Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 2" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 1" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 12" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 11" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 10" (Журналы)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Промышленные производства -> Анохин В.3. -> "Практикум по химии и технологии полупроводников" -> 73

Практикум по химии и технологии полупроводников - Анохин В.3.

Анохин В.3., Гончаров Е. Г., Кострюкова Е. П., Маршакова Т. А. Практикум по химии и технологии полупроводников: учебное пособие — M.: «Высшая школа», 1978. — 191 c.
Скачать (прямая ссылка): poluprovodniki.djvu
Предыдущая << 1 .. 67 68 69 70 71 72 < 73 > 74 75 76 77 78 79 .. 81 >> Следующая


Технологический режим разгонки бора. Дисрфузионную печь разогревают до 1200 ± 1" С при потоке кислорода через барботер с кипящей водой 3—4 пузырька в секунду (расход кислорода 11 — 14 л/ч). Промытую спиртом и высушенную пластину кремния помещают на выступы второго (чистого) держателя рабочей стороной в. в е р х. Пластину вдвигают в рабочую зону постепенно, выдержав ее предварительно в зоне низкой температуры в течение 5 мин. Закрывают камеру шлифом, корректируют расход кислорода и проводят «разгонку» в течение 1 ч. При этом в окислительной атмосфере на поверхности пластины образуется слой боросиликатного стекла, который играет роль отражательной границы. Происходит дальнейшая Диффузия бора в кремний из сформированного на первой стадии диффузии тонкого диффузионного слоя с высокой поверхностной концентрацией бора. Граница диффузионного слоя продвигается в глубь кРисталла. Окончательное положение р—n-.перехода определяется вре: менем диг}хрузии при разгонке. По окончании процесса пластину постепенно выдвигают из рабочей зоны. Поверхностный слой боросиликатного стекла стравливают в плавиковой кислоте. После промывки и сУшки пластины приступают к изучению диффузионного слоя.

Расчет параметров диффузионных слоев. Измерение поверх-Ушного сопротивления проводят в пяти точках в средней части

6-^12 • 161

то воо two mo mo t,'c

пластины и определяют среднее арифметическое. Расчет Rs осуществляют по формуле

Ux я Ux

RS-t IrTi =4.53-77' 05.14)

где Ux —напряжение, измеряемое на потенциальных зондах, мВ; Ix—ток через образец, мА. Формула (15.14), не учитывающая расстояние между зондами, пригодна для бесконечного слоя.

Для упрощения расчетов рекомендуется установить рабочий ток 4,53 мА. Тогда поверхностное сопротивление будет численно равно падению напряжения на потенциальных зондах: JjRs |(Ом) = \UX\ (мВ). Для определения фоновой концентрации доноров в исходной пластине кремния «-типа используют график рис. 1 приложения, принимая во внимание, что в данном случае Rs является мерой удельного сопротивления кремния, поскольку примесь распределена в исходном материале равномерно. Определенная таким образом концентрация доноров Л/д необходима в дальнейшем для расчета глубины залегания р—«-перехода.

Измеряя поверхностное сопротивление после загонки бора, опре-' деляют его поверхностную концентрацию N0 и общее количество акцептора Q в тонком диффузионном слое. Поскольку при загонке диффузия идет из бесконечного источника в течение небольшого промежутка времени, то толщина этого слоя принимается равной h « 5,4 j/D-c. Зависимость коэффициента диффузии бора от температуры, описываемая уравнением

85000^

0,6 0,65 0,7 0,75 0,6 ID3IlK

Рис. 104. Зависимость коэффициента диффузии бора в ^кремнии от температуры

10,5ехр

RT )'

приведена на рис. 104. Зная величины Rs и h при загонке, определяют среднюю проводимость слоя по формуле

1

Rsh

По рис. 105 (или см. рис. 5 приложения) определяют соответствуй щую поверхностную концентрацию бора N0*. Текущую координат)

* Строго говоря, истинная поверхностная концентрация раина сумме к<# цёнтрации электрически активного бора, определенной по Rs (в предположи"1

162

X в определении о = ——- принимают равной нулю, что со-

Rs {Xj-X)

ответствует поверхности. Тогда xjt определяющая координату р—я-перехода, равна толщине диффузионного слоя Л. При этом усло-вИи поверхностную концентрацию N0 определяют (рис. Ю5) по кривой

Рис. 105. Зависимость поверхностной концентрации от средней проводимости слоев р-типа в кремнии с фоновой концентрацией доно- .. ров Сф = 1 • 1015" см-3 при erfc-распределении

с параметром xlx} = 0. Изменяя х в пределах от 0 (поверхность) до х1 (р—п-переход) и рассчитывая соответствующие значения о и парамет-Ра xlxj, по рис. 105 определяют концентрацию примеси на любом рас-^ЗДнии от поверхности при erfc-распределении. Строят график N = ^Hx) в полулогарифмических координатах. По соотношению (15.9)

Л°Лн°й ионизации), н количества бора, пошедшего на компенсацию фоновой до-в Рной прнмеси. Однако последняя величина на несколько порядков меньше ею можно пренебречь.

определяют общее количество бора N0, внедренного в кремний при загонке.

По полученным данным рассчитывают глубину залегания р—п-пе-рехода при «разгонке», используя соотношение (15.8), в предположении, что этот процесс представляет собой диффузию из ограниченного

источника (Q) с отражающей границей (окисел) в полуограниченное тело (пластина). При этом на границе р- и п-областей концентрация акцепторов [N(x, т) ] должна равнять-ся фоновой концентрации донора в исходном кремнии (рис. 106). Рассчитанную по выражению (15.8) глубину залегания р—«-перехода сравнивают с экспериментально определенной методом косого шлифа (см. ниже). По соотношению (15.8) также рассчитывают диффузионный профиль бора в кремнии N(x) при фиксированном времени разгонки (1 ч) через 0,25 мкм. Строят график в координатах N(x) (см"а) — х(мкм). Масштаб по оси концентрации —логарифмический.
Предыдущая << 1 .. 67 68 69 70 71 72 < 73 > 74 75 76 77 78 79 .. 81 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама