Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 2" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 1" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 12" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 11" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 10" (Журналы)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Промышленные производства -> Баскаков А.П. -> "Расчеты аппаратов кипящего слоя" -> 168

Расчеты аппаратов кипящего слоя - Баскаков А.П.

Баскаков А.П., Лучевский Б.П., Мухленов И.П., Ойгенблик А.А. Расчеты аппаратов кипящего слоя — Л.: Химия , 1986. — 352 c.
Скачать (прямая ссылка): raschetiapparatovkipyashegosloya1986.djvu
Предыдущая << 1 .. 162 163 164 165 166 167 < 168 > 169 170 171 172 173 174 .. 178 >> Следующая

отсутствует.
Рост кристаллов и гранул происходит путем массообмена с жидкой фазой -
раствором (кристаллизация) и агломерации (сростания) уже имеющихся
кристаллов и гранул. Общую скорость линейного роста (увеличения линейного
размера) кристаллов и гранул можно рассчитать по полуэмпирическому
уравнению [13]:
% - d (d)/dx " К ACndm (6.37)
Коэффициент К учитывает сопротивление процессу при доставке
растворенного вещества к поверхности растущего кристалла (точке роста),
сорбции этого вещества на поверхности, построении кристаллической
решетки. При агломерации процесс можно рассматривать как формально
аналогичный прямому межфазовому переносу и описывать уравнением (6.37); в
этом случае коэффициент К зависит от концентрации твердых частиц,
гидродинамики и других факторов. Размерность К будет различной в
зависимости от значений показателей степени пит. При отсутствии
агломерации и линейной зависимости скорости линейного роста от
пересыщения (п = 1) /С = [/С^1 + (<5рт)D~l\ , где КР - константа скорости
построения кристаллической решетки - сорбции растворенного вещества из
области непосредственно вблизи растущей по-
332
верхности. В предельном случае, когда скорость сорбции и построения
кристаллической решетки очень мала по сравнению со скоростью диффузии,
концентрация растворенного вещества у растущей поверхности становится
равной средней концентрации С в растворе и К " /Ср. В этом случае
К " Кр дCdm (6.37а)
В противоположном предельном случае, когда скорость диффузии
(молекулярной или эффективной при турбулентном перемешивании) мала по
сравнению со скоростью сорбции (скоростью построения кристаллической
решетки), /( " Z)/(6pT); Я,"
" DAC-(pTd), где б - толщина ламинарного слоя, приближенно принимаемая
[13] равной линейному размеру, т. е. б " d. Для приближенных расчетов
можно принять D " 10-9 м2/с.
При диффузионном режиме скорость линейного роста линейно зависит от
пересыщения (п = 1).
Необходимым условием стационарности является постоянство числа
кристаллов (гранул) в слое. При процессе по типу I это означает, что
число отводимых с суспензией кристаллов должно быть равно числу
кристаллов, возникающих по всем механизмам. Общее выражение для скорости
зародышеобразования в растворе [13]:
d N п п r л
СО = " 0! + ? <ot " KNl дса + ? KN2 ДСРг'+! (1 - efi+l Re ж (6.38)
2 2
Величина coi - скорость гомогенного зародышеобразования (нуклеации);
сог, ..., (c)н-ь ..., - скорости гетерогенного
(и вторичного) зародышеобразования по всем механизмам:
"> Р/ + 1- Р* + 2.Рге
В первом приближении
Y/+1"1; в, + 1"0-М (6.39)
В стационарном процессе на скорость зародышеобразования в большей,
чем среднее пересыщение, степени влияет разность концентраций и
равновесных концентраций в аппарате и поступающем свежем (циркулирующем)
потоке. Существенно влияют также условия на поверхности раствора (в
испарителе, при пульсациях этой поверхности и др.), pH раствора, примеси
(особенно примеси поверхностно-активных веществ).
Размер кристаллов в КС определяется гидродинамикой процесса согласно
(6.9), при этом выполняются следующие условия:
N = Af/ДртФd3) (6.40) dmin " V 18ayp*v/[g- (рт - Рж)1
(6.41)
Оценка нужного объема слоя при кристаллизации по типу 1 может быть
выполнена с использованием уравнения (6.41). Для того чтобы 90-95 %
кристаллов могли бы "дорасти" до размера, определенного по (6.41) в
приближении идеального перемешивания
333
по твердым частицам, необходимо
0,05 ч- 0,10 " 1 - ехр Г-(6.42)
*4 Рт (1 -8) Ясл5 J
где, при заданной производительности среднее время пребывания
Тк " _ 0.. ?) ^сл^Рт ln (0>90 0 95)
(&43)
м
Отсюда объем слоя;
//"S ----НЗЙ _ л/
(6.44)
(1 - 8)рт/(ДС V ё (Рт - Рж)
Здесь коэффициент скорости кристаллизации:
К = д/ |.8а,РжГ
(6.45)
ДСт,, V Я (Рт Рж)
6.4.1. Кинетика кристаллизации по типу II. При процессе по типу II
подаваемый в ,аппарат раствор или суспензия в виде отдельных капель
распределяется по поверхности взвешенных газом-теплоносителем горячих
твердых частиц. По мере испарения растворителя происходит изотермическая
кристаллизация и кристаллики выпадают на поверхности инертных частиц
(фторопласт, корунд и др.), высушиваются, отрываются от поверхности и
выносятся из аппарата потоком газа-теплоносителя. Размер выносимых частиц
можно оценить по (6.41) (с заменой вязкости и плотности жидкости на
Предыдущая << 1 .. 162 163 164 165 166 167 < 168 > 169 170 171 172 173 174 .. 178 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама