Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Сидельковская Ф.П. "Химия N-вннилпирролидона и его полимеров" ()

Райт П. "Полиуретановые эластомеры" (Высокомолекулярная химия)

Сеидов Н.М. "Новые синтетические каучуки на основе этилена и олефинов" (Высокомолекулярная химия)

Поляков А.В "Полиэтилен высокого давления. Научно-технические основы промышленного синтеза" (Высокомолекулярная химия)

Попова Л.А. "Производство карбамидного утеплителя заливочного типа" (Высокомолекулярная химия)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Высокомолекулярная химия -> Беднарж Б. -> "Светочувствительные полимерные материалы" -> 121

Светочувствительные полимерные материалы - Беднарж Б.

Беднарж Б., Ельцов А.В., Заковал Я., Краличек Я., Юрре Т.А. Светочувствительные полимерные материалы — Л.: Химия, 1985. — 296 c.
Скачать (прямая ссылка): photopolimers.djvu
Предыдущая << 1 .. 115 116 117 118 119 120 < 121 > 122 123 124 125 126 127 .. 139 >> Следующая

Если показатели преломления слоев MCP одинаковы, то будет также образовываться стоячая волна. Эти волны весьма однородны в поперечном направлении и вызывают появление «гребенки» в профиле резиста, Правильно выбранной постэкспозиционной
269
термообработкой можно сгладить их отрицательное действие. При использовании тонких слоев резиста обычно снижается продолжительность экспонирования, однако у МРС время экспонирования возрастает, так как снимается действие света, отраженного от подложки. Необходимо поэтому, чтобы резист имел повышенную чувствительность.
Несмотря на то что в электронной литографии для достижения субмикронного разрешения используются апертуры меньшие, чем в оптической литографии, и достигается большая глубина резкости, в результате рассеяния электронов наблюдается расширение линий. Обычно используемая фокусировка пучка электронов до сечения радиусом 50 нм может привести к экспонированию участков с линейными размерами порядка нескольких микрометров (эффект близости). Кроме того, имеет место и отрицательное влияние накопления заряда диэлектриком (например, Si02). Поскольку рассеяние и отражение электронов возрастает с ростом заряда ядра атомов элементов, входящих в состав подложки, влияние на эти величины Si и Se более ярко выражено, чем влияние органических материалов, состоящих только из углерода, водорода и кислорода, что и достигается в планаризационном слое.
Планаризационый резист ограничивает рассеяние в чувствительном слое резиста электронов, отраженных от подложки. Теоретические расчеты показывают, что этим способом можно получить в слое резиста вертикальное изображение краев с меньшими отклонениями при проявлении [5]. Для исключения влияния заряда, накапливающегося при экспонировании резиста на подложке Si02/Si, как и в случае однослойной системы, можно нанести на подложку тончайшие проводящие слои AI или Au, либо сильно легированные полупроводниковые слои Si или Ge. Это, однако, является дополнительной технологической операцией. Для большинства электронорезистов, имеющих чувствительность около Ю-6 Кл/см2, для использования в обычном однослойном варианте требуется высокое значение AR (СОР, FBM, PBS, Sei N). Система MCP дает возможность уменьшить длительность экспонирования при использовании тонкого слоя электронорезиста и толстого слоя планаризационного резиста. При этом можно перенести изображение на подложку с очень высоким значением AR, используя резист с низким значением AR.
При использовании в качестве источника рентгеновского излучения синхротрона применение MCP не имеет преимущества, так как этот источник дает коллимированное излучение, причем можно получить качественный профиль резиста во всем экспонированном поле. Использование MCP, однако, целесообразно при работе с квазиточечными источниками рентгеновского излучения. Определяющим фактором в этом случае является чувствительность резиста, а также возможность коррекции косого профиля рельефа резиста, который образуется, когда линейные размеры экспонируемого участка сравнимы с расстоянием источника до подложки {[6]. Квазиточечные источники рентгеновского излучения работают
270
в области длин волн 0,1—1 нм при 3—20 кВт. В этих условиях можно использовать приемлемые по длительности экспозиции — 60 с при дозе 5-Ю-3 Дж/см2. Такие резисты, как ПММА и ЕВМ, вследствие малой чувствительности, требуют экспозиционной дозы 1 Дж/см2 и 50 Дж/см2 и создают изображение при малом AR [7]. ПДХПА в смеси с сополимером глицидилметакрилата с этилакри-латом, а также с Ы-винилкарбазолом и политетрафторпропилмет-акрилатом при толщине слоя 0,2 мкм требует для экспонирования дозу около 10 Дж/см2 [6], что при использовании МСР обеспечивает достаточное AR. При косом пучке излучения из точечного источника края резиста на границах экспозиционного поля также косые (см. рис. 1.23). Это ухудшает передачу ширины диагональных линий в предельных по разрешению структурах. Использование трехслойного МСР этот недостаток сводит к минимуму. Промежуточный слой можно травить изотропно, а нижний слой планаризационного резиста — анизотропно.
Рис. VI11.2. Образование ГШ для ИХТ при введении Ga3+B толстый слой чувствительного резиста: а — система после введения галлия; б — рельеф после ИХТ; / — полимерный чувствительный резнет; 2 — рельефная подложка; 3 — слой с галлием.
При экспонировании резиста ионами не наблюдается эффекта близости, так как ионы значительно тяжелее и путь их пробега в резисте и подложке зависит от типа ионов и их энергии. Легкие ионы, такие, как Н+ и Не+, могут иметь пробег около 1 мкм, однако у более тяжелых ионов, таких, как Аг+ и Gas+, пробег составляет сотни нанометров. Так как при действии ионов могут нарушиться полупроводниковые свойства подложки, использование MCP может обеспечить высокое качество экспонирования тонкого слоя чувствительного резиста, причем слой планаризационного резиста служит буфером для предотвращения действия ионов на подложку. Кроме того, можно образовать нужный изоляционный барьер, используя толстый слой чувствительного резиста и прямо вводя в него ионы при экспонировании [8]. Если соединения, образованные этими ионами (например, Ga3+), устойчивы при ИХТ, непосредственно образуется собственно ПМ и можно достичь эффективности MCP при использовании однослойного резиста (рис. VIII.2).
Предыдущая << 1 .. 115 116 117 118 119 120 < 121 > 122 123 124 125 126 127 .. 139 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама