Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Сидельковская Ф.П. "Химия N-вннилпирролидона и его полимеров" ()

Райт П. "Полиуретановые эластомеры" (Высокомолекулярная химия)

Сеидов Н.М. "Новые синтетические каучуки на основе этилена и олефинов" (Высокомолекулярная химия)

Поляков А.В "Полиэтилен высокого давления. Научно-технические основы промышленного синтеза" (Высокомолекулярная химия)

Попова Л.А. "Производство карбамидного утеплителя заливочного типа" (Высокомолекулярная химия)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Высокомолекулярная химия -> Беднарж Б. -> "Светочувствительные полимерные материалы" -> 12

Светочувствительные полимерные материалы - Беднарж Б.

Беднарж Б., Ельцов А.В., Заковал Я., Краличек Я., Юрре Т.А. Светочувствительные полимерные материалы — Л.: Химия, 1985. — 296 c.
Скачать (прямая ссылка): photopolimers.djvu
Предыдущая << 1 .. 6 7 8 9 10 11 < 12 > 13 14 15 16 17 18 .. 139 >> Следующая

23
Во многих проекционных устройствах используют обычную оптическую систему как линзовую, так и зеркальную. Линзовая система экспонирования состоит из трех главных частей. Оптическая часть образована источником света (ксеноновая или ртутная лампа), конденсором и светофильтром; механическая часть — несущей рамой с маской; проекционная часть — объективом, подложкой с нанесенным фоторезистом, которые расположены на подвижном столе. Схема проекционной системы изображена на рис. 1.4. Светофильтр дает пучок шириной 10—15 нм, трансформирующийся оптической системой; он обеспечивает достаточную плотность энергии света на слое резиста. Несущая рамка с маской размещаются в плоскости, перпендикулярной световому пучку, с допустимым отклонением менее 1 мкм [23].
Механическое движение и фиксация положения стола осуществляются специальным приводом, часто с оптическим контролем положения меток совмещения, заранее нанесенных на подложку. Вообще оптическое определение положения подложки осуществляется интерферомет-рически (интерферометр Майкельсона), методом счета муаровых полос или по специальным меткам совмещения.
Рис. I. 4. Схема проекционной экспозиционной системы:
/ — источник излучения с зеркалом; 2 — конденсор; 3 — фильтр; 4 — мас-' ка; б — несущая рамка маскн; 6 — объектив; 7 — подложка со слоем фоторезиста.
Так как дорого и сложно производить объективы, способные дать высококачественное 1 : 1 изображение сразу на всей площади кремниевой пластины диаметром 7,5—10 см, то для этой цели используют мультипликацию и сканирующий перенос. Мультипликация дает возможность получать изображение с высоким разрешением и на большом поле. Она может быть использована для изготовления элементов с размерами 1—1,5 мкм. Необходимость применения мультипликации обусловлена тем, что при прочих равных условиях объективы с повышенной разрешающей способностью имеют меньшее поле изображения и наоборот, тем самым для экспонирования с высоким разрешением больших площадей требуется пошаговое экспонирование всего поля. Эта система требует прецизионного механического движения подложки, дающего возможность шаг за шагом абсолютно точно совмещать изображение различных слоев на всей площади кремниевой подложки. Более низкая производительность мультипликации компенсируется лучшим качеством изображения; метод находит все более широкое применение [24].
При сканирующем переносе щели в масштабе 1 : 1 по всей площади кремниевой подложки (рис. 1.5, а) используется зеркальный объектив со сферическим зеркалом — система МкгаНп Регкщ-
24
Elmer [23, 25]. Свет ртутной лампы проходит через конденсор и дугообразную щель шириной в несколько миллиметров, световая дуга проектируется объективом так, чтобы перекрыть подложку по всей ее ширине; маска и кремниевая подложка непрерывно движутся под этой дугой при помощи сканирующего механизма, который обеспечивает экспонирование подложки по всей ее длине. Так как разработанная оптическая система позволяет работать с минимальными искажениями, то это дает возможность производить схемы с элементами размером 1—1,5 мкм, отклонением
а 5
Рнс. I. 5. Принцип 1 : 1 сканирующего (а) и растрового (С) методов:
/ — маска; 2 — оптическая система; 3 — подложка; 4 —- направление одновременного движения маскн и подложки.
±0,4 мкм при экспонировании светом с длиной волны 350— 430 нм. Высокая производительность (около 40 пластин в час) обусловила широкое использование этого проекционного метода в практике большинства ведущих зарубежных фирм.
В растровом методе используется узкий световой пучок, а сканирование проводится в двух взаимно перпендикулярных направлениях. Принцип растрового сканирования изображен на рис. I. 5,6.
1.3.1. Некоторые физические пределы оптического экспонирования
Ограничения разрешающей способности оптического метода формирования микроизображения определяются длиной X света, характеристиками светового излучения, такими, как когерентность, спектральный состав, а также качеством совокупной оптической системы, природой регистрирующей среды, условиями, при которых создается микроизображение (наличие турбулентной и рассеивающей среды, вибрации, температурная деформация и т. д.).
Предельные возможности контактного и проекционного оптических способов формирования изображения определяются простыми
25
Соотношениями. Для контактного метода в реальных условиях
применения: _
бк « Л^Я (I. 5)
где бк —минимальный разрешаемый элемент изображения; я — зазор между контактирующими поверхностями.
Иногда используется следующее теоретическое соотношение:
26Мнн « 3 л/Ы/2 (I. 6)
где 2Ь — период решетки, состоящей из прозрачных и непрозрачных для света линий одинаковой ширины [261.
Для бесконтактного метода минимальный период решетки для а й. определяется соотношением [27]:
2&„ин « 3 л/^ + 0,5** жЗл/ТГ (1.7)
На практике зазор Ямин ~ Ю мкм, что отвечает разрешению около 3 мкм. В работе [28] приводятся методы точного нахождения этого зазора.
Для проекционных методов
бПр»Я/(2Л); А = «0/(2/) (1.8)
где А — апертура объектива; п — показатель преломления среды для данной длины волны; О —диаметр линзы; / — фокусное расстояние.
Предыдущая << 1 .. 6 7 8 9 10 11 < 12 > 13 14 15 16 17 18 .. 139 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама