Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Сидельковская Ф.П. "Химия N-вннилпирролидона и его полимеров" ()

Райт П. "Полиуретановые эластомеры" (Высокомолекулярная химия)

Сеидов Н.М. "Новые синтетические каучуки на основе этилена и олефинов" (Высокомолекулярная химия)

Поляков А.В "Полиэтилен высокого давления. Научно-технические основы промышленного синтеза" (Высокомолекулярная химия)

Попова Л.А. "Производство карбамидного утеплителя заливочного типа" (Высокомолекулярная химия)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Высокомолекулярная химия -> Беднарж Б. -> "Светочувствительные полимерные материалы" -> 106

Светочувствительные полимерные материалы - Беднарж Б.

Беднарж Б., Ельцов А.В., Заковал Я., Краличек Я., Юрре Т.А. Светочувствительные полимерные материалы — Л.: Химия, 1985. — 296 c.
Скачать (прямая ссылка): photopolimers.djvu
Предыдущая << 1 .. 100 101 102 103 104 105 < 106 > 107 108 109 110 111 112 .. 139 >> Следующая

2R • —¦* R — R (структурирование) (VII. 41)
Деструкция главной полимерной цепи объясняется превращениями радикала R-:
-*-
СвНд ^С6Н8 CgHg С6Н5 I
C6H??
(VII. 42)
Изучение влияния температуры на соотношение процессов структурирования и деструкции показало, что выше Тс резко усиливается деструкция. Радиохимическая деградация сополимера стирола и метилметакрилата, а также хлорметилированного ПС изучена японскими авторами [61].
Распад под действием потока электронов различных виниловых полимеров изучен с целью выбора систем, пригодных в качестве электронорезистов [66]. Изучены химические превращения ПВА при действии электронного излучения [40],
236
VII. 3. ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ РАЗРАБОТКИ РЕЗИСТОВ
Обзор полимерных электроно- и рентгенорезистов дан в работе [67], электронорезистов — в работе [68], рентгенорезистов — в работе [69]. Роберте основное внимание уделил электронорезистам сухого проявления [70], которое может быть достигнуто при непосредственном экспонировании или при обработке плазмой [71]. Тенденции развития рентгенорезистов осветил Тейлор [72], рези-стов, экспонируемых потоком ионов, — Енсен [73]. Среди последних рассмотрены галогенированные полимеры стирола и новолач-ные смолы (негативные), полибутенсульфоны, ПММА и его производные (позитивные) и др. Об электронорезистах-диффузантах см. в разделе VI. 4.
VII. 3.1. Особенности оценки литографических параметров
Применение электроно- и рентгенорезистов, как и фоторезистов, требует оценки их чувствительности G, разрешающей способности и контрастности у. Здесь наблюдаются особенности, обусловленные природой актиничного излучения.
Для оценки чувствительности электроно-резиста используют два способа: либо выражают чувствительность радиационно-химическим выходом структурирования G{X) или деструкции G(S) (их определение см. в разделе VII.2), либо получают кривую чувствительности и находят ряд ее параметров. Для экспериментального
Рис. VII. 15. Зависимость М^1 от дозы излучения О:
1 — нитрат целлюлозы; 2 — ПММА; 3 — поли-а-гидроксиизо-масляная кислота.
определения G(S) и G(X) исходят из теоретически выведенных уравнений (VII. 24) и (VII. 27). В том случае, если полимер при облучении только деструктирует, исходят из уравнения (VII. 43) изменения среднечисленной степени полимеризации после облучения:
l/Mn (D) = 1/М„ (0) + Q (S) ?>/(9,6 • 10») (VII. 43)
где Мп(0) и Mn(D)—средиечисленная ММ полимера до и после облучения дозой О.
Мп можно определить экспериментально: классическим осмо-метрическим методом или методом ГПХ, в некоторых случаях совместно с МРС. Из тангенса угла наклона прямолинейной зависимости \/Мп от дозы излучения D (рис. VII. 15) можно вычислить G(S). По чувствительности к потоку электронов нитрат пеллю-лозы, следовательно, сравним с ПММА, а поли-а-гидроксиизомас-ляная кислота — хуже ПММА,
237
Сложнее определение G(S) и G(X), когда в полимере при облучении протекают одновременно структурирование и деструкция. В этом случае из уравнений для среднечисленной и среднемассо-вой степени полимеризации получают два уравнения, выведенные в предположении наиболее вероятного ММР:
l/Mn (D) = 1/Мп (0) + 9,6 • 10» [Q (S) - О (X)] D (VII. 44)
l/Mw (D) = 1/Мш (0) + 9,6 • 10» [О (S) - 4G (X)] D (VII. 45)
где Mw(0) и Mn(D) — среднемассовая ММ полимера до и после облучения дозой D.
Измеряют значения Мп и Mw при помощи рассеяния света, ГПХ и ГПХ—МРС, а из тангенса угла наклона [74] прямых вычисляют
значения G(S) и G(X). В случае преобладания структурирования значения G(S) и G(X) можно найти также из золь-гель-анализа образцов, экспонированных до точки гелеобразования. На рис. VII. 16 приведены экспериментально определенные массовые доли геля wr в зависимости от нормализованной дозы излучения D/Dr для сополимера бутадиена с 2,3-эпоксипропилмет-
Рис. VII. 16. Зависимость массовой доли геля и>г от нормализованной дозы излучения D/Dr для сополимера бутадиена с 2,3-эпокснпропнлметакрнлатом.
акрилатом. Кривая, построенная путем минимализации, дает значения G(S) « 0 и G(X) = 2,7 [75]. Это простая экспериментальная методика требует, однако, расчетов на ЭВМ.
Обычно кривые чувствительности хорошо воспроизводятся. Как будет показано ниже, в некоторых случаях (прежде всего у позитивных резистов) они не дают полного совпадения с приводимыми в литературе значениями литографической чувствительности, которые выражаются, как правило, в единицах дозы излучения на единицу площади. Параметры чувствительности в этом случае лучше рассматривать совместно с критериями контрастности. Чувствительность и контрастность зависят от свойств и структуры компонентов полимерных резистов: химического состава, ММ, ММР, Тс, плотности, средней атомной массы (только для рент-генорезистов); а также от параметров технологического процесса; состава проявителя, условий проявления, предварительного и заключительного отверждения.
Определение чувствительности негативных электронорезистов хорошо иллюстрирует рис. VII. 17, а. Полимерный резист, нанесенный на подложку, на заранее определенной площади экспонируется рядом подходящих доз излучения. После проявления в стандартных условиях для данных доз определяют толщину резиста de и нормализуют эти значения, т, е. относят их к максимально
Предыдущая << 1 .. 100 101 102 103 104 105 < 106 > 107 108 109 110 111 112 .. 139 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама