду как можно быстрее. Длительный контакт о воздухом смоченного травителем образца приводит к интенсивному окислению поверхности, что затрудняет, а иногда делает невозможным подсчет дислокационных ямок.

Дислокационные-ямки травления в монокристаллах кремния с ориентацией (111) имеют вид трехгранной пирамиды с равносторонним основанием. При просмотре протравленной поверхности в отраженном свете дислокации представляют собой темные треугольники (рис. 61). Подсчет количества дислокаций производят при помощи металлографического микроскопа. Поверхность исследуемого образца просматривается в двух взаимно перпендикулярных направлениях. Для этого используют окуляр о координатной сеткой. Подсчитывают число ямок травления на пяти участках пластины и берут среднее арифметическое. Плотность дислокаций определяют по формуле -

N = n/s,

где А/ —-плотность дислокаций, см-2; п —"среднее арифметическое из количества дислокаций на пяти участках; s — площадь поля зрения в окуляре микроскопа, см2. Площадь поля зрения зависит от увеличения микроскопа и рассчитывается по объект-микрометру, который представляет собой линейку с ценой деления 0,01 мм. Линейка устанавливается на предметный столик микроскопа и подсчитывается число делений, попадающих в поле зрения окуляра. Зная цену деле-

Рис. 61. Вид дислокационных ямок травления на поверхности (III) кремния

108

нИя, можно получить диаметр круглого поля и вычислить площадь поля зрения.

Форма отчета. Отчет должен содержать: 1) краткое описание методики травления; 2) график кинетических кривых при определении "нарушенного слоя; 3) расчет глубины нарушенного слоя; 4) расчет плотности дислокаций; 5) выводы по работе.

Литература

Г а в р и л о в. Р. А., С к в о р ц о в А. И. Технология производства полупроводниковых приборов. М.—Л., Энергия, 1968.

Пшекичнов Ю. П. Выявление тонкой структуры кристаллов. Металлургия, 1974.

Травление полупроводников. Сб. под ред. С. Н. Горина. Мир, 1965, Уг а й Я. А. Введение в химию полупроводников. Высшая школа, 1975. Фзйнштейн СМ. Обработка поверхности полупроводников. М.—Л., Энергия, 1966, с. 33—101, 136-146. .

РАБОТА 13. ОКИСЛЕНИЕ КРЕМНИЯ -

В планарной технологии полупроводниковых кремниевых приборов и интегральных схем широко применяются оксидные пленки на базе SiO2. Они используются как маскирующее покрытие в фотолитографических и диффузионных процессах, в качестве разделительной изоляции, для пассивации готовых структур и других целей
Предыдущая << 1 .. 42 43 44 45 46 47 < 48 > 49 50 51 52 53 54 .. 81 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама