Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Сидельковская Ф.П. "Химия N-вннилпирролидона и его полимеров" ()

Райт П. "Полиуретановые эластомеры" (Высокомолекулярная химия)

Сеидов Н.М. "Новые синтетические каучуки на основе этилена и олефинов" (Высокомолекулярная химия)

Поляков А.В "Полиэтилен высокого давления. Научно-технические основы промышленного синтеза" (Высокомолекулярная химия)

Попова Л.А. "Производство карбамидного утеплителя заливочного типа" (Высокомолекулярная химия)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Высокомолекулярная химия -> Беднарж Б. -> "Светочувствительные полимерные материалы" -> 118

Светочувствительные полимерные материалы - Беднарж Б.

Беднарж Б., Ельцов А.В., Заковал Я., Краличек Я., Юрре Т.А. Светочувствительные полимерные материалы — Л.: Химия, 1985. — 296 c.
Скачать (прямая ссылка): photopolimers.djvu
Предыдущая << 1 .. 112 113 114 115 116 117 < 118 > 119 120 121 122 123 124 .. 139 >> Следующая

Так как полимеры являются диэлектриками, то во время экспонирования на поверхности резиста образуется электрический заряд, осложняющий экспонирование. Чтобы избежать этого, на ре-
263
зист наносят тонкий слой металла, отводящий заряд. Эту операцию можно исключить, если использовать в качестве электронных ре-зистов соли с переносом заряда [131; пат. США 4338392, 4312935, 4312936], л-донорами в которых являются производные тетратио-фульвалена, тетрагетеротетрацена, перилена, бисгетеропирана, теграметил-гс-фенилендиамина, а также фталоцианины никеля, меди, железа, кобальта, платины и комплексы порфиринов с переходными металлами.
При экспонировании слоев комплексных галогенидов этих я-до-норов, нанесенных вакуумной сублимацией, наблюдается изменение строения субстрата и резкая дифференциация физических свойств участков слоя в результате обратного переноса заряда и удаления галогена; в экспонированных участках остается только я-донор:
(я-Донор) (я-Донор)* X" —я-Донор+Х2 (VII. 52)
В зависимости от свойств я-донора, характеристик электронного излучения и режимов последующих обработок получают негативный (полимеризацией я-донора) или позитивный (сублимацией не-полимеризующегося я-донора или его растворением слабополярным растворителем) микрорельеф. Рельеф имеет четкий край, разрешение лучше 1 мкм. Первоначальный слой—-электропроводящий, а полученные негативные структуры — диэлектрики. При экспонировании наблюдают потерю слоем окраски, что делает возможным визуальный контроль. Хлоридные комплексы проявляют чувствительность примерно в 5 раз большую, чем бромидные. Чувствительность может быть повышена уменьшением содержания галогена в слое. В этом случае на слой я-донора перед экспонированием наносят комплекс.
Например, слой бромида тетратиофульвалена толщиной около 0,5 мкм создают вакуумным испарением при давлении 1 Па и 185—190 °С за 10 мин. Состав слоя соответствует отношению тетратиофульвален : бром = 1 : 0,78. Негативный резист получают при экспонировании электронным пучком (доза Ю-4 Кл/см2 при 10 кВ) и проявлении метанолом. Слой резиста тоньше 1 мкм остается без изменений при кипячении в хлорбензоле или диметилсульфоксиде, а также при нагревании до 275 °С в вакууме. При действии гидразина слой, однако, разрушается и полностью удаляется при комнатной температуре за 1—2 мин. Перед экспонированием слой поглощает при 380—550 нм, это поглощение при облучении исчезает. Одновременно падает электрическое сопротивление с 20 до Ю-7 Ом/см.
Очевидно, на использовании таких материалов может быть основано изготовление масок для фотолитографии (см. раздел VI. 2).
VII. 3.3. Рентгенорезисты
Существует симбатность между чувствительностью резистов при электронной и рентгеновской литографии (рис. VII. 27). Рентгеновские спектры поглощения могут быть рассчитаны из табличных значений атомных коэффициентов поглощения и эмпирическим
264
методом определена плотность полимеров по отношению к этому излучению [132]. Различия в способах переноса энергии между электронным и рентгеновским излучением привели, однако, к получению специальных резистов, предназначенных прежде всего для рентгеновской литографии [пат. ФРГ 2520147]. К таким полимерам в первую очередь относятся сополимеры метилметакрилата с мет-акриловой кислотой, нейтрализованные подходящим основанием, а в некоторых случаях — сополимеры метилметакрилата с солями метакриловой кислоты, полученные прямой сополимериза-цией [133].
В большинстве случаев резисты, созданные для электронной литографии, не удовлетворяют требованиям, предъявляемым к ре-зистам для рентгеновской литографии. В 1977 г. Тейлор описал [пат. США 4061829] хлор- и бромсо-держащие полимерные негативные ре- «г зисты для рентгеновской литографии. Резисты такого типа проявляют хоро-
Рис. VII. 27. Чувствительность резистов к электронному (20 кВ) и рентгеновскому излучению: / — ЭПБ; 2 — сополимер глицидилметакрнлата с этил-акрилатом; 3 — полиглицидилметакрилат; 4 — поли-1-бутен-сульфон; 5 — поли-2,2,3,3-тетрафторпропилмет-акрилат (РЬМ-Б), 6 — сополимер метилметакрилата с метакриловой кислотой; 7 — ПММА.
С,
10'
10г-
10

2о /о
5о Jo
ю-
jg-6 ю-4
D, Кл/см г
шую чувствительность к рентгеновскому излучению, так как атомы галогенов имеют большую атомную массу и высокий коэффициент поглощения рентгеновских лучей.
В группе полихлоралкилакрилатов лучшую чувствительность показал ПДХПА. Однако он имеет низкую адгезию, недостаточную для использования в литографии. Улучшить адгезию и разрешение удалось, в частности, при смешении ПДХА с резистом СОР, при содержании последнего 1—20% (масс.) [пат. США 4225664]. Для улучшения совместимости обоих компонентов ДХПА готовят в виде сополимера с малым содержанием [ниже 2 % (масс.)] глицидилметакрнлата или глицидилакрилата. Рентгеновское поглощение атомов хлора лежит вблизи 0,44 нм, что соответствует излучению линии Ьа палладия — 0,437 нм, в большинстве случаев используемой в экспозиционных устройствах [пат, США 4061829, 3892973]. Чувствительность этого резиста 8-Ю-3 Дж/см2. Стойкость к плазменному травлению (С2Рв: СНРз = 60 : 40) относительно хорошая (27 нм/мин). Известны и другие композиции на основе ПДХПА. Наибольший интерес представляют смеси ПДХПА с сополимерами глицидилметакрнлата с этилакрилатом, аллилметакрилата с гид-роксиэтилметакрилатом. Подробно изучена в качестве рентгеноре-зиста смесь 92,5% ПДХПА и 7,5% бис(акрилоилксибутилтетра-метилдисилоксана) [134], который проявляется плазмой. Выявлено существенное влияние термического доотверждения слоя резиста на разрешение и чувствительность. Описаны [европ. пат. 0016679, франц пат. 2461967] тройные сополимеры 2-фтор-, 2-хлор- и
Предыдущая << 1 .. 112 113 114 115 116 117 < 118 > 119 120 121 122 123 124 .. 139 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама