Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Сидельковская Ф.П. "Химия N-вннилпирролидона и его полимеров" ()

Райт П. "Полиуретановые эластомеры" (Высокомолекулярная химия)

Сеидов Н.М. "Новые синтетические каучуки на основе этилена и олефинов" (Высокомолекулярная химия)

Поляков А.В "Полиэтилен высокого давления. Научно-технические основы промышленного синтеза" (Высокомолекулярная химия)

Попова Л.А. "Производство карбамидного утеплителя заливочного типа" (Высокомолекулярная химия)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Высокомолекулярная химия -> Беднарж Б. -> "Светочувствительные полимерные материалы" -> 11

Светочувствительные полимерные материалы - Беднарж Б.

Беднарж Б., Ельцов А.В., Заковал Я., Краличек Я., Юрре Т.А. Светочувствительные полимерные материалы — Л.: Химия, 1985. — 296 c.
Скачать (прямая ссылка): photopolimers.djvu
Предыдущая << 1 .. 5 6 7 8 9 10 < 11 > 12 13 14 15 16 17 .. 139 >> Следующая

21
Значения Тс и Т„л могут быть найдены по изменению удельного объема полимера с температурой (рис. 1.2). У кристаллизующегося полимера при температурах ниже Т„л всегда содержится аморфная фаза. Это исключает использование кристаллических полимеров в качестве резистов, так как пленка кристаллического резиста неоднородна.
Непродолжительное нагревание пленки полимера выше Тс на определенное время освобождает «замороженные» конформацион-иые структуры и тем самым делает возможным переход полимера в состояние, близкое к равновесному. При этом ослабляются и напряжения в полимерной пленке, возникающие при центрифугировании раствора и сушке. Подвижность сегментов полимерной уул. цепи облегчает удаление остатков растворителя,
/ которого в полимерной пленке после центрифу-( гирования содержится 1—3%. Так как испарение растворителя из полимерной пленки связано
Ыс диффузионным процессом, необходимо доста-_^ Рис. I. 2. Зависимость удельного объема полимера Куд от темпе-
\ Ъл Т ратуры.
точное время при температуре выше Тс, чтобы остатки растворителя продиффундировали к поверхности пленки [17]. Остатки растворителя отрицательно действуют как на экспонирование, так и на последующее проявление, прежде всего вследствие уменьшения адгезии, что при травлении приведет к подтравливанию.
Неверно выбранные условия сушки могут отрицательно влиять на светочувствительность фоторезистов, так как при повышении температуры разлагаются светочувствительные компоненты.
Определение оптимальных условий сушки требует изучения ряда факторов. Прежде всего это чувствительность полимера к тепловой обработке, так как у ряда полимеров может протекать как деструкция, ведущая к снижению ММ, так и структурирование [15], дающее трехмерные структуры и ведущее тем самым к ухудшению растворимости полимера. Несмотря на то, что температуру и время сушки находят эмпирически, для их определения можно с успехом использовать ТГА и ДТА. При ТГА фиксируется убыль массы в зависимости от температуры. Это дает возможность определить наличие остатков растворителя, а также температуру разложения полимера, при которой выделяются летучие компоненты. ДТА позволяет найти Тс и Тпл полимера, а также оценить тепловые эффекты реакций, протекающих в полимере. Оба метода дают значения минимальной и максимальной температуры сушки и позволяют установить время, требуемое для удаления растворителя из полимерной пленки. Для оптимизаци сушки необходимо знать также качество получаемого в итоге рельефа и его стойкость к травлению [16].
Для оценки механического напряжения в пленках позитивных резистов можно использовать полупроводниковые тензометры [18], что позволяет непосредственно следить за изменениями механиче-
22
ского напряжения полимерных пленок в зависимости от температуры сушки. Напряжение в пленке резиста можно определить и микроскопически [19] на основе уравнения Гланга [20].
Сушка обычно проводится в специальных печах с использованием нагревательных элементов сопротивления или ИК-нагрева-телей с принудительной циркуляцией воздуха или инертного газа. Для эффективного управления процессом необходимо быстро достигать требуемой температуры, обеспечивать постоянную температуру во всем рабочем пространстве печи и, разумеется, сохранять абсолютную чистоту. В ряде систем принудительная циркуляция воздуха осуществляется через очистные фильтры, так как каждое загрязнение, попадающее на поверхность пленки резиста при температуре выше Тс, удерживается необратимо. Необходимо проверить и вместимость печи, чтобы при обработке большого числа подложек иметь воспроизводимый температурный режим.
1.3. ЭКСПОНИРОВАНИЕ
Экспонирование является самым существенным этапом при получении рельефов из пленок резиста — в них в результате этой операции создаются скрытые изображения. В фотолитографии
Рис. I. 3. Схема контактного и бесконтактного экспонирования:
і — свет; 2 — маска; 3 — пространство между маской и слоем резиста (при контактном экспонироваини минимальное, при бесконтактном имеет ширину «10 мкм); 4 — фоторезист; 5 — диоксид кремния; 6 — кремний.
существует ряд методов экспонирования слоев фоторезистов УФ-светом в области 200—400 нм, генерируемого главным образом ртутными лампами; вводятся эксимерные лазеры [21].
В контактном методе шаблон максимально приближен к поверхности слоя резиста (рис. 1.3). В бесконтактном методе («контактная печать с зазором») между слоем резиста и маской остается зазор. В проекционном методе плоскости шаблона и слоя резиста оптически сопряжены с помощью проекционной системы (объектива). Первые два метода находят применение вследствие относительно низкой цены аппаратуры и простоты работы, возможности экспонирования больших площадей, что обеспечивает высокоэффективные групповые методы обработки изделий. Эти методы используют и в производстве сверхбольших интегральных схем для запоминающих устройств [22]. Проекционный метод более производителен и надежен, дает меньшую плотность дефектов и поэтому также широко используется в микроэлектронике. Существует ряд способов проекции, важнейшими из которых являются проекция в масштабе 1:1, сканирующий перенос щелью в масштабе 1:1, мультипликация (фотоповторение) в масштабах 1:1, 1 : 10 и др. [23, 24].
Предыдущая << 1 .. 5 6 7 8 9 10 < 11 > 12 13 14 15 16 17 .. 139 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама