Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 2" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 1" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 12" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 11" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 10" (Журналы)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Промышленные производства -> Анохин В.3. -> "Практикум по химии и технологии полупроводников" -> 62

Практикум по химии и технологии полупроводников - Анохин В.3.

Анохин В.3., Гончаров Е. Г., Кострюкова Е. П., Маршакова Т. А. Практикум по химии и технологии полупроводников: учебное пособие — M.: «Высшая школа», 1978. — 191 c.
Скачать (прямая ссылка): poluprovodniki.djvu
Предыдущая << 1 .. 56 57 58 59 60 61 < 62 > 63 64 65 66 67 68 .. 81 >> Следующая


137

поверхностных состояний Nss по формулам (13.14) и (13.15). Снятие С — !/-кривой произвести в пяти ячейках пластины. Результаты усреднить.

На последней МОП-ячейке осуществляют термополевую обработку, для чего подают на металлический электрод положительное смещение +-30 В и под этим напряжением прогревают МОП-структуру на столике при 150° Gb течение 1 ч. Охлаждают структуру до комнатной температуры, не снимая напряжения, а затем строят С — !/-кривую после термополевой обработки. На основании величины сдвига С —V-кривой по сравнению с исходной экспериментальной делают выводы о стабильности заряда в окисле и вновь рассчитывают величины Qss

И ' Nss-

Определение электрической прочности. Установка для определения электрической прочности диэлектрических пленок состоит из универсального источника питания УИП-1 и предметного столика с манипулятором и подвижным верхним электродом, используемого при изучении С — !/-кривых. Провода от электродов подключают к клеммам 0-М00 в прибор УИП-1 (верхний электрод — к «+», нижний— к «—»). Тумблером «Сеть» включают прибор и дают ему прогреться в течение 5—10 мин. Тумблер «Вольтметр» устанавливают в левое положение, что соответствует диапазону постоянного напряжения 0—400 В. Верньер «0—400 В» ставят в нулевое (крайнее левое) положение, а переключатель диапазонов «0—200—400» — в положение «0—200». Опускают верхний электрод в выбранную ячейку МОП-структуры и, плавно поворачивая верньер «0—400 В», увеличивают напряжение.

Если в пределе 0—200 В пробой не наблюдается, то верньер выводят в нулевое положение, переключатель «0—200—400» устанавливают в положение «200—400» и вновь плавно увеличивают напряжение при помощи верньера. Регистрируют напряжение (?/пр), при котором наблюдается пробой структуры, сопровождающийся резким возрастанием тока. При этом необходимо немедленно вывести напряжение до нуля, повернув верньер «0—400 В» влево до упора. Для более точно/о определения Unp рекомендуется произвести измерения на нескольких ячейках МОП-структуры.

Для расчета электрической прочности необходимо знать толщину . пленки-SiO2, которую определяют или на контрольной пластине, окисляемой одновременно, или на исследуемой пластине после удаления алюминиевых металлоконтактов в царской водке (HNO3 + ЗНС1)-Электрическую прочность (В/см) определяют по формуле

E = ^np/rfsioE •

Форма отчета. Отчет по работе должен содержать: 1) описание установки термического окисления; 2) результаты кинетических исследований термического окисления во влажном

f / Ю3 I

кислороде в виде графиков й — /(т), \gd —lgr, v ='f(T), lgu = TI -f—\

с расчетом показателя степени в кинетическом уравнении d = #т" и энергии активации. Сделать вывод о характере процесса; 3) технолс

138

гический режим термического окисления в сухом кислороде для последующих физико-химических исследований; 4) описание установки анодного окисления, методики и режимов окисления. Графики кинетических зависимостей U = ;(т) при t = const и і = ;(т) при U = с= const в комбинированном режиме; 5) описание методики и результаты определения толщины термического и анодного окисла; 6) описание установки и методики определения пористости термического окисла. Результаты определения пористости; 7) описание установок, методики изучения С—V-характеристик МОП-структур и определения электрической прочности. Результаты оценки Qss, Nss и сУпр для термического и анодного окислов до и после термополевой обработки; 8) выводы по работе.

' Литература

N

Арсламбеков В. А., Казаринова И. Д., Горбунова K-M. Успехи химии, 1972, вып. 1, с. 64— 83.

Ефимов Е. А., Ерусалимчик И. Г. Электрохимия германия и кремния. M.—Л., Госхимиз^ат, 1963, с. 87—109.

^ Маслов А. А. Технология и конструкция полупроводниковых приборов. Энергия, 1970.

Мямлин В. А., Плесков "Ю. В. Электрохимия полупроводников. M-Л., Наука, 1965.

Новиков В.' В. Теоретические основы микроэлектроники. Высшая школа , 1972, с. 292—310.

Основы технологии кремниевых интегральных схем. Окисление, диффузия, эпитаксия. Под ред. Р. Бургера и Р. Донована. Мир, 1969, с. 45—181.

РАБОТА 14. ЭПИТАКСИАЛЬНОЕ НАРАЩИВАНИЕ

Процесс эпитаксии. Эпитаксиальным процессом называется получение монокристаллических полупроводниковых пленок на монокристаллической основе, когда растущая пленка ориентирована в том же кристаллографическом направлении, что и подложка.

Первоначальной стадией процесса является образование зародыша. Критерием устойчивости зародыша служит соотношение объемной и поверхностной свободной энергии. Для сферического зародыша минимальный радиус устойчивости определяется уравнением •

>kp = -(2y/AGV), "

где у —'удельная свободная поверхностная энергия; AGy — удельная свободная объемная энергия. Если радиус зародыша достигает гкр, зародыш жизнеспособен.

При выращивании эпитаксиалъных слоев кристаллизация значительно облегчается за счет влияния поверхности подложки. Свободную ^верхность кристалла считают одним из видов несовершенств. Де-Фектнссть совершенной {идеальной) поверхности заключается в том, что здесь нарушается непрерывность решетки. Идеальная поверхность подложки по сравнению с ее объемом обладает некоторым из-Ь!тКом свободной энергии. Она действует ориентирующим образом на ат°Мы, которые конденсируются из газовой фазы. Если же атомы дос-
Предыдущая << 1 .. 56 57 58 59 60 61 < 62 > 63 64 65 66 67 68 .. 81 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама