Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Сидельковская Ф.П. "Химия N-вннилпирролидона и его полимеров" ()

Райт П. "Полиуретановые эластомеры" (Высокомолекулярная химия)

Сеидов Н.М. "Новые синтетические каучуки на основе этилена и олефинов" (Высокомолекулярная химия)

Поляков А.В "Полиэтилен высокого давления. Научно-технические основы промышленного синтеза" (Высокомолекулярная химия)

Попова Л.А. "Производство карбамидного утеплителя заливочного типа" (Высокомолекулярная химия)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Высокомолекулярная химия -> Беднарж Б. -> "Светочувствительные полимерные материалы" -> 108

Светочувствительные полимерные материалы - Беднарж Б.

Беднарж Б., Ельцов А.В., Заковал Я., Краличек Я., Юрре Т.А. Светочувствительные полимерные материалы — Л.: Химия, 1985. — 296 c.
Скачать (прямая ссылка): photopolimers.djvu
Предыдущая << 1 .. 102 103 104 105 106 107 < 108 > 109 110 111 112 113 114 .. 139 >> Следующая

Разрешение, достигаемое на данной стадии литографического процесса, определяется параметрами экспонирующего устройства, свойствами резистов и факторами, влияющими на скорость обработки слоя резиста и образование нужного рельефа. Когда указывается разрешающая способность резиста, необходимо всегда приводить условия, в которых был образован рельеф, прежде всего ускоряющее напряжение, толщину слоя резиста, условия обработки резиста, а в некоторых случаях и последующих слоев [82], и способы измерения ширины линий. Без этих основных данных невозможно сравнивать отдельные материалы и сопоставлять результаты литографических процессов. Ниже перечислены факторы, оказывающие влияние на разрешающую способность электронной (I), рентгеновской (II) и ионной (III) литографии.
Экспонирующее устройство: ускоряющее напряжение источника (I), размер пучка измерения и его форма (I), геометрия рельефа
241
(I), длина волны излучения (II), рисунок маски (II), коэффициент контрастности маски (II), масса и заряд ионов (III).
Материал для литографии (I—III): состав резиста, толщина слоя резиста, Тс полимерного резиста, коэффициент контрастности резиста, атомный номер элемента, входящего в состав материала подложки (I), толщина подложки (I), чувствительность резиста.
Технологические факторы (I—III): температура предварительной термообработки, состав проявителя, режим плазменного удаления вуали, способ травления.
Формирование микроструктур с минимальными размерами менее 100 нм сопровождается дополнительными трудностями. На качество такого изображения влияют энергия и экспозиционная доза; ширина линий зависит от степени экспонирования отраженными и рассеянными электронами. Необходимо учитывать слой-ность системы, материал подложки, условия проявления, характер последующих операций [83].
VII. 3.2. Электронорезисты
В настоящем разделе рассматриваются материалы, которые испытаны или внедрены в промышленности в качестве негативных и позитивных электронорезистов. Однако возможность их практического использования в конкретных технологических процессах обязательно должна быть проверена экспериментально [68, 84].
ТАБЛИЦА VII. 2. Чувствительность промышленных фоторезистов при экспонировании пучком электронов
н —негативный; п —позитивный резист.
Фоторезист Ускоряющее напряжение. кВ Толщина пленки, мкм Чувствительность dJ.10s, кл/см1
KTFR" б 0,6 1,5
10 0,6 3,5
15 0,6 8,0
20 0,6 16,0
KPR" 5 0,6 1,8
15 0,6 10,0
KOR" 20 0,07—0,12 2-6
KMER" 10 0,15-0,25 50,0
AZ-I350J11 10 _ 30,0
20 0,08—0,12 10—30
30 0,36 80
KAR-3" 20 0,3 500
Первые опыты по экспонированию электронным лучом были проведены с промышленно доступными фоторезистами, используемыми в фотолитографии. По мнению исследователей, изучавших возможности применения промышленных фоторезистов в электрон-
242
ной литографии [85], каждый из опробованных материалов имеет по меньшей мере один существенный недостаток, затрудняющий или делающий невозможным использование этого материала. В большинстве случаев такими недостатками являются низкая чувствительность к электронному излучению, малая контрастность (малая разрешающая способность) и высокая чувствительность к излучению в видимой части спектра. В табл. VII. 2 приведены некоторые данные, характеризующие фоторезисты в процессах электронной литографии.
VII. 3.2.1. Негативные резисты
При отборе полимерных материалов, потенциально пригодных для использования в качестве негативных электронорезистов, сначала исходили из общих сведений о взаимодействии полимеров с ионизирующим излучением. По этой причине первыми были опробованы полимеры с высокими значениями G(X) и минимальными или нулевыми значениями G(S).
Одними из детально изученных полимеров с хорошей, как это было известно, чувствительностью к электронному излучению, являются полисилоксаны [для полидиметилсилоксана G (X) = 2,6 -f-
3,0]:
[-Si(R2)0-]„ где R = СН3, С2Н5, С6Н5, СН = СН2.
Чувствительность повышается с 8 -10~4 Кл/см2 для фенильного замещенного до 4-Ю-6 Кл/см2 для винильного. Для метального аналога по данным ИК-спектроскопии Роберте предлагает следующую схему реакции, ведущей к структурированию [86]:
I III
—Si—ОН + НО—Si —> —Si—О—Si— + Н20
I II'
-Si—СН3+ СН3—Si--
I I
— + сн4
(VII. 48)
Высокая чувствительность была обнаружена у полидиметилсилоксана, содержащего винильные группы (2-Ю-7 Кл/см2) [87]. Однако, не приведены значения ММ исследованных полимеров, поэтому значения чувствительности трудно сопоставлять.
Положительным свойством полисилоксанов является возможность их превращения в конечном итоге в ЭЮг, но по сравнению с некоторыми другими полимерными резистами они имеют целый ряд серьезных недостатков. Прежде всего это плохая термостабильность: при 70°С протекает самопроизвольное структурирование полисилоксанов, к такому же результату приводит и воздействие влаги воздуха. Однако главным недостатком является малая стой-
243
кость при травлении подложки плавиковой кислотой. Тем не менее, полисилоксаны были испытаны в производстве транзисторов [86].
Предыдущая << 1 .. 102 103 104 105 106 107 < 108 > 109 110 111 112 113 114 .. 139 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама