Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Сидельковская Ф.П. "Химия N-вннилпирролидона и его полимеров" ()

Райт П. "Полиуретановые эластомеры" (Высокомолекулярная химия)

Сеидов Н.М. "Новые синтетические каучуки на основе этилена и олефинов" (Высокомолекулярная химия)

Поляков А.В "Полиэтилен высокого давления. Научно-технические основы промышленного синтеза" (Высокомолекулярная химия)

Попова Л.А. "Производство карбамидного утеплителя заливочного типа" (Высокомолекулярная химия)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Высокомолекулярная химия -> Беднарж Б. -> "Светочувствительные полимерные материалы" -> 122

Светочувствительные полимерные материалы - Беднарж Б.

Беднарж Б., Ельцов А.В., Заковал Я., Краличек Я., Юрре Т.А. Светочувствительные полимерные материалы — Л.: Химия, 1985. — 296 c.
Скачать (прямая ссылка): photopolimers.djvu
Предыдущая << 1 .. 116 117 118 119 120 121 < 122 > 123 124 125 126 127 128 .. 139 >> Следующая

Как только стало ясно, что полупроводниковая память может превзойти систему памяти на магнитных доменах как с точки зрения технологии, так и стоимости, возникла необходимость в разработке методов изготовления субмикронных элементов и контроля ширины линий на рельефных поверхностях кремниевых подложек. Первоначально системы MCP были использованы для контролируемого изготовления узких линий при помощи образования ин-
271
версного профиля резиста («взрывная» литография, lift-off). Принцип взрывной литографии состоит в анизотропном напылении слоя А1 на экспонированный и проявленный слой резиста, причем на открытых местах подложки образуются линии, ширина которых определяется шириной окон у наружной поверхности резиста. При этом резко уменьшается расширение профиля элементов (линий) у поверхности подложки. Металл, напыленный на поверхность резиста, затем удаляется вместе с резистом при последующем снятии слоя резиста растворителем. С помощью этой техники недавно удалось получить рельефное изображение с шириной линий 10— 20 нм [9].
Для взрывной лнтографни использовали сначала трехслойную систему [пат. США 3873361; яп. заявка 58—151023, 58—151021]. Нижний планаризаци-онный слой был образован сшитым негативным резистом KTFR илн предварительно сильно отвержденным позитивным резнстом AZ-111. В качестве промежуточного слоя использовался неорганический материал (преимущественно А1, Si, SiO, Si3N4 и MgO [2, 10]), напыленный в вакууме. Верхним слоем служили обычные резнсты [11]. После образования рельефа в верхнем слое проводили мокрое травление промежуточного неорганического слоя, а затем травление планарнзационного слоя кислородной плазмой нли ИХТ. Значительное упрощение было достигнуто прн использовании ПДМС в качестве промежуточного слоя, преимущество которого состоит в возможности нанесения из раствора в бутилацетате [12; пат. США 4004044]; кроме того, ПДМС устойчив прн ИХТ и благодаря прозрачности при толщине слоя до 0,15 мкм дает возможность, в отличие от неорганического слоя, легкого совмещения при экспонировании. Этот метод называется Spin-on-Resin-Glass.
В двухслойной системе для электронной литографии в качестве чувствительного нли планаризационного слоя используются сополимеры метилмета-крнлата с метакрнловой кислотой и двойное проявление. Сначала обрабатывают проявителем верхний слой резиста, причем проявитель составляют так, чтобы планарнзационный слой растворялся значительно медленнее и нарушалась только поверхность раздела фаз за счет набухания. Для достижения чувствительности по крайней мере 3-10~5 Кл/см2 необходимо использовать этот сополимер в качестве верхнего слоя. Затем проводят изотропное ПХТ планаризационного слоя, поэтому эта двухслойная система называется wet-etch ПМ [13; пат. США 4024293] (см. рнс. VIII. 1).
Использование двухслойной системы для коротковолновой УФ-литографии основано на том, что позитивные резисты типа AZ-1350 сильно поглощают в коротковолновой области УФ-спектра и эта область может быть использована как рабочая для резист-иой маски на планаризационном слое ПММА [14]. Систему можно использовать и для электронной литографии [15]. Слой позитивного резиста сначала экспонируют пучком электронов, например, дозой З-Ю-6 Кл/см2 при 25 кВ или «обычным» УФ-светом, а после проявления экспонируют целиком коротковолновым УФ-излуче-нием. После сплошного экспонирования проявляют планаризацион-ный слой, на котором слой резиста AZ-1350 может быть сохранен или удален путем подбора проявителя (см. рис. VIII. 1, Б, В). Это достигается при использовании в качестве проявителя соответственно толуола или метилизобутилкетона. Рекомендуется удалять возникший на границе фаз слой кислородной плазмой, особенно при экспонировании пучком электронов. Для снятия интерферен-
272
ционных эффектов после экспонирования УФ-светом рекомендуется нагрев.
Халькогенидное стекло GeSe, чувствительность которого повышена серебром, нанесенное на планаризационный органический слой, способно образовывать высококачественную маску для ИХТ [16]. Эта система позволяет достичь высокого разрешения, получить очень четкие края профиля резиста, а следовательно, и высокую точность передачи линий. Принцип системы состоит в вакуумном нанесении на планаризационный слой ПММА толщиной 2,5 мкм слоя Ge—Se толщиной 0,2 мкм. Повышение чувствительности этого слоя достигается введением серебра, что осуществляют сухим способом — напылением Ag или Ag2Se, либо, что предпочтительно, «мокрым» способом — действием раствора KAg(CN) 2 согласно уравнению [17]:
GeSe2 + 4KAg(CN)2 + 8KOH —v 2Ag2Se + K4Qe04 + 8KCN + 4H20
В процессе экспонирования серебро проникает в слой Ge—Se. С неэкспонированных участков Ag2Se удаляют раствором KtyKb" образующим растворимый комплекс KAgI2. Стекло Ge—Se с этих участков удаляется раствором NaOH, содержащим ионы S2-. В органическом слое можно затем создавать окна с помощью ИХТ в кислородной плазме, при этом Ge—Se служит маской. При введении Ag в слой Ge—Se в процессе экспонирования повышается оптическая плотность пленки Ag2Se. При этом, как и в случае обычных органических резистов, постепенно увеличивается экспозиция экспонируемых областей. В результате образования градиента концентрации Ag на краях изображения Ag может при засветке из неэкспонированного слоя диффундировать в экспонированные области. Хотя это и может привести к снижению пропускания в результате повышения концентрации Ag, однако в результате улучшается четкость краев, что наблюдается у линий шириной не более 0,5 мкм. Непрозрачность слоя Ag2Se/(Ge—Se) для УФ-света исключает влияние отраженного от рельефной подложки света и, наоборот, пропускание света длиной волны более 500 нм дает возможность легкого оптического контроля совмещения.
Предыдущая << 1 .. 116 117 118 119 120 121 < 122 > 123 124 125 126 127 128 .. 139 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама