Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Сидельковская Ф.П. "Химия N-вннилпирролидона и его полимеров" ()

Райт П. "Полиуретановые эластомеры" (Высокомолекулярная химия)

Сеидов Н.М. "Новые синтетические каучуки на основе этилена и олефинов" (Высокомолекулярная химия)

Поляков А.В "Полиэтилен высокого давления. Научно-технические основы промышленного синтеза" (Высокомолекулярная химия)

Попова Л.А. "Производство карбамидного утеплителя заливочного типа" (Высокомолекулярная химия)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Высокомолекулярная химия -> Беднарж Б. -> "Светочувствительные полимерные материалы" -> 16

Светочувствительные полимерные материалы - Беднарж Б.

Беднарж Б., Ельцов А.В., Заковал Я., Краличек Я., Юрре Т.А. Светочувствительные полимерные материалы — Л.: Химия, 1985. — 296 c.
Скачать (прямая ссылка): photopolimers.djvu
Предыдущая << 1 .. 10 11 12 13 14 15 < 16 > 17 18 19 20 21 22 .. 139 >> Следующая

Для уменьшения влияния дифракционных эффектов на качество края в изображении элементов при экспонировании могут быть
32
использованы несколько полос линейчатого спектра или некоторый диапазон длин волн сплошного спектра источника, при этом наложение различных максимумов и минимумов приводит к сглаживанию результирующей картины. Использование этого приема также уменьшает эффект стоячей волны, так как узлы и пучности при различных длинах волн располагаются в разных местах в толще фоторезиста, что уменьшает неоднородность экспонирования по толщине и неровность края Однако этим приемом можно пользоваться сравнительно легко в контактной фотолитографии,
О
I, мкм
Рис. I. 12. Рассчитанные границы экспозиционного профиля для линии шириной 2 мкм в слое позитивного хннондиазидного резиста толщиной 0,6 мкм (/ — расстояние от центра линии).
где допустимо использование света с широким диапазоном длин волн, но трудно, а часто невозможно, — при проекционной фотолитографии, где для создания высококачественных безаберрационных систем необходимо использовать свет с узким диапазоном длин волн.
Таким образом, предельное разрешение, которое может быть достигнуто в фотолитографии при оптимизации совокупной оптической системы, лежит в пределах 0,4—0 6 мкм [38]; достижение этих значений возможно при использовании коротковолновой области УФ излуиечия V учета важнейших факторов, влияющих на качество результирующего изображения.
I. 3.2. Электронное излучение и электронная литография
С точки зрения литографии электронное излучение интересно главным образом тем, что его длина волны на несколько порядков меньше, чем УФ-излучения, поэтому с помощью пучка электронов можно в принципе сформировать изображение на несколько порядков меньшее, чем с помощью света. Электронным пучком легко управлять, его можно сфокусировать в пятно диаметром менее 10 нм. Такая фокусировка необходима для формирования топологического рисунка с субмикронными размерами элементов.
Системы, использующие электронное излучение, можно разделить на две большие группы: системы фокусированного сканирующего по подложке электронного пучка и проекционные системы, экспонирующие подложку целиком. Последние изучались интенсивнее, так как потенциально могут обеспечить более высокую производительность, благодаря одновременному экспонированию ббль-
2 Зак. 554
33
шего числа микросхем на подложке, по сравнению с последовательным экспонированием отдельных микросхем, даже и с относительно более коротким временем экспонирования каждой [39].
Сканирующие системы делятся на: 1) работающие с точечным пучком круглого сечения и Гауссовым распределением интенсивности излучения в пучке и 2) работающие с электронным пучком определенной формы в сечении (рис. 1.13). Все сканирующие СИ-
Рнс. I. 13. Схематическое изображение систем, работающих с пучком электронов круглого сечения (а) и сечения определенной формы {б):
/ — точечный круглый пучок; 2 — диафрагма; 3 — линза; 4 — отклоняющая система; 5 — подложка; 6 — пучок электронов; 7 — формирующая сеченне маска,
стемы, вне зависимости от характера экспонирования, имеют общие черты. На рис. I. 14 приведена упрощенная схема ЭЛУ с использованием электронного пучка, которая состоит из источника электронов (электронной пушки), оптической части (формирующей электронный пучок), механической части и ЭВМ для управления механической частью и электронным пучком. Электронная оптическая колонна — важнейшая часть ЭЛУ — состоит из источника, одной или более линз (используемых для фокусировки и формирования пучка), приспособления, модулирующего пучок, диафрагмирующего и отклоняющего устройства, последнее может с высокой точностью изменять положение пучка на экспонируемой поверхности. Предельные возможности каждого из этих устройств вместе с ограничениями, обусловленными рассеянием электронов в резисте и подложке, определяют возможности системы в целом.
Предполагаем, что экспонируется поверхность площадью а. Электронная оптическая система образует на этой площади макси-
34
мальный ток который зависит от параметров электронной оптической колонны. ЭВМ, управляющая электронным пучком, задает частоту, с которой управляется электронный пучок. Все в целом определяет максимальное время экспонирования 1. Из этих данных находят максимальную дозу Омакс, которая может быть получена резистом: ?)макс =
Рис. I. 14. Схема ЭЛУ:
/ — программирующее устройство; 2 — управляющая ЭВМ; 3 — устройство для управления перемещением стола; 4 — источник электронов; 5 — устройство для формирования пучка; 6 — отклоняющая система; 7 — вакуумная камера; 8 — слой электронорезиста; 9 — металлическая фольга; 10 — кремниевая подложка; //— стол; 12 — устройство для перемещения стола.
= и/а. Очевидно, что оптимальными параметрами по критериям экономичности обладают такие резисты, которые дозой ?)Макс будут наилучшим образом экспонироваться, сшиваясь (негативное изображение) или приобретая растворимость (позитивное изображение).
ЭЛУ могут функционировать только с системой движения стола. В отличие от экспозиционных систем с пучком определенной формы, которые используют дискретное движение (шаг- и -экспонирование), в ЭЛУ с пучком круглого сечения возможно как непрерывное, так и дискретное движение подложки. Сечение негауссова пучка имеет, как правило, квадратную или прямоугольную форму. Изменением размеров и формы сечения пучка можно свести к минимуму число экспонирований, необходимых для образования данного изображения (рис. 1.15). При многократном экспонировании одинаковых геометрических структур [например, при создании системы
Предыдущая << 1 .. 10 11 12 13 14 15 < 16 > 17 18 19 20 21 22 .. 139 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама