Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Сидельковская Ф.П. "Химия N-вннилпирролидона и его полимеров" ()

Райт П. "Полиуретановые эластомеры" (Высокомолекулярная химия)

Сеидов Н.М. "Новые синтетические каучуки на основе этилена и олефинов" (Высокомолекулярная химия)

Поляков А.В "Полиэтилен высокого давления. Научно-технические основы промышленного синтеза" (Высокомолекулярная химия)

Попова Л.А. "Производство карбамидного утеплителя заливочного типа" (Высокомолекулярная химия)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Высокомолекулярная химия -> Беднарж Б. -> "Светочувствительные полимерные материалы" -> 125

Светочувствительные полимерные материалы - Беднарж Б.

Беднарж Б., Ельцов А.В., Заковал Я., Краличек Я., Юрре Т.А. Светочувствительные полимерные материалы — Л.: Химия, 1985. — 296 c.
Скачать (прямая ссылка): photopolimers.djvu
Предыдущая << 1 .. 119 120 121 122 123 124 < 125 > 126 127 128 129 130 131 .. 139 >> Следующая

Удовлетворительные результаты при использовании MCP достигаются лишь в случае хорошего совмещения. При сплошном коротковолновом УФ-экспонировании чувствительный резист должен проявлять высокую поглощающую способность, что необходимо для достижения высокого контраста, и одновременно быть прозрачным для света, предназначенного для контроля совмещения. С этой точки зрения вполне удовлетворительными являются резисты, содержащие в качестве полимерной основы кремнийорга-нические полимеры или НС, непрозрачные для коротковолнового УФ-света, но прозрачные для света с большей длиной волны. Удовлетворительной является также и система Ge—Se [1].
Контроль полученного изображения в слое чувствительного резиста при экспонировании с помощью видимого света затруднен из-за малой толщины слоя и его прозрачности. Для измерения ширины линий при помощи электронно-оптических приборов необходима высокая контрастность и толщина линий. Поэтому применять эти приборы для контроля изображений не удается. Вообще оптимальная методика контроля до сих пор не разработана. Для определения параметров проявления планаризационного резиста можно, однако, использовать типовые приемы, способные регистрировать окончание процесса проявления. Так, для системы MCP применяют методику определения конца проявления слоя резиста в крайней точке, экспонированного дозой, двойной по сравнению с оптимальной (Double Exposure End Point Detection, DEEPDET) [36].
Удаление органических слоев всех типов после травления подложки можно проводить в кислородной плазме при условии, что поверхность слоя резиста не была сильно модифицирована введением ионов при травлении. В противном случае лучше применять кислотную смесь (H2SO4—HNO3).
Создание рельефов субмикронных размеров приведет к услож-
277
нению всего литографического процесса, к увеличению числа технологических операций и к повышению требований к резистам и приборам. Преимуществом однослойных систем является прежде всего простота процесса, состоящего из 4 операций, включая проявление. Даже при использовании хлорбензола в качестве ингибитора растворения поверхностного слоя резиста добавляется всего две операции. Для двухслойных систем с мокрым проявлением или ИХТ необходимо уже 7 технологических операций, система Qe—Se требует 8 операций. Достоинством модифицированных однослойных систем является возможность достижения хорошего разрешения и высокого AR при использовании обычного экспозиционного устройства.
Поскольку выбор материалов для однослойной системы существенно ограничен взаимоисключающими требованиями, дальнейшее улучшение чувствительности этих систем будет зависеть от создания новых материалов. Ограничение влияния стоячей волны при фотолитографии, эффекта близости в электронной литографии, косого профиля в рентгеновской литографии или малого пробега ионов в ионной литографии возможно только при использовании MCP [29]. Наиболее перспективными представляются двухслойные системы, хотя трехслойные системы и более универсальны, до сих пор неизвестно, будут ли высокие затраты на их создание окупаться стоимостью конечных изделий.
Недавно созданный при помощи так называемой методики CEL (Contrast Enhanced Litography) MCP дает возможность распространить фотолитографию на создание элементов субмикронных размеров. При этом методе для повышения контрастности промышленных позитивных резистов используется снижение пороговой светочувствительности Shop, что достигается нанесением на позитивный резист тонкой пленки (около 0,2 мкм), содержащей вещество, поглощающее в области экспонирующего света (~436 мкм).
При экспонировании происходит постепенное повышение прозрачности пленки и за обычное время слой резиста экспонируется главным образом в середине прозрачного участка шаблона, а на краях этого участка слой резиста не получает дозы, отвечающей Snop (см. рис. 1.8). Результатом является резкое сужение линий образованного рельефа до предела, определяемого длиной волны света. Использование третьего противоореольного слоя между подложкой и резистом дает возможность применять эту систему и на отражающих подложках. Увеличение числа технологических операций и в некоторой мере длительности экспонирования компенсируется возможностью изготовления рельефа с разрешением 0,45 мкм на промышленных фоторезистах с применением обычных проекционных устройств без существенных дополнительных капиталовложений. Этот метод в ближайшее время предполагают внедрить в технологическую практику, его разработка является доказательством того, что еще не в полной мере использованы возможности фотолитографии [37].
278
ПРИЛОЖЕНИЕ. ПРОМЫШЛЕННЫЕ ФОТОРЕЗИСТЫ
В настоящее время наиболее широко изготовляются и применяются составы (табл. 1—5), которые в основном обеспечивагот запросы полупроводникового приборпстрое-ния и полиграфии [1—5]. Область их применения не исчерпывает потенциальных возможностей состава. Приведенные ниже параметры отвечают усредненным показателям при
их традиционном использовании.
Негативные фоторезисты, выпускаемые в СССР (см. табл. 2), относятся к пнтсо-держащим (например, ФН-П, ФН-ПК, ПЦГД), циииаматиым (например, ФН-5ТК>, с/отопо-лимериым (ФПС). Кроме того разработаны и другие материалы, например, фотополимерные составы «Фотосет» или отличающийся великолепными фототехническими параметрами ФСН [6],. Найденные константы фотолиза и термолиза ФН-П и ФН-5ТК позволяют оптимизировать их Применение [7]. Резисты ФН-П, ФН-ПК имеют большую разрешающую способность по сравнению с фоторезистом ФН-5ТК и устойчивы в кислотах и щелочах.
Предыдущая << 1 .. 119 120 121 122 123 124 < 125 > 126 127 128 129 130 131 .. 139 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама