Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Сидельковская Ф.П. "Химия N-вннилпирролидона и его полимеров" ()

Сеидов Н.М. "Новые синтетические каучуки на основе этилена и олефинов" (Высокомолекулярная химия)

Райт П. "Полиуретановые эластомеры" (Высокомолекулярная химия)

Попова Л.А. "Производство карбамидного утеплителя заливочного типа" (Высокомолекулярная химия)

Поляков А.В "Полиэтилен высокого давления. Научно-технические основы промышленного синтеза" (Высокомолекулярная химия)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Промышленные производства -> Матусевич Л.Н. -> "Кристаллизация из растворов в химической промышленности" -> 86

Кристаллизация из растворов в химической промышленности - Матусевич Л.Н.

Матусевич Л.Н. Кристаллизация из растворов в химической промышленности — М. «Химия», 1968. — 304 c.
Скачать (прямая ссылка): kristallizatia-rastvorov.djvu
Предыдущая << 1 .. 80 81 82 83 84 85 < 86 > 87 88 89 90 91 92 .. 126 >> Следующая


Удельный объем пара v" при давлении 2,67 кн/м2 равен 51,5 м3/кг, поэтому объем удаляемого пара Vu = v"W=5l,5-9,45 ¦ 10~2=4,87 мг/сек. , /' 4 . 4,87

Таким образом, D0 = у —^— =1,11 м или округляем Dc = 1,2 м. 3) Считаем, что высота сепаратора H0 равна его диаметру, т. е. tfc = D0= 1,2 м

Высота трубы H7 определяется соотношением Нт = Hf1 — — Л2

где Л| — уровень раствора над верхним концом трубы;

Л2 — расстояние между нижним концом трубы и уровнем раствора в гидрозатворе, принятое равным 0,3 м.

Чтобы выиести зону кипения из трубы в сепаратор, необходимо, чтобы h\ была больше глубины закипания Нк, для определения которой воспользуемся уравнением (49):

Нк = 0,000174 . 17 • 3,32'5 = 0,059 м

Приняв Лі=0,1 м, имеем

Нт = 7,0 — 0,1 — 0,3 = 6,6 м

Остальные размеры кристаллизатора принимаются конструктивно.

ГЛАВА ШЕСТАЯ

АППАРАТЫ ДЛЯ ИЗОТЕРМИЧЕСКОЙ

КРИСТАЛЛИЗАЦИИ

Кристаллизация солей с обратной растворимостью (сульфат натрия, сода), так же как солей с прямой растворимостью (хлористый натрий, сульфат аммония, растворимость которых сравнительно мало изменяется с температурой) осуществляется удалением части растворителя при выпаривании раствора. При этом, разумеется, наблюдается концентрирование примесей в растворе, что снижает в последующем чистоту получаемого кристаллического продукта и в ряде случаев ограничивает применение этого метода кристаллизации.

Итак, при изотермической кристаллизации процессы выпаривания и кристаллизации объединяются в одну операцию, проводимую в выпарных аппаратах, конструкции и режим которых приспособлены к работе в условиях выделения из раствора веществ в виде кристаллов. Основные вопросы, которые приходится решать при конструировании и эксплуатации таких выпарных аппаратов, сводятся к получению сравнительно крупнокристаллического продукта, к предупреждению образования инкрустаций на внутренних стенках аппарата, особенно на его теплопередающих поверхностях, к устранению накипи с поверхности нагрева.

Выпаривание растворов обычно ведется интенсивно, что обусловливает высокую степень пересыщения при кристаллизации, а следовательно, и образование мелкокристаллического продукта. Для увеличения размера кристаллов интенсивность выпарки иногда искусственно снижают, а для получения особо крупнокристаллического продукта используют выпарные аппараты со взвешенным слоем.

Борьба с отложением соли на теплопередающих поверхностях ведется путем увеличения скорости циркуляции раствора в аппарате, выноса зоны кипения из греющих трубок и поддержания постоянного количества кристаллов в циркулирующей суспензии (не менее 5— 10 масс. %). Более подробно все эти мероприятия будут рассмотрены ниже при описании отдельных конструкций аппаратов.

Упариваемые растворы кроме основного вещества обычно содержат различные минеральные и органические 231

примеси, присутствующие в производственной воде [83] или попадающие в раствор в результате предыдущих технологических операций. С повышением температуры при кипячении раствора происходит либо необратимое разложение некоторых из этих примесей (силикатов, алюминатов, карбонатов и т. п.), либо кристаллизация из раствора примесей, обладающих обратной растворимостью (CaSO4, CaSiO3, MgSiO3). При этом нерастворимые продукты разложения и кристаллизующиеся примеси оседают в местах наибольшего нагрева, т. е. на теплопередающих поверхностях, образуя прочно пристающий слой накипи. Этот слой, так же как и слой инкрустирующей соли, создает дополнительное термическое сопротивление и резко уменьшает общий коэффициент теплопередачи вследствие малой теплопроводности подобных осадков. Для устранения накипи, что в равной степени может быть использовано для борьбы с образованием инкрустаций, принимают следующие меры:

1) повышают линейную скорость движения кристаллизуемого раствора путем многократной циркуляции его в трубках [84, 86];

2) вводят в раствор твердые частички того же химического состава, что и выпадающая накипь [86, 87]. В этом случае накипь будет выделяться преимущественно на готовой поверхности затравки;

3) вводят в аппарат антинакипины — вещества коллоидного характера (агар-агар, желатин, клей и т. д.), уменьшающие скорость отложения накипи на теплопередающих поверхностях. Механизм их действия еще недостаточно изучен. Однако можно предполагать, что, адсорбируясь на теплопередающей поверхности, они предупреждают ее коррозию, способствующую отложению накипи и образованию инкрустаций [88, 89], и, кроме того, создают на поверхности слой коллоидного характера, затрудняющий образование кристаллических зародышей на стенке.

Указанные приемы обычно не гарантируют полного устранения отложения накипи на греющих поверхностях, они лишь уменьшают скорость образования осадков. Рано или поздно аппарат приходится периодически останавливать на чистку, которая может проводиться механическим, гидромеханическим, химическим и комбинированным способами.

Механическая чистка поверхности производится при помощи сверл, ершей и шарошек, насаженных на гибкий, быстро вращающийся вал. Этот метод является очень трудоемким, не обеспечивает полного удаления накипи и может привести к повреждению стенки аппарата.
Предыдущая << 1 .. 80 81 82 83 84 85 < 86 > 87 88 89 90 91 92 .. 126 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама