Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 2" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 1" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 12" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 11" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 10" (Журналы)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Промышленные производства -> Анохин В.3. -> "Практикум по химии и технологии полупроводников" -> 68

Практикум по химии и технологии полупроводников - Анохин В.3.

Анохин В.3., Гончаров Е. Г., Кострюкова Е. П., Маршакова Т. А. Практикум по химии и технологии полупроводников: учебное пособие — M.: «Высшая школа», 1978. — 191 c.
Скачать (прямая ссылка): poluprovodniki.djvu
Предыдущая << 1 .. 62 63 64 65 66 67 < 68 > 69 70 71 72 73 74 .. 81 >> Следующая


* Эффект декорирования р—и-перехода обусловлен тем, что восстановле-вие Cu2*, при котором потребляются электроны, протекает интенсивнее на .п-

обла.

сти германия, где концентрация электронов выше.

149

нейки, нанесенной на матовое стекло. Цену деления этой линейки определяют при помощи объект-мйкрометра, прилагаемого к микро-скопу.

На оставшейся после определения толщины пленки части образца проводят микроструктурные исследования. Предварительно поверхность эпитаксиальной пленки обезжиривают спиртом. При различных увеличениях микроскопа сначала изучают особенности микро-структуры пленки, не прибегая к травлению. При этом возможно наблюдение террасообразной структуры, несовершенств, обусловленных включениями и нерегулярностью роста. Наиболее характерные детали поверхности рекомендуется сфотографировать. Затем поверхность пленки подвергают селективному травлению для выявления дефектов упаковки и дислокаций. Составы травителей и методика травления приведены в работе 12. На эпитаксиальной пленке предлагается определить плотность дефектов упаковки [светлые плоские треугольники при ориентации (111)] и дислокаций (темные треугольные ямки травления)(см. работу 12).

Форма отчета. Отчет о работе должен содержать: 1) описание принципа эпитаксиального осаждения германия методом диспропорционирования субиодида;2) принципиальную схему установки и технологический режим процесса; 3) данные по определению толщины эпитаксиальной пленки; 4) описание характерных особенностей микроструктуры и микрофотографии; 5) результаты определения плотности дефектов упаковки и дислокаций в виде таблицы; 6) выводы по работе.

Литература

M а ело в A.A. Технология и конструкции полупроводниковых приборов. Энергия, 1970, с. 77—103.

Основы технологии кремниевых интегральных схем. Окисление, диффузия, эпитаксия. Под ред. Р. Бургера, Р. Донована, Мир, 1969, с. 335—448.

Процессы роста и выращивания монокристаллов. Под ред. Н. Н. Шефталя, ИЛ, 1963, с. 220—229, щ 459—47-1.

РАБОТА 15. ДИФФУЗИЯ ПРИМЕСЕЙ В КРЕМНИИ If

' ¦ * ¦ 'u

Диффузия примесей в монокристаллический материал является одной из основных технологических операций при создании полупроводниковых приборов. При помощи диффузии формируются области с определенным типом проводимости и градиентом концентрации в различных участках пластины полупроводникового материала, создаются диодные и транзисторные структуры, резисторы и прочие элементы интегральных схем.

Математическое описание процессов диффузии. Диффузия атомов, в твердом теле представляет собой один из процессов направленного перемещения вещества и энергии. К ним, в частности,,.относятся процессы электро- и теплопроводности. Если последние два процесса связаны лишь с перемещением зарядов и энергии, то при диффузии атомов в твердом теле наблюдается направленное перемещение вещества. Все три процесса описываются однотипными уравнениями: поток

150

(электронов, дырок, ионов, тепла, диффундирующих .атомов) прямо пропорционален градиенту параметра, определяющего основные условия процесса:-

dU df , ' dN

'—виг- '--«тт.* /=-DV (151>

где dU/dx, dT/dx, dN/dx — соответственно градиенты потенциала, температуры и концентрации; а — удельная электропроводность; ,!--удельная теплопроводность; D — коэффициент диффузии; / — поток электронов; q — тепловой поток;/ — поток диффундирующих атомов. Отрицательные знаки в правой части уравнений (15.1) указывают направление процесса в сторону уменьшения параметра. Таким образом, коэффициент диффузии представляет собой «удельное количество» диффундирующих атомов. Закономерности (15.1) имеют не только близкий смысл, но и однотипные ограничения. При очень больших градиентах потенциала, температуры и концентрации указанные соотношения неприменимы. Кроме того, а, х и D не являются константами, а зависят от многих факторов, основной из которых — температура. Эта зависимость имеет вид

E E

' kT kT

о = о0е , D~D0e И т. П., (15.2)

где E — энергия активации соответствующего процесса.

Вывод выражений для законов диффузии можно осуществить путем, который помимо чисто математической картины вскрывает некоторые особенности механизма этого явления. Диффузионные процессы представляют собой комбинцию трех видов миграции атомов: одномерная (миграция по цепочкам атомов), двумерная (поверхностная) и миграция в пространстве. На рис. 94 представлено перемещение атома-диффузанта по поверхности и в объеме кристалла с использованием элементарных скачков в соответствующих атомных цепочках. Перемещение атома-диффузанта вдоль цепочки атомов с межатомным расстоянием а равносильно одновременному его перемещению по атомным цепочкам с межатомными расстояниями а и G1: a = (a2 + C12)1/2. Положение не меняется, если принять к сведению другой механизм Диффузии (вакансионный, по междоузлиям и т. д.). Скорость диффузионного смещения атом^а-дио^фузанта в направлении а равняется v =

¦=? nah, где па — путь диффундирующего атома в единицах межатомных расстояний; т — время перемещения.
Предыдущая << 1 .. 62 63 64 65 66 67 < 68 > 69 70 71 72 73 74 .. 81 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама