Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Сидельковская Ф.П. "Химия N-вннилпирролидона и его полимеров" ()

Райт П. "Полиуретановые эластомеры" (Высокомолекулярная химия)

Сеидов Н.М. "Новые синтетические каучуки на основе этилена и олефинов" (Высокомолекулярная химия)

Поляков А.В "Полиэтилен высокого давления. Научно-технические основы промышленного синтеза" (Высокомолекулярная химия)

Попова Л.А. "Производство карбамидного утеплителя заливочного типа" (Высокомолекулярная химия)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Высокомолекулярная химия -> Беднарж Б. -> "Светочувствительные полимерные материалы" -> 107

Светочувствительные полимерные материалы - Беднарж Б.

Беднарж Б., Ельцов А.В., Заковал Я., Краличек Я., Юрре Т.А. Светочувствительные полимерные материалы — Л.: Химия, 1985. — 296 c.
Скачать (прямая ссылка): photopolimers.djvu
Предыдущая << 1 .. 101 102 103 104 105 106 < 107 > 108 109 110 111 112 113 .. 139 >> Следующая

233
достигнутой толщине слоя аТкс (как правило меньшей, чем первоначальная толщина резиста d). Получают график в координатах п — ^Б (где п — нормализованная толщина слоя, К — =йе/йеаке) и величиной Ог, как правило, характеризуют чувствительность негативного резиста. Эта величина отвечает дозе ионизирующего излучения до точки гелеобразования ?г, но может не совпадать с ней по абсолютному значению. Так же как и йт, ?>г зависит от ММ полимера резиста Мт(0) до облучения, что
6
Рис. VII. 17. Кривые чувствительности негативных (а) н позитивных (<f) электронорезистов) ; — резист; 2 — подложка.
является причиной различия в значениях, приводимых разными авторами для одного типа резиста. При необходимости сравнения чувствительности разных негативных резистов нельзя обойтись без Mw, так как только произведение D'rMw(0) дает реальную основу для их сравнения. Однако и в этом случае причиной различных значений может быть ММР. Доза D? на рис. VII. 17, а отвечает достижению h « 0,5. Коэффициент контрастности у находят из соотношения:
V = ,/(lg D? - lg D$ = (lg U?/Dr)_1 < VII. 46>
где D°— доза излучения, необходимая для 100 %-ного сшивания резиста, т. е. для достижения dMaKC.
Коэффициент контрастности у является мерой скорости структурирования, зависит прежде всего то ММР (с уменьшением ширины ММР у возрастает) и, как будет показано ниже, прямо пропорционален разрешающей способности резиста,
239
Определение чувствительности позитивных резистов проводят двумя несколько различающимися способами. Первый способ [76], принцип которого подобен применяемому для негативных резистов, иллюстрируется рис. VII. 17, б. Полимерный резист экспонируют разными дозами и при условии одинакового режима проявления находят величины de и dTp; получают зависимость нормализованной толщины h = de/de°p от lg D (/Лор отвечает чувствительности позитивного резиста). Коэффициент контрастности у для позитивных резистов по аналогии с негативными резистами определяют по уравнению:
Y = l/(lg Dp - lg Z)nop) = (lg Dp/DBop)~l (VIL 47)
где Dnop — экспозиционная доза, отвечающая началу изменения растворимости резиста (.Опор соответствует Dlr для негативных резистов); Dp — минимальная экспозиционная доза, отвечающая полному растворению резиста.
Чувствительность, следовательно, определяется как доза излучения, вызывающая полное растворение резиста при данных условиях проявления. Как правило, эта доза не равна наиболее низкому значению, при котором можно растворить весь облученный полимер. В случае использования термодинамически лучшего растворителя [77] облучение может быть проведено меньшей дозой, но при этом возрастает также растворимость необлученного полимера, что часто является причиной технологического брака. Пельц-бауер и Вагнер предложили [78] с целью исключения различий в чувствительности резистов, обусловленных разной толщиной и разной длительностью проявления, использовать стандартные толщину слоя 1 мкм и время проявления 1 мин.
Условию стандартизации определения чувствительности позитивных электронорезистов в наибольшей степени отвечает методика, разработанная в лабораториях фирмы IBM (США) [79]. Сначала экспериментально подбирают такие условия проявления, чтобы время полного проявления неэкспонированного слоя данного резиста толщиной 1 мкм составляло 1240 с (стандартный режим проявления). Затем регистрируют толщину слоя в процессе проявления резиста, экспонированного разными дозами (рис. VII. 18, а). Из этой зависимости для каждой дозы облучения и времени, соответствующего d = 0, находят толщину неэкспонированного слоя резиста арасч, зависимость которой от дозы представлена на рис. VII. 18, б. Оптимальная чувствительность D0nr определяется из полученной таким образом зависимости графической экстраполяцией к исходной толщине резиста.
При определении величин DlT, Dnop, -Оопт непосредственно не учитывается ММ резиста, в последнее время рекомендовано выражать чувствительность произведением DnopM°w или DIMw где М°ш— среднемассовая ММ исходного резиста [25]. Однако и при таком способе выражения чувствительности в нем не находит отражение влияния ММР,
240
С точки зрения практического использования электронорезистов в данном технологическом цикле так же, как и в случае фоторезистов, наибольшее значение имеет так называемая литографическая чувствительность, т. е. доза, при которой достигаются минимальные отклонения экспонированных и неэкспонированных линий одинаковой ширины от размеров, заданных программой. Для негативных резистов эта доза примерно соответствует /)0,5-
Рис. VII. 18. Экспериментальное определение чувствительности позитивных электронорезистов на основе измерения скорости проявления:
а — кинетические кривые растворения слоя резиста прн разных экспозиционных дозах; б — зависимость ^расч от дозы излучения, прн которой достигается полное проявление соответствующего экспонированного слоя.
Новая техника определения радиационно-химического выхода сшивания G(X) или деструкции G(S) полимера приводится в разработке фирмы Bell [80].
Изменение растворимости при облучении позитивных электронорезистов, в значительной мере определяющей возможности их применения, изучалось применительно к литографии не только экспериментально, но и теоретически [81]. Для некоторых типов позитивных резистов изменение растворимости может изменить их чувствительность на порядок.
Предыдущая << 1 .. 101 102 103 104 105 106 < 107 > 108 109 110 111 112 113 .. 139 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама