Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Сидельковская Ф.П. "Химия N-вннилпирролидона и его полимеров" ()

Райт П. "Полиуретановые эластомеры" (Высокомолекулярная химия)

Сеидов Н.М. "Новые синтетические каучуки на основе этилена и олефинов" (Высокомолекулярная химия)

Поляков А.В "Полиэтилен высокого давления. Научно-технические основы промышленного синтеза" (Высокомолекулярная химия)

Попова Л.А. "Производство карбамидного утеплителя заливочного типа" (Высокомолекулярная химия)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Высокомолекулярная химия -> Беднарж Б. -> "Светочувствительные полимерные материалы" -> 13

Светочувствительные полимерные материалы - Беднарж Б.

Беднарж Б., Ельцов А.В., Заковал Я., Краличек Я., Юрре Т.А. Светочувствительные полимерные материалы — Л.: Химия, 1985. — 296 c.
Скачать (прямая ссылка): photopolimers.djvu
Предыдущая << 1 .. 7 8 9 10 11 12 < 13 > 14 15 16 17 18 19 .. 139 >> Следующая

Из приведенных соотношений видно, что разрешающая способность пропорциональна X для проекционного способа и X0-5 для контактного способа. Очевидно, для оптического диапазона (X « 0,2 -т- 0,8 мкм) разрешение не может превышать 0,2 мкм. Это ограничение оптического метода экспонирования может быть преодолено лишь при переходе в более коротковолновый, например рентгеновский, диапазон электромагнитного излучения, где X ж ж 0,5—5 нм. Однако реальные оптические системы, реальные условия формирования микроизображения не позволяет достичь и этих предельных значений и в настоящее время предельная разрешающая способность оптических методов не превышает 0,5—0,8 мкм, а хорошо освоенные и широко используемые процессы и системы обеспечивают разрешающую способность 1—1,5 мкм. Кроме длины волны излучения и другие параметры ограничивают реальную разрешающую способность оптических методов и часто определяют возможность использования того или иного метода на практике.
Для проекционного метода значение имеет качество всей оптической системы, причем в настоящее время лимитирующими являются не аберрация объектива, строящего изображение, а дифракционные ограничения, определяемые волновой природой света, и явления, связанные с рассеянием света (в том числе и в толще светочувствительного материала), интерференционными эффектами и когерентностью (частичной) света [29]. При этом необходимо учитывать, что объективы, используемые в высококачественных фотолитографических системах, являются дифракционно ограниченными.
26
Реальную разрешающую способность контактного метода ограничивает величина зазора (от 1 до нескольких мкм) между поверхностями шаблона и резиста, которая непостоянна по всему полю экспонирования, так как указанные поверхности практически никогда не бывают плоскими.
К принципиальным недостаткам контактного метода относятся образование дефектов изображения из-за контактных нагрузок на фоторезистную пленку и несовмещаемость изображений различных слоев, также связанная с контактными деформациями искривленных поверхностей. Оптимизация условий контактного экспонирования и приводит к тому, что предельные возможности метода не реализуются на практике. Попытки снизить контактное усилие с целью устранения дефектообразований в резисте приводит к падению разрешающей способности метода и неконтролируемому уходу размеров элементов из-за образования зазоров, а также расходимости экспонирующего пучка лучей и дифракции. Расходимость (апертура) пучка лучей даже при наличии конденсорных коллимирующих систем в современных установках экспонирования составляет 3—7°, что и при небольших зазорах приводит к образованию полутени в изображении, отклонениям линейных размеров элементов и ухудшению качества края элементов. Дифракция света на краях элементов при наличии микрозазоров переменной величины по площади объекта приводит к образованию интерференционной структуры в изображении и ряду других нежелательных эффектов, например так называемому двойному краю — оконтуриванию изображения элементов вследствие осцилляции освещенности у края элементов, что связано с контрастностью и пороговыми свойствами светочувствительного материала. Могут искажаться углы элементов и даже их форма, особенно существенными эти искажения могут быть при использовании когерентного света.
Распределение интенсивности в дифракционной картине при падении плоской световой волны на полуплоскость имет вид, представленный на рис. 1.6; соответствующие аналитические выражения можно найти для непрозрачного экрана в большинстве курсов физической оптики, а для полупрозрачных экранов, какими являются некоторые покрытия, используемые в качестве маски в микроэлектронике,— в работе [30].
Осцилляции амплитуды и интенсивности света, возникающие в слое в результате сложения прямо прошедшего через маску и ди-фрагмированного на краях элементов волновых фронтов, могут проявляться на фоторезисте при условии, если максимумы интенсивности в тени или минимумы интенсивности в прозрачных областях маски обеспечивают за время экспонирования накопление энергии в слое резиста, соответствующей пороговой экспозиции, и достаточной для удаления части слоя резиста в данных условиях обработки.
На рис. I.7 приведена картина типичного распределения интенсивности света (изолюксы) в изображении угла топологического
27
элемента. Видно, что при различных условиях экспонирования и обработки в изображении могут быть получены различные отклонения формы и размеров элементов (линии, угла, прямоугольника и т. д.). На рис. 1.8 показана качественная картина распределения интенсивности света в слое резиста при контактной печати. В зависимости от режимов обработок и свойств резиста при наличии подобного скрытого изображения может быть образован в конечном итоге рельеф с линиями различной геометрии. Интересно, что
рнс. 1. 6. Распределение интенсивности света (<Г) дли частично пространственно когерентного луча света после дифракции от края маски (а): / — точечный источник; 2 — край маски.
Рнс. 1.7. Распределение интенсивности света (изолюксы) в изображении угла топологического элемента:
Предыдущая << 1 .. 7 8 9 10 11 12 < 13 > 14 15 16 17 18 19 .. 139 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама