Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 2" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 1" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 12" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 11" (Журналы)

Петрянов-соколов И.В. "Научно популярный журнал химия и жизнь выпуск 10" (Журналы)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Промышленные производства -> Матусевич Л.Н. -> "Кристаллизация из растворов в химической промышленности" -> 29

Кристаллизация из растворов в химической промышленности - Матусевич Л.Н.

Матусевич Л.Н. Кристаллизация из растворов в химической промышленности — М. «Химия», 1968. — 304 c.
Скачать (прямая ссылка): kristallizatia-rastvorov.djvu
Предыдущая << 1 .. 23 24 25 26 27 28 < 29 > 30 31 32 33 34 35 .. 126 >> Следующая


Влияние других фанторов

Электрическое поле, наложенное на пересыщенный расплав или раствор, в ряде случаев увеличивает скорость образования зародышей. В. Кондогури [101] обнаружил это явление при кристаллизации салола и пиперина. Позднее другие авторы установили, что под действием электрического поля резко возрастает количество центров кристаллизации в переохлажденных расплавах [102, 103] и пересыщенных растворах [104—108].

Было установлено [107], что скорость образования зародышей под действием электрического поля в растворах таких веществ, как NH4Cl или NH4Br, резко возрастает (пропорционально пересыщению и квадрату напряженности поля), для других веществ (NaCl, KCl, KI) выражено менее резко или очень слабо (CdI2), а на некоторые растворы электрическое поле вообще не оказывает никакого воздействия (NiSO4, CuSO4), точно так же, как и на некоторые переохлажденные расплавы (азобензол, дифениламин, бетол, антипирин) [109, ПО].

В литературе есть сведения [111, 112] о резком увеличении скорости возникновения центров кристаллизации под воздействием высоковольтного искрового разряда, причем для некоторых веществ (NaCl, NH4Cl) установлено существенное различие в действии положительного и отрицательного зарядов.

Поскольку в настоящее время только начато изучение влияния электрического поля, еще рано говорить о механизме его

воздействия на пересыщенные расплавы и растворы; высказываются лишь некоторые предположения. Так, Френкель полагает, что при наложении электрического поля изменяется вероятность полимеризации молекул. Возможно и уменьшение энергии активации образования зародышей [106].

По мнению других авторов [6], молекулы (особенно сложные) можно рассматривать как диполи, которые поляризуются в электрическом поле и, как результат; определенным образом ориентируются, вызывая увеличение скорости образования зародышей. Высказывается предположение [104, 105], что это действие вызвано попаданием на поверхность раствора мельчайших частичек кристаллизующегося вещества, которые всегда есть в атмосфере рабочего помещения. Эти частички, перемещаясь под влиянием электрического поля по его силовым линиям, попадают в раствор.

Магнитное поле также может повышать скорость возникновения зародышей. Так, при кристаллизации пиперина было обнаружено [101], что под действием магнитного поля число зародышей увеличивается во много раз, возрастая приблизительно пропорционально напряженности поля. Подобные же результаты были получены и в работах по кристаллизации азобензола, дифениламина, бетола [113—115] и виннокаменной кислоты [116].

Действие магнитного поля связывают либо с уменьшением энергии активации на величину работы поворота молекулы в магнитном поле [114], либо с уменьшением работы образования критического зародыша [116].

Радиоактивное излучение снижает устойчивость переохлажденных расплавов и пересыщенных растворов.

Было установлено [117—119], что под влиянием излучения значительно возрастает скорость образования зародышей в пиперине, салоле, я-дихлорбензоле и сере. Гамма-облучение переохлажденного rt-дихлорбензола [120] уменьшает его максимально возможное переохлаждение с 16—25°С до 7—12°С, если мощность экспозиционной дозы облучения 0,43 р/сек. Увеличение же мощности облучения до 2 р/сек не влияет на дальнейшее уменьшение переохлаждения.

Были сообщения о том [121, 122], что радиоактивное излучение увеличивает скорость образования зародышей в пересыщенном растворе сульфата калия. При этом предполагается [122], что заряженные частицы, испускаемые радиоактивным веществом, способствуют образованию центров кристаллизации.

2. Рост кристаллов

После возникновения в условиях пересыщенного раствора устойчивых зародышей на их поверхности начинает отлагаться растворенное вещество. Величина линейной скорости роста

кристалла (или увеличение его массы со временем) является основной характеристикой этой второй стадии процесса кристаллизации.

Отметим, что разграничение процесса иа две стадии считается в известной степени условным. Во-первых, общим для обеих стадий является то, что механизм образования устойчивых центров кристаллизации включает и этапы роста субмикроскопических зародышей. Во-вторых, в условиях массовой кристаллизации обе стадии протекают одновременно, их невозможно разграничить во времени. Лишь в очень редких случаях при соблюдении специальных условий, например при выращивании монокристаллов [48, 89, 123], можно наблюдать их «чистый» рост.

Тесная связь между образованием зародышей и их ростом, невозможность четкого разграничения этих этапов затрудняют изучение процесса кристаллизации. Этим, по-видимому, и объясняется, что ни одна из предложенных теорий роста кристаллов не может считаться исчерпывающей для объяснения всех особенностей такого сложного гетерогенного процесса. Подробный обзор теорий роста кристаллов сделан в специальных монографиях [8, 62], а более краткие сведения о них приводятся и в других работах [6, 124]. Новейшие достижения по изучению роста кристаллов за последние 10—15 лет опубликованы в сборниках работ специальных симпозиумов и конференций [125—132].
Предыдущая << 1 .. 23 24 25 26 27 28 < 29 > 30 31 32 33 34 35 .. 126 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама