Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Сидельковская Ф.П. "Химия N-вннилпирролидона и его полимеров" ()

Райт П. "Полиуретановые эластомеры" (Высокомолекулярная химия)

Сеидов Н.М. "Новые синтетические каучуки на основе этилена и олефинов" (Высокомолекулярная химия)

Поляков А.В "Полиэтилен высокого давления. Научно-технические основы промышленного синтеза" (Высокомолекулярная химия)

Попова Л.А. "Производство карбамидного утеплителя заливочного типа" (Высокомолекулярная химия)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Высокомолекулярная химия -> Беднарж Б. -> "Светочувствительные полимерные материалы" -> 15

Светочувствительные полимерные материалы - Беднарж Б.

Беднарж Б., Ельцов А.В., Заковал Я., Краличек Я., Юрре Т.А. Светочувствительные полимерные материалы — Л.: Химия, 1985. — 296 c.
Скачать (прямая ссылка): photopolimers.djvu
Предыдущая << 1 .. 9 10 11 12 13 14 < 15 > 16 17 18 19 20 21 .. 139 >> Следующая

Уменьшения пространственной когерентности необходимо добиваться и при использовании простой контактной печати с обычными ламповыми источниками излучения. Действительно, широко используемые в фотолитографии ртутные лампы сверхвысокого давления типа ДРШ имеют малое по сравнению с расстоянием до плоскости экспонирования Ь тело освещения (2—5 мм при Ь = = 200—500 мм), т. е. по размерам приближающееся к точечному источнику. Точечный же источник создает когерентное освещение,
что в большинстве случаев является нежелательным. Для снижения пространственной когерентности необходимо применять протяженный источник излучения, каждая точка которого некогерентна друг другу, за счет чего в плоскости изображения происходит наложение нескольких волновых фронтов, каждый из которых дает соответствующие распределения интенсивности. В результате интенсивности отдельных дифракционных минимумов и максимумов, результирующая амплитуда осцилляции уменьшается, качество изображения улучшается.
Чрезмерное увеличение размера (апертуры) источника, как отмечалось выше, приводит к увеличению области полутени, уменьшению крутизны пограничной кривой (изображение полуплоскости), что такое нежелательно. Именно поэтому с учетом этих двух
I. 10. Факторы, влияющие / \/ х //, <Гй
ередачу изображений при Гяу*У ~ ° f ¦ . ,°,
Рис
на передачу контактной печати 1 — экспонирующий свет; 2 — маска; 3 — зазор; 4 — слой ре-знста; 5 — отражающая часть подложки; 6 — подложка; сс — апертура источника.
факторов существует оптимальное значение апертуры источника
ЭКСПОНИруЮЩеГО ИЗЛучеНИЯ, КОТОрОе СОСтаВЛЯеТ ОСопт = 5°.
Еще одним явлением, ограничивающим возможности фотолитографии, является образование стоячей волны в толще слоя фоторезиста — приемника излучения, который стоит последним в совокупной цепи формирования микроизображений; свойства резиста должны отвечать особенностям результирующей структуры скрытого изображения. На рис. I. 10 представлен ряд эффектов, которые ограничивают возможности фотолитографии: а —апертура светового пучка; б — многократное отражение, в — дифракция, г — рассеяние в толще светочувствительного материала, д — стоячие волны. Стоячие волны возникают в толще фоторезиста в результате взаимодействия падающей и отраженной от подложки световых волн. Можно показать, что интенсивность стоячей волны /с определяется выражением:
1с(х) = 4/, sin2 fe (d — x) (1.12)
где 1\ — интенсивность волны, распространяющейся по направлению х в толще фоторезиста.
Величину & находят из выражения (I. 13)
k = 2ялД (1.13)
В результате образования стоячей волны в толще фоторезиста имеют место чередующиеся максимумы (пучности колебаний) и минимумы (узлы колебаний), что приводит к неравномерному засвечиванию фоторезиста по толщине. Положение максимумов и
31
30
минимумов освещенности относительно отражающей поверхности подложки определяется выражениями:
/МН11 = d - х = 0; А/(2я), 2А/(2я)..... ЫХ/(2п) (1.14)
/mdkc = V(4«); ЗЛ/(4п)..... (2/V + 1) Л/(4п) (I. 15)
где JV = 0; 1; 2; ... — порядковый номер экстремума.
Эффект стоячих волн может привести к неравномерному экспонированию резиста у поверхности и у подложки, к непроявлению элементов, к переэкспонированию (или недоэкспонированию) у поверхности, к существенному разбросу времени проявления для участков с различной толщиной слоя фоторезиста и, наконец,
к неровности края, характерной многослойной, ребристой структуре краев элементов (рис. 1.11 и I 12) [35, 36]. Все это существенно ограничивает возможности фотолитографии и нередко является препятствием к внедрению новых технологических средств и методов (например, проек-
|, , i-1_i, i Рис. I. 11. Распределение интенсивности света с >.
0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 404,7 им в слое резиста AZ = 1350 J толщиной 0,63 мкм иа отражающей силиконовой подложке в начале осумкм экспонирования.
ционной фотолитографии с использованием монохроматического излучения).
Зависимость экспозиции и, следовательно, размеров элементов в изображении от толщины слоя фоторезиста (точнее разно-толщинности) приводит к искажению формы элементов, искривлению прямых линий, возникновению на них характерных утолщений.
Влияние стоячей волны может быть частично устранено выбором оптимальной толщины слоя резиста и с помощью изменения отражательной способности подложки [27], а также постэкспозиционной тепловой обработкой, которая дает возможность при нагреве полимерного материала выше Тс улучшить границы рельефа фоторезиста вследствие текучести материала [37]. Подобное влияние оказывает и использование концентрированных проявителей или продолжительного проявления; эти приемы, однако, не позволяют избежать изменения размеров линий на рельефных поверхностях. Эффективным методом является планаризация рельефной поверхности подложки слоем полимера, на который затем наносится слой резиста. Такая структура дает возможность достичь нормального изображения в тонком слое резиста с последующим переносом изображения в планаризационный полимерный слой [16] (см. гл. VIII).
Предыдущая << 1 .. 9 10 11 12 13 14 < 15 > 16 17 18 19 20 21 .. 139 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама