Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Сидельковская Ф.П. "Химия N-вннилпирролидона и его полимеров" ()

Райт П. "Полиуретановые эластомеры" (Высокомолекулярная химия)

Сеидов Н.М. "Новые синтетические каучуки на основе этилена и олефинов" (Высокомолекулярная химия)

Поляков А.В "Полиэтилен высокого давления. Научно-технические основы промышленного синтеза" (Высокомолекулярная химия)

Попова Л.А. "Производство карбамидного утеплителя заливочного типа" (Высокомолекулярная химия)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Высокомолекулярная химия -> Беднарж Б. -> "Светочувствительные полимерные материалы" -> 123

Светочувствительные полимерные материалы - Беднарж Б.

Беднарж Б., Ельцов А.В., Заковал Я., Краличек Я., Юрре Т.А. Светочувствительные полимерные материалы — Л.: Химия, 1985. — 296 c.
Скачать (прямая ссылка): photopolimers.djvu
Предыдущая << 1 .. 117 118 119 120 121 122 < 123 > 124 125 126 127 128 129 .. 139 >> Следующая

Двухслойная полиснлоксановая система, предназначенная для ИХТ, основана на одновременном нспользованнн нескольких положительных свойств по^ ливнннлметилсилоксана [2,18]: а) высокой чувствительности d'=2-10~ Кл/см' при экспонировании пучком электронов; б) высокой чувствительности при экспонировании светом с длиной волны 220 нм; в) стойкости при ИХТ; г) возможности нанесения этого полимера из раствора на планаризационный резист (обычно AZ-1350 нли AZ-1350J). Ниже указана последовательность операций при использовании двухслойной полнсилоксановой системы: 1) нанесение центрифугированием на подложку нз раствора слоя планарнзационного резиста толщиной 2,5—3 мкм; 2) предэкспозицнонная термообработка (200 °С); 3) нанесение центрифугированием из раствора слоя полиснлоксана толщиной 0,25—0,3 мкм на слой планаризационного резиста; 4) экспонирование пучком электронов или УФ-светом с длиной волны 220 нм; 5) проявление полисилоксанового слоя растворителем; 6) ИХТ планаризационного слоя. Система позволяет достичь AR = 6. Для этой же цели рекомендован и хлорметилнрованный полидифенил-силоксан [19].
273
Современные трехслойные системы для ИХТ подобны системам, используемым для взрывной литографии, и пригодны для всех известных способов экспонирования [20]. В качестве маски, стойкой к ИХТ, можно использовать промежуточный слой Si02, нанесенный на планаризационный резист [21]. Маска удовлетворительна для получения рельефов на Si3N4, полисилоксане, фос-форно-кремниевых стеклах и алюминии. В ПМ, пропускающей коротковолновое УФ-излучение, можно вместо Si02 использовать алюминий [22], что, однако, исключает ИХТ. Предложена система фоторезист/Аэ^з/ПММА [23].
В последние годы системы MCP развивались в двух направлениях: создание ПМ для ИХТ (I) и для экспонирования коротковолновым УФ-излучением (II):
Число слоев 2 2 2 3
Материал маски * Ge—Se HC Сополимер ** Si
Назначение ПМ II II II I
Литература [16] [29] [28] [24, 25]
Число слоев 3 3 3 3
Материал маски* Ge Si3N4 Ge—Se Si02
Назначение ПМ I I I, И I
Литература [25] [26] [28] [27]
* Среднего слоя в 3-слойной системе. ** Полистирол, модифицированный тетратиофульвалеиом.
Отметим некоторые особенности MCP. Использование кремния в качестве промежуточного слоя имеет ряд преимуществ: работа с ним безопасна и не возникают проблемы с загрязнением подложки; он образует маску, стойкую к ИХТ в кислороде, и непрозрачен при экспонировании в коротковолновой УФ-области, в то время как при 500 им полностью прозрачен; однако слой кремния может быть легирован для повышения электрической проводимости и ограничения влияния заряда при экспонировании пучком электронов [30].
Если использовать в качестве промежуточного слоя пленку полимера + Si02, то в него можно ввести краситель и тем самым улучшить все показатели процесса [31]. Нанесение полисилоксана центрифугированием [27] позволяет исключить плазменное нанесение слоя Si02, что упрощает технологию.
С целью совершенствования систем MCP для экспонирования коротковолновым УФ-светом стали применять новые лампы низкого давления на основе кадмия, которые дают требуемую область излучения и работают с эффективностью, в 10 раз превышающей эффективность ксеноно-ртутных ламп [28]. Кадмиевая лампа мощностью 100 Вт способна дать 10 % мощности в коротковолновой (200—300 нм) области, причем в отличие от ртутной лампы, не излучает в области 254 нм. Такие кадмиевые лампы позволяют использовать НС для получения ПМ, работающих в этой области спектра.
Другим подходящим источником для сплошного экспонирования в коротковолновой УФ-области являются мощные импульсные
?74
микроволновые ртутные лампы. Эти лампы в коротковолновой УФ-области дают 8-кратную мощность по сравнению с обычными ртутными лампами [28]. В результате специфических геометрических ограничений части лампы, в которой возникает УФ-излучение, можно, однако, использовать только 15 % этой мощности. Микроволновые ртутные лампы дают стабильный световой поток в течение длительного времени (за 500 ч службы мощность снижается лишь на 10 %) и выходят на рабочий режим за 3 с.
Система с использованием полистирола, модифицированного замещенным тетратиофульвалеиом, в качестве негативного электроиорезиста и ПММА в качестве планаризационного слоя для коротковолновой УФ-области основана на разнице в чувствительности этого полимера (Ы0-5 Кл/см2) и ПММА (8-Ю-5 Кл/см2) [29]. Экспонирование такого полимера, который не образует с ПММА межфазного подслоя, не оказывает влияния на свойства ПММА. Полученную при проявлении маску можно использовать для экспонирования коротковолновым УФ-светом. Слой этого полимера толщиной 0,3 мкм позволяет работать с AR«2,7.
Специальной модификацией однослойного резиста можно приблизиться к технологическим решениям, достигаемым с помощью двухслойных систем. Модификация состоит в снижении скорости растворения поверхностного слоя резиста или в использовании резиста с подходящей оптической плотностью и чувствительностью, который способен образовывать рельеф, имеющий профиль, показанный на
Предыдущая << 1 .. 117 118 119 120 121 122 < 123 > 124 125 126 127 128 129 .. 139 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама