Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Сидельковская Ф.П. "Химия N-вннилпирролидона и его полимеров" ()

Райт П. "Полиуретановые эластомеры" (Высокомолекулярная химия)

Сеидов Н.М. "Новые синтетические каучуки на основе этилена и олефинов" (Высокомолекулярная химия)

Поляков А.В "Полиэтилен высокого давления. Научно-технические основы промышленного синтеза" (Высокомолекулярная химия)

Попова Л.А. "Производство карбамидного утеплителя заливочного типа" (Высокомолекулярная химия)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Высокомолекулярная химия -> Беднарж Б. -> "Светочувствительные полимерные материалы" -> 112

Светочувствительные полимерные материалы - Беднарж Б.

Беднарж Б., Ельцов А.В., Заковал Я., Краличек Я., Юрре Т.А. Светочувствительные полимерные материалы — Л.: Химия, 1985. — 296 c.
Скачать (прямая ссылка): photopolimers.djvu
Предыдущая << 1 .. 106 107 108 109 110 111 < 112 > 113 114 115 116 117 118 .. 139 >> Следующая

ТАБЛИЦА VII. 4. Характеристика полимеров иа основе мономеров ароматического ряда, применяемых в качестве электронных резистов
Полимер
Степень галоге-нирова-ния, %
мш-ю-5
D* ¦ 10«,
Кл/см»
D0,8/Di г / г
Т , "С с
0 2,58 2,1 18,7 1,9 4,9 100
0 0,40 2,3 250 2,1 — —
100 1,58 1,9 1,9 1,5 4,3 133
100 1,67 2,3 1,5 1,4 4,4 96
100 1,61 2,1 3,6 1,6 10 133
100 1,69 1,9 0,5 1,5 5,7 80
79 0,68 1,05 27,0 3,0 — 68
43 1,45 1,1 0,7 1,7 — ПО
42 5,60 1,1 0,2 1,4 — 115
10,5 0,51 3,0 7,0 1,3 — —
21 0,186 1,6 30,0 1,7
Полистирол
Поли-2-винилиафталин
Поли-4-хлорстирол
Поли-З-хлорстирол
Поли-2-хлорстирол
Поливинилбензилхлорид
Полихлорметилстирол
Хлорметилированный поли-2-винилнафталин Сополимер винилбензил-хлорида с 2-винилиаф-талином
Прямая полимеризация хлорметилированного стирола по радикальному механизму дает полихлорметилстирол, который также имеет высокую чувствительность, однако, при этом образуются, как правило, полимеры с Мш/Мп да 2, поэтому трудно получить высокие значения контрастности. Как следует из рис. VII. 23, с ростом Мщ, снижается контрастность и, следовательно, от Мш зависит также разрешающая способность_рези_ста. На слое из полнвинил-бензилхлорида с МЩ) = 2-104 и МШ1/Мп = 1,3 при экспозиционной дозе 14-Ю-2 Кл/см2 был получен рельеф с шириной линий 0,4 мкм, имеющих интервалы 0,6 мкм; у резиста же с Мш = 3,7-104 и М111/Мп = 2,1 при экспозиционной дозе 0,5-Ю-2 Кл/см2 максимальная ширина линий составила 1 мкм, а интервалы 1 мкм [100].
Фейт с сотрудниками [пат. США 4201580] синтезировал замещенный полистирол с экстремально низкой полидисперсностью хлорированием полистирола, полученного при анионной полимеризации. Полистирол с Мш=1,5-10б и Л1Ш/Л1„ < 1,06 прохлориро-вали до введения в среднем 1 атома хлора на 1 арильную группу без изменения Мщ. После предварительной термообработки при
251
150°С в течение 30 мин чувствительность пленки составила Ю-5 Кл/см2 при ускоряющем напряжении 10 кВ.
Очень хорошую разрешающую способность достигают при использовании хлорметилированного поли-а-метилстирола [99]. При толщине слоя резиста 0,75 мкм получают рельеф с шириной линий 0,4 мкм и такими же интервалами, а при толщине слоя резиста 0,3 мкм — с шириной линий 0,1 мкм.
Полученный термической радикальной полимеризацией в растворе поли-4-хлорстирол, фракционированный с помощью дифференциальной сольватации, обладает чувствительностью от 2-10-6
Рис. VII. 23. Взаимосвязь литографических и молекулярных параметров полихлорметилста-рола.
до 5-Ю-6 Кл/см2 и коэффициентом контрастности 3,5—наибольшим для известных полимерных негативных резистов. После проявления резист отверждают УФ-светом, что повышает его термостойкость [101]. Молекулярный дизайн негативных электро-норезистов привел авторов работы [102] к сополимеру хлор-метилстирола с 2-винилнафталином, обладающему оптимальными для подобных полимеров свойствами: светочувствительностью ~10-6 Кл/см2, разрешением более 0,5 мкм и высокой стойкостью к сухому травлению. Иодированный полистирол в качестве негативного электронорезиста на первых этапах экспонирования дега-логенируется, давая арильные радикалы и атомы иода, последующие превращения которых приводят к сшиванию полимера [103]. Хлорметилированный полинафтилметакрилат оказался хорошим электронорезистом, способным быть и фотополимерным резистом для среднего УФ-света [104].
Галогенароматические полимеры, таким образом, в настоящее время представляют собой негативные резисты с оптимальным комплексом свойств: чувствительностью, разрешающей способностью и стойкостью при плазменном травлении. С ростом содержания атомов галогена повышается, но до определенного предела, способность к сшиванию. Этот предел зависит от природы атома галогена и наступает тем быстрее с ростом числа атомов галогена,
252
чем больше их размер. Сшивание цепей этих полимеров идет за счет радикалов, образованных при разрыве связи С—Hal; радикалы остаются в полимере, не вызывая дальнейшего сшивания вследствие понижения активности атомов галогена, а также из-за высокой температуры стеклования полимеров, содержащих ароматические ядра [105]. Такие полимеры можно успешно использовать при производстве масок, а также и при прямом экспонировании на кремниевых подложках.
Качественно новым является негативный рельеф на основе полистирола, модифицированного замещенным тетратиофульваленом (ТТФ) [106]:
При облучении этого полимера в присутствии какого-либо акцептора", например СВг4, возникает ионная пара:
ТТФ + СВг4 ->- ТТФ+Вг~ (VII. 51)
Это вызывает практически полную нерастворимость облученных участков в неполярных растворителях, и полимер ведет себя как негативный резист, чувствительность которого определяется содержанием возникших ионных пар, но не степенью сшивания. Таким способом сведен к минимуму основной недостаток негативных электронрезистов — набухание при проявлении. Чувствительность резиста 5,6• 10~6 Кл/см2, коэффициент контрастности 3,3. Резист показал отличную стойкость при травлении плазмой СРч. При проявлении полярными растворителями тот же материал дает позитивное изображение.
Предыдущая << 1 .. 106 107 108 109 110 111 < 112 > 113 114 115 116 117 118 .. 139 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама