Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 2" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 1" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 12" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 11" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 10" (Журналы)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Промышленные производства -> Анохин В.3. -> "Практикум по химии и технологии полупроводников" -> 65

Практикум по химии и технологии полупроводников - Анохин В.3.

Анохин В.3., Гончаров Е. Г., Кострюкова Е. П., Маршакова Т. А. Практикум по химии и технологии полупроводников: учебное пособие — M.: «Высшая школа», 1978. — 191 c.
Скачать (прямая ссылка): poluprovodniki.djvu
Предыдущая << 1 .. 59 60 61 62 63 64 < 65 > 66 67 68 69 70 71 .. 81 >> Следующая


Определение толщины. Разработаны многочисленные методы определения толщины, но почти все они страдают теми или иными не- • достатками и находят ограниченное применение. Наиболее распро-странен метод изготовления косого шлифа с последующим окрашива;. нием. Однако он позволяет определять толщину или n-пленки на р-подложке, или наоборот. Для структуры типа п-п+ или р-р+ данный ме-. тод неприменим, так как не выявляется граница между пленкой и подложкой.

Существует модифицированный метод косого шлжра, позволяю-.. Щий определять толщину эпитаксиальных слоев с различными структурами: р-п, р-р+, п-п+. В нем используется различие скоростей электролитического осаждения меди на областях с различным удельным !^противлением независимо от типа проводимости данной области. 1очность этого метода зависит от точности измерения ширины выяв-" лунной на шлифе полосы и от точности измерения угла косого шлифа. ^Уммарная погрешность составляет 5—10%.

Толщину эпитаксиальной пленки можно определить методом Дэша, ^°рьш использует свойства дефектов упаковки в ней. На поверхности) выращенной пленки наблюдаются характерные фигуры роста"

143

в виде равносторонних треугольников, прямых линий и более сложны^ скоплений этих фигур. Такие фигуры роста зарождаются на поверх, ности раздела подложка—пленка и имеют строго одинаковые размеры. Длина прямых линий или сторон треугольных фигур дает непосред! ственно толщину пленки. Для плоскости (111) подложки толщина эпитаксиальной пленки равна 0,816 й, где d —длина стороны равно-стороннего треугольника, являющегося основанием правильного тетраэдра, вершина которого находится на подложке (рис. 87).

Имеется, хорошее соответствие между толщиной пленки, измеренной по фигурам роста, и методом косого шлифа. Это соответствие огра.

ничено точностью измерения размера фигур и ширині: окрашенного слоя шлифованного образца. При измерении по методу Дзіла необходимо учитывать только самые большие фигуры роста, так как дефекты, соответствующие меньшим фигурам, могут зарождаться иногда уже после начала роста пленки.

iL

Пленка

Подлокка

Рис. 87. Определение толщины эпитакси-ального слоя по размерам дефекта упаковки (метод Дэша)

Наиболее точную оценку толщины эпитаксиальной пленки дает инфракрасный интерференционный метод, одно из преимуществ которого заключается в том, что он не разрушает пленку, требует мало времени для измерения и наиболее удобен для экспресс-контроля толщины. Интерференционные полосы наблюдаются, если имеются различия . между оптическими свойствами эпитаксиально выращенной пленки и подложки. Чтобы получить отраженные интерференционные полосы, необходимо выполнить ряд условий: 1) слой должен быть прозрачным в заданной спектральной области; 2) подложка, на которой осажден слой, должна иметь диэлектрическую постоянную, отличную от диэлектрической постоянной слоя (различные коэффициенты преломления в данной спектральной области).

Первое условие легко выполнимо для кремния в инфракрасной области. При больших концентрациях носителей диэлектрическая постоянная полу-¦ проводников в инфракрасной области является функцией концентрации носителей. Поэтому данным методом легко можно определять толщину пленки на подложке с малым удельным сопротивлением, даже если пленка и подложка имеют один и тот же тип проводимости. Интерференционный метод дает точность +5%; однако его-трудно применять, если толщина пленки неравномерна.

Такие методы, как непосредственное измерение толщины пластины микрометром или взвешиванием образца до и после выращивания, не дают необходимой точности, так как процесс роста наблюдается и на обратной стороне подложки. Эти методы можно применять-лишь для очень грубой приближенной оценки толщины слоев.

Измерение электрических параметров. Электрические пара-метры эпитаксиальных пленок в принципе можно определять обычными методами. В настоящее время разработаны методы определения электрофизических параметров специально для тонких монокристаллических пленок.

Тип проводимости определяется обычными методами-термозондом и осциллографическим наблюдением вольт-амперных хя* рактеристик.

144

Удельное сопротивление можно измерить стандартным методом четырехточечного зонда лишь на эпитаксиальных слоях, выращенных на подложках с противоположным типом проводимости. На подложку подается смещение, запирающее р—n-переход на границе между подложкой и пленкой. Четырехточечный зонд можно также применять для толстых пленок любого типа проводимости после полного удаления подложки шлифовкой и односторонним травлением в малом количестве азотной и плавиковой кислот. Этот процесс весьма трудоемок и, кроме того, разрушает структуру, полученную после выращивания пленки.

Экспериментальная часть

Задание. 1. Осуществить автоэпитаксиальное наращивание германия методом диспропорционирования субиодида в замкнутой системе. 2. На полученных образцах исследовать микроструктуру и произвести измерение толщины.

Оборудование и материалы

Оборудование: трубчатая двухтемпературная печь сопротивления, обеспечивающая нагрев зон до 450 и 600°С; кварцевая ампула длиной 20—25 см с внешним диаметром 25 мм и толщиной стенок 1,5—2 мм; установка для откачки и отпайки ампул; две ХА-термопары; приспособление для изготовления косого шлифа; металлографический микроскоп (МИМ-7, МИМ-8); фторопластовый стакан и пинцет с фторопластовыми наконечниками.
Предыдущая << 1 .. 59 60 61 62 63 64 < 65 > 66 67 68 69 70 71 .. 81 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама