Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 2" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 1" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 12" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 11" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 10" (Журналы)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Промышленные производства -> Анохин В.3. -> "Практикум по химии и технологии полупроводников" -> 60

Практикум по химии и технологии полупроводников - Анохин В.3.

Анохин В.3., Гончаров Е. Г., Кострюкова Е. П., Маршакова Т. А. Практикум по химии и технологии полупроводников: учебное пособие — M.: «Высшая школа», 1978. — 191 c.
Скачать (прямая ссылка): poluprovodniki.djvu
Предыдущая << 1 .. 54 55 56 57 58 59 < 60 > 61 62 63 64 65 66 .. 81 >> Следующая


Для исследования свойств анодного оксида (g — У-характеристи-Ки, электрическая прочность) проводят процесс анодного оксидировала на двух пластинах высокоомного кремния (р ~ 100 Ом-см), одну из ^орых окисляю г в гальваностатическсм, а другую — в комбинированном режиме до одного и того же напряжения при плотности тока 2^А/смг. Толщина полученного оксида должна быть порядка 2000—> А. При получении пленки SiO2 в комбинированном режиме строят "авнсимоети u = f(r) для гальваностатического участка и і = /(т)

4%Возможно использование прижимного электрода без осаждения никеля. Каждый студент строит кривую U = /(т) при одной плотности тока.

133

(кривую спада тока) для потенциостатического участка (см. рис. 69). Потенциостатическую доформовку пленки SiO2 проводят до остаточной плотности тока порядка 2 мА/см2.

Каждый раз после завершения процесса, слив электролит из ячейки, вынимают пластину, промывают ее дистиллированной водой, затем спиртом и высушивают на воздухе.

Определение толщины окисных пленок. Толщину сравнительно тонких-(до 1 мкм) пленок определяют методом цветовых оттенков Ньютона (см. приложение). Для определения толщины на поверхность оксида при помощи заостренной фторопластовой палочки наносят каплю плавиковой кислоты. После протравливания окисла до поверхности кремния пластину промывают дистиллированной водой,





йх T






Al SlO2




I ¦ •



Рис. 83. Ступенька Рис. '84.. Схема измерения

иа структуре Si— ' толщины окисла по^ изги-

—SiO2—Al бу интерференционных по-

лос на ступеньке в микроинтерферометре МИИ-4

подсчитывают число темных красно-фиолетовых колец для оценки порядка интерференции и определяют цветность окисла при перпендикулярном падении дневного света.

Толщину пленок более 1 мкм, на которых отдельные цвета спектра уже неразличимы, рекомендуется определять при помощи микроинтерферометра МИИ-4. Для этого половину пластины закрывают лаком ХСЛ, высушивают под электрической лампой в течение 20 мин, а затем стравливают оксид с незащищенной части пластины в плавиковой кислоте. При этом на поверхности подложки образуется ступенька. Для улучшения отражательной способности поверхности рекомендуется напылить в вакууме алюминий слоем около 500 A (рис. 83).

Пластину помещают на предметный столик микроинтерферометра МИИ-4 таким образом, чтобы ступенька попадала в поле зрения и была расположена в окуляре вертикально. Фокусировку производят пр11 отключенной интерференционной призме (см. инструкцию к МИИ-4) После этого вводят призму и наблюдают излом интерференционных полос на ступеньке (рис. 84). При помощи окуляр-микрометра изм^; ряют сначала расстояние между средней наиболее интенсивной линие" И соседней (сверху или снизу) — X делений. Затем определяют сдвиг средней полосы на ступеньке —Ax делений. Тогда величина сдвига ?

134

долях интервала между соседними интерференционными полосами равна Алг/лг, а толщина окисла d ~ 0,27AxIx мкм.

Определение пористости окисла. Установка для хлорного травления (рис. 85) состоит из источника хлора, системы осушки и высокотемпературной реакционной камеры. Хлор получают в колбе Вюрца с капельной воронкой 1 при взаимодействии перманганата калия с концентрированной соляной кислотой. Капельную воронку приоткрывают настолько, чтобы обеспечить постоянный и равномерный, поток хлора. Для осушки газа используют две склянки Тищенко 2 с концентрированной серной кислотой и пятиокисью фосфора, нанесенной на. стеклянную вату. Осушенный хлор поступает в реактор 6, -




9.





Ш I
їв


-¦O-
г



DT


f

ооооооооооооо

ft Ь\А в 4 о^о/6 6 Ь\й о I

3 * S 6

Рис. 85. Схема установки для определения пористости SiO2 методом хлорного травления

в котором на держателе 4 расположены исследуемые пластины кремния 5. Требуемая температура обеспечивается печью и контролируется ХА-термопарой 7. Непрореагировавший хлор поглощается в барботере 8 30%-ным растзором тиосульфата натрия. Установка должна' быть смонтирована в вытяжном шкафу.

Для определения пористости методом хлорного травления пласти-•ны кремния должны быть полированы с двух сторон для того, чтобы слой окисла равномерно покрывал обе поверхности. Держатель с пластинами помещают в печь, разогревают ее до K)OO0C, затем закрывают реактор шлифом 3 и, открывая кран делительной воронки, Регулируют поток хлора таким образом, чтобы через склянку Тищенко с серной кислотой проходило 1—2 пузырька в минуту*. Травление проводят в течение 15 мин. Затем прекращают подачу хлора и извлекают пластину из реактора. Образец сначала осматривают, а Затем исследуют на металлографическом микроскопе. Подсчитывают число растравленных отверстий в окисной пленке в поле зрения °кУляра, а затем, определив площадь поля зрения при помощи объ-еКт-микрометра, рассчитывают плотность сквозных пор (см"2) в окис-Ле по формуле N = n/S, где п — количество пор в поле зрения оку-^P^jS — площадь поля зрения, см2.

Предыдущая << 1 .. 54 55 56 57 58 59 < 60 > 61 62 63 64 65 66 .. 81 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама