Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 2" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 1" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 12" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 11" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 10" (Журналы)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Промышленные производства -> Анохин В.3. -> "Практикум по химии и технологии полупроводников" -> 67

Практикум по химии и технологии полупроводников - Анохин В.3.

Анохин В.3., Гончаров Е. Г., Кострюкова Е. П., Маршакова Т. А. Практикум по химии и технологии полупроводников: учебное пособие — M.: «Высшая школа», 1978. — 191 c.
Скачать (прямая ссылка): poluprovodniki.djvu
Предыдущая << 1 .. 61 62 63 64 65 66 < 67 > 68 69 70 71 72 73 .. 81 >> Следующая


660°С

GeI4 + Ge (источник) -*• 2GeI2

Таким образом, в ампуле возникают два противоположно направленных

потока, обусловленных соответствующими градиентами ssO'C _ ,W0C

концентраций: GeI4 —от холодной зоны к горячей,

Рої - ' -«SSfeK Уганды

«OeI2 — от горячен ЗОНЫ K 7«Ї2Ь- -

Холодной (рис. 90). В данном п-йе(истошк) р-&(тдлома)

процессе используется обра- Рис 90 Распределение потоков газо.

ТИМОСТЬ реакции диспропор- образных компонентов при газотран-Ционирования спортной реакции 2GeI2** Ge+GeI4

400°

Которая в прямом направлении экзотермична, а в обратном —эндо-термична. Поэтому повышение температуры смещает равновесие влево, а понижение — вправо. Донорная примесь, содержащаяся в источни-

147

ке, вместе с субиодидом переносится вхолодную зону и там внедряется в растущую пленку. Таким образом,' на подложке р-тнпа получаете^ пленка п-типа.

В указанных температурных условиях и при данной объемной кон-1 центрацин пара иода ( ~ 4,5 мг/см3) скорость эпитаксиального роста германия составляет примерно 8 мкм/ч. После выхода на режим процесс проводят в течение 3 ч. За это времятолщина эпитаксиальной пленки достигает 20—25 мкм. По окончании процесса сначала выключают горячую зону, а затем, когда зона источника охладится до 150—200° С, выдвигают шаровидную часть ампулы из печи, чтобы весь иод сконденсировался в шарике. Выключают холодную зону; после охлаждения извлекают ампулу из печи и вскрывают (под тягой). На полученном образце проводят дальнейшие исследования.

Изучение свойств полученной пленки. Извлеченную из ампулы подложку с пленкой промывают в спирте (для удаления возможного конденсата иода) и взвешивают на аналитических весах. По разности массы полученной структуры и исходной подложки определяют толщину пленки по формуле

h = (5 • 103AP)/7S,

где А — толщина пленки, мкм; AP — изменение массы подложки, г; у — плотность германия, г/см3; S—площадь подложки, см2. При помощи коэффициента 5-103 учитывается, что эпигаксиальная пленка наращивается с обеих сторон подложки, а также осуществляется перевод толщины из сантиметров в микрометры. Наращиванием по торцам пластины пренебрегают.

Более точное определение толщины пленки производят методом косого шлифа. Для этого из пластины, подлежащей исследованию, вырезают полоску (5 X 10 мм) при помощи линейки и корундовой иглы. Полученный. образец приклеивают пицеином к косой* площадке 3 оправки 2 приспособления для изготовления косого шлифа (рис. 91). Угол среза площадки 3 должен. быть точно из| - вестным. Его величина меняется пределах 5—10° в зависимости от предполагаемой толщин'^ пленки (чем больше толщина, тем больше должен быть уго среза; однако при увеличении угла уменьшается точность определения). Затем оправку с образцом 4 вставляют во втулку / и сошлифовывают необходимое количество материала. Шлифование производят вручную, вращательными движениями приспособления по толстому зеркальному стеклу, на которое предварительно нанесена водная суспензия микропорошка карбида кремния М10. После из-

Вид- снизу

Рис. 91. Приспособление для изготовления косого шлифа

148

готовлений косого шлифа образец, не отклеивая от оправки, промывают дистиллированной водой, и шлиф протирают спиртом. На шлифованную поверхность пипеткой наносят каплю насыщенного раствора CuSO4. При выявлении р—n-перехода используют различную скорость осаждения меди на германии п- и р-типа*. Осаждение меди проводят в течение 0,5—2 мин. Процесс заканчивают при появлении четкой границы между п- и р-областями' на шлифе. Затем шлиф промывают водой, спиртом и высушивают.

1 /'

Пленка А (п-ве)





Подложка (P-Ge)


Рис. 92. Схема определения толщины эпита-ксиального слоя мето-. дом косого шлифа

Рис. 93. Приспособление для изготовления"косого шлифа на предметном столике микроскопа

Сечение косого шлифа представлено на рис. 92. Толщину эпитак-сиального слоя h определяют исходя из расстояния d от поверхности пленки до р—n-перехода вдоль косого шлифа или расстояния /, представляющего проекцию d на поверхность исходной пластины: h = = dsina = /tga, где a — угол среза.

Выбор способа расчета зависит от направления оптической оси .объектива. Если ось направлена перпендикулярно плоскости косого шлифа (направление /), то в поле зрения измеряют расстояние d и расчет ведут по формуле h = dsina.

Если же наблюдение ведут перпендикулярно поверхности эпитак-сиальной пленки (направление 2), то измеряют величину / и для расчета толщины пленки пользуются формулой h = /tga.

При измерении толщины приспособление для изготовления косого шлифа помещают на предварительно поднятый предметный столик 4- металлографического микроскопа (МИМ-7, МИМ-8) (рис. 93). На столик предварительно устанавливают вкладыш 3 с максимальным диаметром отверстия (28 мм). При этом оправка 2 с образцом 5 опускается в отверстие вкладыша до упора в верхний край втулки /. При этом способе наблюдения оптическая ось объектива 6 перпендикулярна по-верхности косого шлифа. Увеличение микроскопа выбирают таким °бразом, чтобы длина d помещалась в поле матового стекла камеры для фотографирования. Измерение длины производят при помощи ли-
Предыдущая << 1 .. 61 62 63 64 65 66 < 67 > 68 69 70 71 72 73 .. 81 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама