|
Светочувствительные полимерные материалы - Беднарж Б.Скачать (прямая ссылка):  17 J. Vac. Sei. Technol, 1981, v. 19, № 4, p. 1313—1319. 16. Tai К L., Sin- 8; clair W. R., Vadimsky R. G. e. a.— J. Vac. Sei. Technol, 1979, v. 16, № 6, p. p. 1977—1979. 17. Vadimsky R. G, Tai К L. — Electrochem. Soc, Extended D Abstracts, 1980, v. 83, № 2, p. 824. 18. Shaw /, Hatzakis AL, Paraszaczak J.e.a.— H Polym. Eng. Sei, 1983, v. 23, p. 1054—1058. 19. Tanaka A, Morita AL, Ima- p. mura S. e. a.— Polym. Prepr, 1984, v. 25, p. 309—310. 20. Aloran /. AL, May-dan D. — i. Vac. Sei. Technol, 1979, v. 16, № 6, p. 1620—1624. K. 21. Gupta S, Audian C. — Proc. SPIE, 1984, v. 469, p. 179—188; Ch. A., v. 1984, v. 101, 81553m. 22. Lin B. /, Chang Т. H. — J. Vac. Sei. Technol., 1979, p. v. 16, № 6, p. 1669—1671. 23. Singh В., Chem G, Lauks /. — Appl. Phys. Lett., N. 1984 v 45 № 1, P- 74—76. 24. Wats R. K-. Fichtner W., Fuis E. N. e.a.— Proc' I EDM, 1980, p. 772. 25. Kruger J. В., Rissman P.. Chang M. S. — J. Vac. Sri Technol 1981, v. 19, JVb 4, p. 1320-1324. 26. O'Toole M. AL, Lin E. D., Chans M 5. —Proc SPIE, 1981, v. 275, p. 128. 27. Ray G. W., Peng 5, Bur-riesci D. e. a. — J. Electrochem. Soc, 1982, v. 129, № 9, p. 2152-2154. 28. Bat-chelden W. T., Tahemoto C. — Semicond. International, 1981, v. 7, p. 213. 29. Lin B. /, Chao V. W., Kaufman F. B. e. a. — Electrochem. Soc, Extended Abstracts 1982 v. 82, № 1, p. 275. 30. Tennant D. AL, Jacket L. D., Howard R. E. e a. j. Vac. Sei. Technol, 1981, v. 19, № 4, p. 1304—1307. 31. Matsui Sh., Endo N. — Microelectron. Eng., 1983, v. 1, № 1, p. 51—67. 32 Hatzakis M. — IBM J. Res. Dev., 1980, v. 24, № 4, p. 452—460; Halver-son R M. Macintyre M. W., Motsiff W. T. — Ibid, 1982, v. 26, № 5, p. 590-595. 33. Batschelder W. T. — Solid State Technol, 1982, v. 25, № 2, p. 112. 34. Mat-suzawa T., Tomioka H. — IEEE Trans. Electron Devices, 1981, v. ED-28, p. 1284. 35. Morita M., Imamura S., Tamamura T. e. a.— J. Electrochem. Soc, 1984, v 131 № 3 p. 653—654. 36. Lin B. /. — IEEE Trans. Electron Devices, 1978, v ED-25, p. 419. 37. Griffing B. F., West P. R., Heath B. A. —IEEE Electron Devices Lett., 1983, v. EDL-4, № 1, p. 14—16; ibid, № 9, p. 317—320. К приложению I. Герасимов Б. Г., Гуров С. А, Эрлих Р. Д. и др.— Хим. пром., Ю81, № 10, с. 40—43. 2. Боков Ю. С. Фото-, электроио- и реитгенорезисты. М.: Радио и связь, 1982, 136 с. 3. Лаврищев В. П., Лубашевская А. В., Порвин Л.М.— Электронная техника, сер. 3, 1981, вып. 2(92), с. 82—91. 4. Климкович А. В., Микиртумов Ю. А.„ Николаев А. В. —Электронная техника, сер. 3, 1983, вып. 6 (165), с. 38—41; Никифоров Э. Я, Хворостина А. И. — Электронная техника, сер. 7, 1980, вып. 6 (103), с. 7—9; Микиртумов Ю. А, Бухаров Б. Al, Берников М. А. и др. — Электронная техника, сер. 2, 1984, вып. 3 (169), с. 20—26. 5. Варшавер Л. Я-, Никифоров Э. Я., Хворостина А. И. — Элетрои-иая техника, сер. 7, 1977, вып. 6 (85), с. 10—13; Кольцов В. Ю., Соломонен-ко Г. Н. — Там же, сер. 3, 1980, вып. 2 (86), с. 39—43; Гущин Al. 5, Иванов Р. Д., Петров В. М. — Там же, 1981, вып. 3 (93), с. 64—68; Ажара 3. И., Лаврищев В. П., Прохоров Ю. И. —Там же, 1976, вып. 3 (63), с. 59—63. 6. Маневич М. Л., Фокин Е. П., Фокина И. А. и др. — Электрой, и полупроводник, приборостроение, Новосибирск, 1977, с. 203—207; РЖЭ, 1978, 11Б717. 7. Ерусалимчик И. Г., Крейман Р. И.. Кривенко А. Ф. — Электронная техника, сер. 2, 1974, вып. 7 (89), с. 86—90. 8. Soutor 2, Savel /., Zarek /. —Hybridni integrovane obvody. Praha: SNTL, 1982. 296 2?
Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены. |
|
|||||||||||||||||||||||||
|
|
|
||||||||||||||||||||||||||
