Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Сидельковская Ф.П. "Химия N-вннилпирролидона и его полимеров" ()

Райт П. "Полиуретановые эластомеры" (Высокомолекулярная химия)

Сеидов Н.М. "Новые синтетические каучуки на основе этилена и олефинов" (Высокомолекулярная химия)

Поляков А.В "Полиэтилен высокого давления. Научно-технические основы промышленного синтеза" (Высокомолекулярная химия)

Попова Л.А. "Производство карбамидного утеплителя заливочного типа" (Высокомолекулярная химия)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Высокомолекулярная химия -> Беднарж Б. -> "Светочувствительные полимерные материалы" -> 124

Светочувствительные полимерные материалы - Беднарж Б.

Беднарж Б., Ельцов А.В., Заковал Я., Краличек Я., Юрре Т.А. Светочувствительные полимерные материалы — Л.: Химия, 1985. — 296 c.
Скачать (прямая ссылка): photopolimers.djvu
Предыдущая << 1 .. 118 119 120 121 122 123 < 124 > 125 126 127 128 129 130 .. 139 >> Следующая

Рис. VIII. 3. Схематическое изображение профиля позитивного резиста AZ, экстрагированного хлорбензолом, с уширенным поверхностным слоем [уширеиие = {z—y )/2].
рис. VIII. 3. В первой системе используется обычный ХИНОН-диазидный позитивный резист, который перед или после экспонирования смачивают хлорбензолом так, чтобы глубина проникновения (Ь—а) составляла 0,3 мкм при общей толщине слоя (b) 1 мкм [32, пат. США 4212935; яп. заявка 58—145133]. Экстракция низкомолекулярных компонентов НС хлорбензолом снижает скорость растворения поверхностного слоя резиста при проявлении и образованный профиль (см. рис. VIII. 3) можно затем использовать во взрывной литографии. Если слой резиста толщиной около 0,3 мкм достаточен в качестве маски для сухого травления, можно провести анизотропное сухое травление подложки или взрывную литографию [33]. В другой системе используется негативный резист MRS, содержащий одновременно компоненты, чувствительные в коротковолновой и средневолновой областях УФ-спектра [34], причем его чувствительность и поглощение выше в области коротковолнового УФ-излучения. У этого резиста из-за малой глубины проникновения коротковолнового УФ-света дости-
276
гается высокое разрешение в поверхностной части слоя; излучение же с большей длиной волны проникает в нижние слои и обеспечивает достаточно высокое значение AR. В результате создается профиль рельефа, как и в предыдущей системе с хлорбензолом.
Тщательное изучение планаризационного слоя с использованием механического глубиномера показало, что наибольший собственно планаризационный эффект наблюдается при использовании ПММА с ММ около 33000 [2]. Поскольку контрастность ПММА как позитивного резиста повышается с ростом его ММ, это необходимо учитывать при выборе ММ планаризационного резиста.
В результате использования тонких слоев чувствительного резиста с целью получения более точного переноса изображения система MCP оказывается более уязвимой по критерию пористости. Для определения числа пор проводят следующие операции. В производстве МДП-транзисторов наносят на проводник пленку S1O2 толщиной 35 нм и создают MCP в соответствии с полной технологической схемой, за исключением экспонирования. Диоксид кремния затем травят в местах дефектов мокрым или сухим (плазма CF4) способом. После этого резист удаляют, а на поверхность Si02 наносят кружки алюминия диаметром 0,8 мм, подавая на них последовательно напряжение 1,5—3,0 В на 1 см. В качестве меры пористости используют отношение общего числа замыканий к общей площади алюминиевых кружков. Этот метод может быть использован для оценки вклада каждой технологической операции в создание пористости. Оказалось, что пористость обусловлена дефектами в слое чувствительного резиста AZ, но не дефектами в планаризационном слое ПММА [2]. При использовании органоси-локсанов в качестве промежуточного слоя пористость составила 3 см-2, которая столь мала, что не оказывает влияния на последующие технологические процессы.
Важной проблемой системы MCP является возникновение межфазного подслоя (вуали) между планаризационным и чувствительным слоями в двухслойной системе и между промежуточным поли-силоксановым слоем и планаризационным слоем, а также чувствительным слоем в трехслойной системе.
В системе AZ/ПММА возникновение межфазного подслоя является диффузионным процессом, который усиливается с повышением температуры предэкспозиционной термообработки и концентрации резиста при постоянной частоте вращения центрифуги в операции формирования слоев. С ростом скорости центрифугирования толщина межфазного слоя уменьшается. Опытным путем сначала выбирают оптимальную температуру предэкспозиционной термообработки, а потом концентрацию резиста и частоту вращения центрифуги. Оптимизация проявителя состоит в использовании растворителя, который при проявлении планаризационного слоя одновременно немного растворяет и рельефный слой. При этом может быть обеспечено удаление межфазного подслоя. Планаризационный слой должен быть перед нанесением полисилоксана предварительно отвержден при 200°С так же, как и полисилоксановый слой
276
перед нанесением слоя чувствительного резиста с тем, чтобы избежать межфазного смешения и растрескивания силоксанового слоя.
При сухом травлении на поверхности подложки могут оседать остатки электродов. Чтобы избежать этого, кроме поддержания абсолютной чистоты камеры для травления резиста или проведения травления подложки и резиста в разных камерах, можно покрывать все экспонированные проводящие поверхности на подложке диэлектриком, например фоторезистом. Удаление осадков проводят ополаскиванием подложек в растворителе и слабым мокрым травлением с последующим ополаскиванием.
Вместо жидкостного проявления рекомендуется применять сухой процесс — создавать на полисилоксане после его экспонирования пучком электронов резистный рельеф в результате полимеризации мономера из газовой фазы на активированных участках [35].
Причиной ряда дефектов может быть возникновение напряжений в разных слоях, что проявляется прежде всего у трехслойных систем, содержащих промежуточный слой; с этой точки зрения особенно невыгоден слой Ti.
Предыдущая << 1 .. 118 119 120 121 122 123 < 124 > 125 126 127 128 129 130 .. 139 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама