Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Сидельковская Ф.П. "Химия N-вннилпирролидона и его полимеров" ()

Райт П. "Полиуретановые эластомеры" (Высокомолекулярная химия)

Сеидов Н.М. "Новые синтетические каучуки на основе этилена и олефинов" (Высокомолекулярная химия)

Поляков А.В "Полиэтилен высокого давления. Научно-технические основы промышленного синтеза" (Высокомолекулярная химия)

Попова Л.А. "Производство карбамидного утеплителя заливочного типа" (Высокомолекулярная химия)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Высокомолекулярная химия -> Беднарж Б. -> "Светочувствительные полимерные материалы" -> 126

Светочувствительные полимерные материалы - Беднарж Б.

Беднарж Б., Ельцов А.В., Заковал Я., Краличек Я., Юрре Т.А. Светочувствительные полимерные материалы — Л.: Химия, 1985. — 296 c.
Скачать (прямая ссылка): photopolimers.djvu
Предыдущая << 1 .. 120 121 122 123 124 125 < 126 > 127 128 129 130 131 132 .. 139 >> Следующая

Негативные фоторезисты чехословацкого производства приведены в табл. 3. Композиция SCR-3,1 подходит для слоев толщиной 3—5 мкм и репродукции элементов размером более 20 мкм, может использоваться для образования рельефных элементов иа металлической фольге. Композиция SCR-3.2 подходит для получения слоев толщиной 1,5—3 мкм, разрешающая способность 10—30 мкм, может наноситься окунанием. Резнет SCR-3.3 разработай для образования субмикроииых элементов с четырьмя краями в слоях толщиной 0,3—1,5 мкм, специально очищеи от механических примесей. Резист SCR-3,4 пригоден для травления Si02, оптимальная толщина слоя 0,8—1 мкм. Резнет SCR-7,1 тщательно очищеи, имеет минимальную зольность, рекомендуется для создания полупроводников, особенно иа кремнии. Композиция SCR-7,lp создана специально для травления кремния в производстве мощных транзисторов, подходит для травления до глубины 50 мкм, устойчива в агрессивных травильных растворах; оптимальная толщина слоя 6—8 мкм. Резист SCP-7,2 тщательно очищен, имеет минимальную зольность, пригоден для быстрого травления алюминия горячей концеитрироваииой фосфорной кислотой и далее для травления Si03. Резист SCR-7,3 имеет повышенную адгезию в толстых слоях, стабилизирован для долговременной обработки в кислородной атмосфере, допускает нанесение окунанием; можно проявлять в парах трнхлорэтилена, подходит для травления подложки иа большую глубину. Фоторезисты следует хранить в темной стеклянной посуде при Ю—20 °С. После нанесения слой резиста 5—10 мин сушат при комнатной температуре, а затем 10—30 мин при 60—80 °С. До-отверждение проводят при 80—150 °С в зависимости от агрессивности используемого тра-вителя.
Из позитивных резистов композиция SCR-5 отличается высокой разрешающей способностью; используется в микроэлектронике; разводится в отношении 1:1. Композиция SCR-9 рекомендуется для серийного производства многослойных печатных плат с металлизированными отверстиями; оптимальная толщина 5—10 мкм; наносится поливом, бильшая вязкость резиста предотвращает затекание в отверстия. Резнет SCR-11 отличается хорошей адгезией к металлическим поверхностям, рекомендуется для образований элементов с размерами в полупроводниковой технологии при травлении AI, Cr и SIO2 порядка I мкм; оптимальная толщина слоя 1—2 мкм; проявляется в проявителе для SCR-9, разведенном деиоИизоваииой водой в отношении I : 4.
Один из выпускаемых в США негативных фоторезистов (табл. 4) KPR (Kodak Photoresist) производится нескольких типов для получения пленок различной толщины, первоначально предназначался для полиграфии, может использоваться в производстве печатных плат. KPR и KPR-2 подходят для создания тонких слоев, KPR-3 — для травления относительно толстых слоев. Резнет KPL (Kodak Photosensitive Lacquer) применяется аналогично KPR, но имеет в 4 раза большее содержание сухого вещества и растворим в значительно более летучих растворителях; дает более толстые пленки, применим для травления толстых слоев. Резист KOR (Kodak Ortho Resist) предназначен для ускоренного экспонирования, отличается повышенной светочувствительностью к зеленой части спектра. Композиция KMER (Kodak Metal-etch Resist) рекомендуется для тонких слоев; характеризуется высокой разрешающей способностью; различные марки имеют несколько отличающиеся состав и чистоту; предназначается для глубокого травления оксидов и металлов, таких как Мо, Та, N1, Cr, AI, Си и нержавеющая сталь; отличается стойкостью к действию большинства травителей. Резист KTFR (Kodak Thin Film Resist) обладает очень хорошей адгезией к металлическим н оксидным слоям; устойчив к кислотам с сильным окисляющим действием и щелочным растворам. Microneg — исключительно чистый фоторезист (фильтрован через поры 0,5 мкм), производимый в нескольких вариантах, различающихся по вязкости; равномерная толщина слоя достигается нанесением центрифугированием при 4000—7000 об/мни; сушат при 70—90°С в течение 10—20 мин. Резист waycoat 1С подобен резисту KTFR, перед нанесением фильтруется через поры 0,5 мкм. Micro-Image Isopoly дает очень хорошее разрешение, разбавлением можно изменять вязкость в пределах от 10 до 500 мПа с; максимальный размер твердых частиц 0,2 мкм; влияние кислорода до некоторой степени подавлено.
Одни из выпускаемых в США позитивных фоторезистов (табл. 5) AZ-1350 подходит для создания рельефов с тонкими линиями в тонких слоях. AZ-I350H подобен AZ-I350, но имеет более высокое содержание сухого вещества и дает более толстые слои; пригоден для создания рельефа с элементами 2,5 мкм, рельеф отличается минимальным подтравли-ваиием. Резист Micro-Image Isofine и растворы для его обработки фильтрованы через поры 0,2 мкм, при проекционной технике — до 2 мкм; имеет хорошую адгезию к SlOa, AI, Cr, Си и другим металлам; устойчив к травителям. Резист Mtcroltne, PR-102 перед иаиесеиием фильтруется через поры 0,25 мкм; пригоден для создания рельефов с размерами элементов 2,5 мкм.
Фоторезисты серий AZ-1300, AZ-I400, AZ-100, AZ-300 предназначены главным образом для стандартной фотолитографии в УФ-области 360—450 нм, причем типы AZ-1300 особенно подходят для производства полупроводниковых интегральных схем и солнечных батарей. Тип AZ-ІП кроме производства полупроводников используется для изготовления печатных форм. Типы AZ-1400 особенно подходят для производства шаблонов и видеодисков.
Предыдущая << 1 .. 120 121 122 123 124 125 < 126 > 127 128 129 130 131 132 .. 139 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама