Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 2" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 1" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 12" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 11" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 10" (Журналы)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Промышленные производства -> Баскаков А.П. -> "Расчеты аппаратов кипящего слоя" -> 164

Расчеты аппаратов кипящего слоя - Баскаков А.П.

Баскаков А.П., Лучевский Б.П., Мухленов И.П., Ойгенблик А.А. Расчеты аппаратов кипящего слоя — Л.: Химия , 1986. — 352 c.
Скачать (прямая ссылка): raschetiapparatovkipyashegosloya1986.djvu
Предыдущая << 1 .. 158 159 160 161 162 163 < 164 > 165 166 167 168 169 170 .. 178 >> Следующая

II
III
IV
Отвод или подача теплоты че
рез стенку
KnnFвн (t ^вн) >0 <0 0
<0 0
'-t, 0 0 0 >0
>0 <0
с, --- --- - с с
с
--- --- --- t t
t
324
теплоемкостиСкидкой п^од^кт5 пост°о"ой <И пмтоя^^не(tm)!' висят от
изменен^, U I*** "У
чая), наличия приМРГрй и L "пниентрации растворенного
вещества, влажности и т' п^ляя^азов теплоемкость принимается аддитивной
по компонентам'^ не изменяющейся при прохождении газа теплоносителя через
КС (процессы по типу II, III, IV), энтальпия паров растворителя равна
сумме теплот, затрачиваемых на нагрев жидкой фазы до температуры выхода
из слоя (кристал-лизатора-гранулятора) и теплоты испарения.
Для инженерных расчетов сделанные допущения не вносят су-* щественных
искажений. Для более точного расчета можно исполь-зовать метод
последовательных приближений. Разность темпера* туры отходящих потоков и
средней температуры слоя при псевдо-ожижении газом обычно не превышает
10-20 °С, за исключением процессов при низкой температуре в слое и при
малой его высоте. При расчетах кристаллизации по типу I разностью
температуры слоя и отходящих потоков обычно можно пренебречь.
Подсосы и потери газа уравнениями (6.17) - (6.21) не учитываются.
При использовании уравнений (6.17) -(6.21) следует принимать во
внимание приводимые в табл. 6.4 значения отдельных слагаемых и
параметров, зависящих от типа процесса, способа создания пересыщения и
др.
Пример 6.3 (расчет нужного количества газа-теплоносителя по типу II).
В стационарном процессе по типу II происходит на инертных частицах
кристаллизация 10 м3/ч раствора с начальной концентрацией Ci = 20 кг/м3
растворенного вещества. Кристаллический продукт не образует
кристаллогидратов и удаляется с уносом. Температура в слое t - 120 °С,
начальная температура газа-теплоносителя 250°С. Теплотой кристаллизации,
тепловыми потерями через стенки аппарата и разностью температур отходящих
газов и слоя пренебрегаем. Теплоемкость кристаллического продукта 0,84
кДж/(кг-К), теплоемкость газа-теплоносителя 1,11 кДж/(кг-К) при плотности
1,29 кг/м3. Теплотой, вносимой раствором, пренебрегаем. Расход газа-
теплоносителя:
-,газ 10(20-0,84-120 + 1000. 640) _
V " 1,29 *1,11 (250 - 120) -347-10 м/ч.
6.2. УСТОЙЧИВОСТЬ РАСТВОРОВ И СУСПЕНЗИЙ,
ПРЕДЕЛЬНЫЕ ПЕРЕСЫЩЕНИЯ
Чистый (не содержащий кристаллов растворенного вещества или инородных
твердых примесей, пылинок и т. п.) раствор устойчив до избыточной
концентрации Скр - Ср, зависящей от химического состава раствора, внешних
воздействий (механические, звуковые и другие импульсы, скорость и способ
создания пересыщения, наличие растворенных газов и т. д.). В растворах,
содержащих мелкие кристаллики или примеси, кристаллизация начинается при
значительно меньшем пересыщении (СкР - Ср) < (Скр - Ср), где CKJp, Скр -
критические концентрации гомогенной и гетерогенной нуклеации
(зародышеобразования). Для всех технологических про-
325
Рис. 6.4. Схема изогидрической массовой кристаллизации в периодическом
режиме:
/ - начальные условия; 2-точка начала кристаллизации; 3 -точка окончания
кристаллизации.
дессов должно быть обеспечено отсутствие зародышеобразования во всех
аппаратах и коммуникациях кроме кристаллизатора-грану-лятора. В процессе
по типу II при подаче раствора на поверхность слоя взвешенных гранул или
инертных частиц доступимо зароды-шеобразование в каплях раствора во время
их падения в над-слоевом пространстве кристаллизатора-гранулятора. Как
правило, зародышеобразование должно происходить непосредственно в КС.
Критическое пересыщение связано с запаздыванием начала
кристаллизации по сравнению с моментом образования пересыщенного раствора
(период индукции) [4]. Общепринятого определения понятия "период
индукции" до настоящего времени нет. Взаимосвязь СКр-Ср с периодом
индукции тИНд и скоростью создания пересыщения в периодическом процессе
изогидрической (т. е. по-литермической с неизменным количеством
растворителя) кристаллизации (при охлаждении раствора) показана на рис.
6.4. В первом квадранте процесс изображен в координатах концентрация С -
температура t и нанесены примерно параллельные зависимости СКр и Ср от
температуры. В том же квадранте приведена рабочая линия процесса - от
Предыдущая << 1 .. 158 159 160 161 162 163 < 164 > 165 166 167 168 169 170 .. 178 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама