Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 2" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 1" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 12" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 11" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 10" (Журналы)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Промышленные производства -> Анохин В.3. -> "Практикум по химии и технологии полупроводников" -> 55

Практикум по химии и технологии полупроводников - Анохин В.3.

Анохин В.3., Гончаров Е. Г., Кострюкова Е. П., Маршакова Т. А. Практикум по химии и технологии полупроводников: учебное пособие — M.: «Высшая школа», 1978. — 191 c.
Скачать (прямая ссылка): poluprovodniki.djvu
Предыдущая << 1 .. 49 50 51 52 53 54 < 55 > 56 57 58 59 60 61 .. 81 >> Следующая


Для определения пористости оксидного покрытия на кремнии обычно пользуются методом хлорного травления, в основу которого положено взаимодействие кремния с сухим хлором при высоких температурах. Оксидная пленка в этих условиях стабильна. Поэтому воздействие хлора на кремний возможно только в местах присутствия сквозных пор в оксиде. Микроскопическое исследование после хлорного травления позволяет установить не только общее количество пор, их концентрацию, но и распределение дефектов по поверхности, а также проследить взаимосвязь процесса порообразования со структурой подложки. Чувствительность метода хлорного травления зависит от температуры, времени травления и размеров пор. Последние должны обеспечивать возможность диффузии газообразного галогена к незащищенной поверхности кремния. Данным методом нельзя установить наличие несквозных или субмикроскопических пор. Режим травления (температура и время) может быть выбран по данным табл. 4.

Таблица 4

'- Количество дефектов, выявляемых методом хлорного травления в зависимости от температуры и времени травления (толщина SiO2 0,6 мкм)

Температура,
°С
Время травления, ми и
Плотность дефектов, CM-2
Температура, "С.
Время травлення, -мин
Плотность дефектов. СІҐ

500
15
0
1000
5
15±3

750
15
1
1000
10
20±4

900
15
5+1
1000
15
24 ±4

1000
1
9+3
1000
30
21 ±4

С ростом температуры количество выявленных дефектов резко воз-аСтает, а при оптимальной температуре 10000C достаточно выдержки [5 мин для определения максимального количества дефектов.

Помимо хлорного травления иногда используют электрохимически метод. На окисную пленку наносят каплю водного раствора KCL діеЖДУ подложкой и платиновой иглой, введенной в каплю, создают разность потенциалов, причем пластина кремния является катодом (—) /рис 70). При этой полярности в местах ' .

кремниевой пластины, не защищенных оксидной пленкой, наблюдается выделе-ние пузырьков водорода, по расположению которых на поверхности судят о количест-ве и распределении пор.

Данным методом можно оценить общую площадь сквозных пор, а также получить информацию о наличии несквозных пор. Величина тока в цепи, В ксто- 'Рис. 70. Определение dvk> включен беспористый окисел, скач- пористости окисла элек-ri1, г ' трохимическим способом

кообразно изменяется от нуля до максиму- v

ма при некотором критическом напряжении (UKp), которое определяется электрической прочностью окисла и его толщиной. Если в окисле существуют несквозные поры, то пороговое напряжение пробоя снижается. При наличии сквозных дефектов с увеличением напряжения на ячейке ток плавно возрастает, а его величина при данном напряжении пропорциональна общей площади пор. Метод пригоден для экспресс-контроля сплошности окисла.

Электрические свойства. Одними из важнейших параметров тонких оксидных пленок на кремнии являются поверхностный заряд Q„, плотность поверхностных состояний Nss (ss — surface states), а также величина объемного заряда Qv и его плотность Nv . Последние две величины определяются в основном состоянием самого окисла, его дефектностью и наличием примесей в его объеме. Величины Qss и Nss характеризуют границу раздела Si — SiO2. Поверхностный заряд и его стабильность влияют на электрические свойства структуры Si — SiO2 особенно заметно при изготовлении полевых транзисторов и интегральных схем (МОП-структур). Для понимания явлений, возникающих на границе Si—SiO2, рассмотрим изменение состояния поверхности Полупроводника во внешнем электрическом поле (эффект поля).

В идеальном случае энергетическое состояние носителей тока на по-» Верхности и в объеме полупроводника одинаково, что согласно зонной модели эквивалентно отсутствию изгиба энергетических зон в при-"Оверхностной области (рис. 71,-а)*. После приложения внешнего поля плюсом на металлическом электроде и минусом на кремнии п-типа ектроны из объема подтягиваются к поверхности, их поверхностная 0нЦб«трация увеличивается, и в поверхностном слое возникает отрину ВблИЗИ реальной поверхности полупроводника за счет так называемых "оси Хн°стных состояний наблюдаются изменение энергетического состояния ителей н искривление зон даже в отсутствие внешнего поля.

123

цательный объемный заряд. Это обусловливает появление вторичного элекрического поля, напряженность которого максимальна на поверх, ности и падает до нуля в объеме. Потенциальная энергия электронов изменяется, что равносильно изгибу зон (рис. 71, б). При этом на по-верхности возникает обогащенный электронами слой. Если прилагае-мое поле достаточно велико для того, чтобы произошло пересечение дна

• зоны проводимости с уровнем Фер.

ми, то на поверхности наблюдается электронное вырождение.

При перемене полярности электроны уходят с поверхности в глубь кристалла, возникает обедненный приповерхностный слой, что соответствует, изгибу энергетических зон вверх (рис. 71, в). При этом на

StO,

n-Si

Jv -Ef

SiOn

- инверсия

p-Si







г


Предыдущая << 1 .. 49 50 51 52 53 54 < 55 > 56 57 58 59 60 61 .. 81 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама