Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 2" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 1" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 12" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 11" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 10" (Журналы)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Промышленные производства -> Анохин В.3. -> "Практикум по химии и технологии полупроводников" -> 76

Практикум по химии и технологии полупроводников - Анохин В.3.

Анохин В.3., Гончаров Е. Г., Кострюкова Е. П., Маршакова Т. А. Практикум по химии и технологии полупроводников: учебное пособие — M.: «Высшая школа», 1978. — 191 c.
Скачать (прямая ссылка): poluprovodniki.djvu
Предыдущая << 1 .. 70 71 72 73 74 75 < 76 > 77 78 79 80 .. 81 >> Следующая


На график (в одном масштабе) наносят экспериментальную и выбранную' теоретическую С—У-кривые. Проводят прямую, параллельную оси абсцисс, через точку пересечения теоретической С—У-кривой с осью ординат (при V = О—

.кА.на,с*-з

в

г

є k

в k

2

W'6

Є 4>

2

W'5 Є

2

10*

В

k

г




I I










I I










I I







Л


і j







\
>



1











!







\




I 1






\










































































































\



























































































\











\



















































-















































































































































































Ю'г Z 5 W 2 5 12 5 W 2Q 50 100

р,Ом-СМ ¦

Рнс. I. Связь между сопротивлением кремния я- и р-тн» па и концентрацией примеси

условие плоских зон). Сдвиг экспериментальной кривой относительно теоретической вдоль этой прямой и определяет величину LVfb .

При помощи рис. 3 величину Al^FB можно определить -более простым способом. Например, из рис. 3 находим, что для пленки SiOs толщиной 2000 Д на кремнии с концентрацией носителей 5-1016 см-8 величина С/Со, отвечающая условию плоских зон, равна 0.9. Построив экспериментальную С—К-кривую, проводят через точку С/Со = 0,9 прямую, параллельную оси абсцисс. Смещение экспериментальной С—^-кривой относительно оси ординат вдоль этой прямой И определяет величину AVfB .

Примечание. Чтобы использовать приведенные теоретические С—У-кривые Для подложки р-типа, достаточно изменить знаки по оси напряжений.

17J

іог г з <* є в w3 г з * в в о г

Рис. 3. Зависимость относительной емкости Cl Со, соответствующей плоским зонам теоретической С— У-кривой, от толщины окисла

исходные данные для расчета параметров диффузионных слоев

На рис. 4 представлен диффузионный чениями. На рис. 5 графически представл вия концентрации примеси в диффуэиоинс Для выбора требуемого графика из серии рис. 5 необходимо знать фоновую концентрацию примеси в исходной пластине, которую определяют по удельному сопротивлению кремния и рис. 1 приложения. Пример использования графиков распределения приведен в работе 15.

Рис. 4. Профиль диффузионного слоя в кремнии (подповерхностный слой Xj—ж заштрихован): —поверхностная концентрация диффузионной примеси; Сф— фонова» концентрация примеси в объеме материала; х — глубина подповерхностного слоя на которой определяется R ; JtJ—глубина залегания р—л-перехода

эофиль с соответствующими обозна-ы результаты расчета распределе-слое р-типа в erfc-прнближенли.

рис. 5. Зависимость поверхностной концентрации от средней электропроводности слоев р-типа в кремнии n-типа при диффузии из бесконечного источника

(erfc-распределение): поверхностное сопротивление на глубине я; о — средняя электропроводность слоя толщиной J(J-XjJ(ZXy = O-IK)BePXHOCTb; xj»j=l (не обозначено)—р—л-переход

179

XfXj* Df O1S DP O1B 0,S D,k g,J 0,t D1I D

Цедит проводимость слов 6=-^^.-x)'0*r>-c»r

Рис. 5. Продолжение

180

181

Поверхностная концентрация Cs.cnr''

3 •в

!

ев

Зависимость э. д. с. термопары от температуры (°С) Хромель — алюмель

абс. мВ

—50 —40

—30 . -20 -10' 0..(-)

0(+) 10 20

30

40

50

60 . 70

80

90 100 ПО .120 130 140 150 160 %170 180 190 ¦ 200 210 220

-1,86 -1,50 -1,14 -0,77 -0,39

0

0

0,40

0,80 1,20 1,61 2,02 2,43 2,85 3,26 3,68 4,10 4,51 4,92 5,33 5,73 6,13 6,53 6,93 7,33 7,73 8,13 8,53 8,93

-1,54 -1,18 -0,81 -0,43 -0,04 0,04 0,44 0,84 1,24 1,65 2,06 2,47 2,89 3,30 3,72 4,14 4,55 4,96 5,37 5,77 6,17 6,57 6,97 7,37 7,77 8,17 8,57 8,97

-1,57 -1,21 -0,84 -0,47 -0,08 0,08 0,48 0,88 1,28 1,69 2,10 2,51 2,93 3,34 3,76 4,18 4,59 5,00 5,41 5,81 6,21 6,61 7,01 7,41 7,81 8,21 8,61 9,01

Предыдущая << 1 .. 70 71 72 73 74 75 < 76 > 77 78 79 80 .. 81 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама