Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Сидельковская Ф.П. "Химия N-вннилпирролидона и его полимеров" ()

Райт П. "Полиуретановые эластомеры" (Высокомолекулярная химия)

Сеидов Н.М. "Новые синтетические каучуки на основе этилена и олефинов" (Высокомолекулярная химия)

Поляков А.В "Полиэтилен высокого давления. Научно-технические основы промышленного синтеза" (Высокомолекулярная химия)

Попова Л.А. "Производство карбамидного утеплителя заливочного типа" (Высокомолекулярная химия)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Высокомолекулярная химия -> Беднарж Б. -> "Светочувствительные полимерные материалы" -> 120

Светочувствительные полимерные материалы - Беднарж Б.

Беднарж Б., Ельцов А.В., Заковал Я., Краличек Я., Юрре Т.А. Светочувствительные полимерные материалы — Л.: Химия, 1985. — 296 c.
Скачать (прямая ссылка): photopolimers.djvu
Предыдущая << 1 .. 114 115 116 117 118 119 < 120 > 121 122 123 124 125 126 .. 139 >> Следующая

ю* 267
Глава VIII
МНОГОСЛОЙНЫЕ РЕЗИСТНЫЕ СИСТЕМЫ
Фактором, оказывающим влияние на разрешение, является также топология подложки, которая может иметь рельеф, созданный предыдущими операциями. При оптическом экспонировании происходит интерференция света, отраженного от подложки и краев топологического рельефа. Этот эффект особенно характерен для субмикронной области. При экспонировании пучком электронов наблюдается рассеяние электронов в обратном направлении, что
делает невозможным достижение высоких значений AR. Использование системы мно-
Рис. VIII. 1. Литография с MCP при различных обработках планаризацион-иого слоя:
Л — ПХТ; Б — жидкостное проявление после сплошного экспонирования с сохранением верхнего слоя; В — то же с удалением верхнего чувствительного слоя; Г — ИХТ; / — чувствительный слой; 2 — промежуточный слой (для трехслойной системы); 3 — плаиарнза-циоиный слой; 4 — элемент рельефа подложки.
гослойных резистов (MCP) дает возможность решить эти проблемы, а также улучшить результаты переноса изображения в подложку при использовании обычных резистов [1; пат. США 4394437].
В основе MCP лежит образование относительно толстого слоя планаризационного резиста на поверхности подложки (рис. VIII. 1), который затем покрывается слоем чувствительного резиста. После экспонирования и проявления слой чувствительного резиста служит маской при сплошном экспонировании планаризационного слоя. Эта маска называется Portable Conformable Mask — прилегающей маской (ПМ), так как точно воспроизводит поверхность планаризационного слоя. В ряде случаев между слоями планаризационного и чувствительного резиста вводят промежуточный слой, который служит маской при травлении. Можно использовать и большее число слоев, придав им соответствующие функции. Толщина планаризационного слоя зависит, помимо прочих факторов, от топологии подложки и обычно лежит в интервале 1—4 мкм. Толщина чувствительного слоя резиста обычно 0,3—0,5 мкм, толщина промежуточного слоя 0,05—0,2 мкм. Система MCP может быть использована как в оптической и электронной литографии, так и в рентгеновской и ионной. Во всех случаях достигают большего разрешения, чем при обычной однослойной технологии.
Использование MCP в оптической литографии имеет особое значение прежде всего для проекционного экспонирования, так как дает возможность свести к минимуму ограничения глубины
268
резкости однослойных систем и изменения ширины линий, обусловленные разной толщиной пленки резиста на рельефных подложках, а также различиями в интенсивности отраженного от подложки света и связанным с этим интерференционным эффектом. При контактной печати с зазором улучшается качество переноса изображения в результате выравнивания подложки планаризационным слоем и, следовательно, уменьшения непостоянства зазора и толщины слоя чувствительного резиста.
В проекционных системах используется излучение ртутных ламп, имеющее широкие полосы в ближней УФ и коротковолновой видимой области спектра. Если слой резиста толщиной d 2 мкм с показателем преломления п = 1,6 экспонировать светом с длиной волны 436 нм с помощью объектива, имеющего апертуру А 0,28, то глубина резкости Az такой системы составит Az да К/2А2 да да 2,7 мкм, при этом, используя достижимые в реальных условиях оптимальные режимы обработок, удается получать линии шириной К/А да 1,5 мкм. Имея в виду, что эффективная оптическая толщина слоя равна d/n— 1,25 мкм, то область допустимых ошибок резкости (устойчивость системы к различному виду отклонений) составляет величину ~1,5 мкм. Если же при общей толщине MPC 2 мкм чувствительный слой будет иметь толщину 0,5 мкм, то, очевидно, резко возрастает устойчивость совокупного резистного слоя к различному виду отклонений при общем высоком AR MPC. Такой эффект разделения функций между чувствительным и устойчивым к травлению планаризационным слоем позволяет применять объективы с большей апертурой и тем самым одновременно экспонировать большие площади |2].
Так как при экспонировании однослойного резиста происходит многократное отражение света от подложки и от границы резист — атмосфера, то нижние слои резиста экспонируются в меньшей степени, а после изотропного проявления профиль слоя позитивных резистов в верхних слоях расширен (overcut), а у негативных сужен. Разница в ширине проявленных линий на рельефной подложке зависит, следовательно, от толщины слоя резиста, определяемой высотой рельефа подложки. При экспонировании слоев на подложке, которая содержит несколько отражающих слоев (Si02 на поли и монокристаллическом Si), интенсивность отраженного света в результате многократной интерференции зависит от толщины слоев [3]. При помощи системы MCP, особенно при использовании активно поглощающих свет планаризационных слоев, отражение света от подложки исключается, что улучшает качество передачи изображения. Для повышения поглощения в этот слой вводят краситель. Вместо окрашивания между планаризационным и чувствительным слоями рекомендуется использовать слой, поглощающий отраженный свет [4; яп. заявка 59—14639].
Предыдущая << 1 .. 114 115 116 117 118 119 < 120 > 121 122 123 124 125 126 .. 139 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама