Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Сидельковская Ф.П. "Химия N-вннилпирролидона и его полимеров" ()

Райт П. "Полиуретановые эластомеры" (Высокомолекулярная химия)

Сеидов Н.М. "Новые синтетические каучуки на основе этилена и олефинов" (Высокомолекулярная химия)

Поляков А.В "Полиэтилен высокого давления. Научно-технические основы промышленного синтеза" (Высокомолекулярная химия)

Попова Л.А. "Производство карбамидного утеплителя заливочного типа" (Высокомолекулярная химия)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Высокомолекулярная химия -> Беднарж Б. -> "Светочувствительные полимерные материалы" -> 119

Светочувствительные полимерные материалы - Беднарж Б.

Беднарж Б., Ельцов А.В., Заковал Я., Краличек Я., Юрре Т.А. Светочувствительные полимерные материалы — Л.: Химия, 1985. — 296 c.
Скачать (прямая ссылка): photopolimers.djvu
Предыдущая << 1 .. 113 114 115 116 117 118 < 119 > 120 121 122 123 124 125 .. 139 >> Следующая

10 Зак. 554
265
2-бромметилметакрилатов или сополимеры двух из приведенных мономеров, а также тройные сополимеры этил-1-(а-галоген) мет -акрилата (где галоген —F, С1 или Вг), являющиеся хорошими рентгенорезистами.
Чувствительность ПММА к рентгеновскому излучению может быть увеличена по крайней мере на 3 порядка — до Ю-3 Дж/см2, если проводить полимеризацию на подложке. Например, слой ПММА облучают малой дозой, вводят в контакт с парами мономера (акриловой кислоты) и получают после проявления хорошо разрешенный негативный рельеф, образованный новым сополимером. Аналогичный прием возможен и для электронной литографии [135].
В качестве отличного рентгенорезиста описан [пат. США 4330671] сополимер S02 с азиридином, чувствительность которого к электронному излучению Ю-6 Кл/см2.
Полихлорметилстирол с Мда = 3-105, применяемый в качестве негативного резиста, позволяет достичь высокого разрешения из-за малого рассеяния электронов, а также равномерного распределения поглощенной энергии по глубине. Его термостойкость и стойкость к сухому травлению на уровне соответствующих характеристик позитивных новолачных фоторезистов AZ. Постэкспозиционное фотоотверждение резко уменьшает уход размеров рельефа вплоть до 300 °С. Свойства резиста сопоставимы со свойствами хлормети-лированного полистирола [136].
Для усовершенствованной рентгеновской литографии описано применение высокочувствительных новолачных резистов с использованием тех же средств проявления, что и для оптической и электроннолучевой литографии [137].
VII. 3.4. Неорганические резисты
Термин «неорганические резисты» впервые использовал Син-клэйр с сотрудниками [138] при изучении Fe203. Облученный потоком электронов материал в этом случае растворяется в 6М HCl несравненно медленнее, чем необлученный, и ведет себя как негативный резист. Чувствительность, однако, по сравнению с органическими резистами гораздо ниже.
Интерес к неорганическим резистам возрос после опубликования ряда работ [139, пат. Великобритании 1151310, 1376836], показавших, что аморфные халькогенидные стекла при облучении УФ-светом или электронным излучением ведут себя как резисты. Пленки GeSe* наносят на подложку вакуумным испарением или из раствора и покрывают тонким слоем серебра (около 0,1 мкм) погружением пленки в водный раствор AgN03. Аморфные халькогенидные пленки легко растворяются в водных растворах как неорганических, так и органических оснований. Сразу же после облучения резиста УФ-светом или электронным излучением серебро
266
диффундирует в матрицу халькогенида, которая при этом становится нерастворимой в основаниях. Материалы, следовательно, ведут себя как негативные резисты. Чувствительность резистов относительно низка (8-Ю-5 Кл/см2 при 10 кВ), однако контрастность исключительно высока (у = 8). Система при экспонировании электронным пучком дает линии шириной 0,3 мкм.
Подобные результаты получил Тай с сотрудниками [140] для системы халькогенидного стекла GeSe2 с Ag2Se в качестве радиа-ционно модифицируемого слоя. Щ таких резистов лежит в интервале Ю-4—Ю-5 Кл/см2, у > 6. Резисты совершенно не набухают, термически стабильны, обладают отличной стойкостью при плазменном травлении. Халькогенидные системы на основе As2S3 подробно изучены Чангом с сотрудниками [141]. Пленки резистов получают вакуумным испарением, а экспонирование проводят УФ-светом, электронным и рентгеновским i i I i | I I I I I I I I излучением. Позже Чанг с сотрудниками liliii, ЩПП ' [142] модифицировал эти резисты, по- ??«UibU 111 ЦмШ2
крыв халькогенидный слой (около 0,3 -,-г+т+т-¦
мкм) слоем AgCl (около 0,02 мкм). По Ag2Se j ++ ,-_
МНеНИЮ авторов, При облучеНИИ ВОЗНИ- GeSea ?Br?]?Q|_, rj J
кает соединение Ag—As2S3, стойкое в ? ? СИВЫ ? растворах оснований и при плазменном fjBB i Пг—| В
травлении CF4. Несмотря на то что си- //////w/;////}//y/;/////,4
стема AgCl/As2S2 имеет большую чув---,-,-
ствительность, чем As2S3, для практиче- Ag2Se_jSe Sei-
GeSe2Q jHgjD ?
Рис. Vil. 28. Изменения в системе Ag2Se/GeSe2 после ^В I I 1^1X31 П В ^
облучения: Q p-tpJ ISa^in ?
/ — излучение (УФ-, электронное, рентгеновское); 2- ...U, A^/ll/ifjJ/llJJili
маска; 3 — резист; 4 — подложка. '/////////'//////////////я
ских целей эта чувствительность недостаточна. Предполагают [142, 143], что Ag выделившийся при облучении AgCl, диффундирует в слой As2S3, и образуется газообразный хлор. Ag, реагируя в слое с As2S3 дает соединение, которое изменяет растворимость халькогенидного стекла. Представление о путях реакций, ведущих к изменению растворимости в системе Ag2Se/GeSe2, дает рис. VII.28 (см. также [144]). Для системы Ag2S/As2S3 предложен двухступенчатый процесс проявления, позволяющий улучшить характеристики рельефа и получить хорошо разрешенные линии шириной 30 нм в слое As2S3 толщиной 70 нм. Этот рельеф легко переносится в слой полиимида при травлении плазмой [145]. Система Ag/As2S3 использована для получения офсетных печатных форм как в позитивном, так и в негативном варианте [146]. Изучены возможности применения в литографии As2S3, As2Se3, GeSe2 совместно с различными содержащими серебро веществами: Ag, Ag2S, Ag2Se, Ag2Te и др. [147]. В пат. Великобритании 1580170 описаны халькогенидные стекла SbS2 и SbSe2, причем в качестве металлического слоя использовались не только Ag, но также Си и Т1,
Предыдущая << 1 .. 113 114 115 116 117 118 < 119 > 120 121 122 123 124 125 .. 139 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама