Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Сидельковская Ф.П. "Химия N-вннилпирролидона и его полимеров" ()

Райт П. "Полиуретановые эластомеры" (Высокомолекулярная химия)

Сеидов Н.М. "Новые синтетические каучуки на основе этилена и олефинов" (Высокомолекулярная химия)

Поляков А.В "Полиэтилен высокого давления. Научно-технические основы промышленного синтеза" (Высокомолекулярная химия)

Попова Л.А. "Производство карбамидного утеплителя заливочного типа" (Высокомолекулярная химия)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Высокомолекулярная химия -> Беднарж Б. -> "Светочувствительные полимерные материалы" -> 17

Светочувствительные полимерные материалы - Беднарж Б.

Беднарж Б., Ельцов А.В., Заковал Я., Краличек Я., Юрре Т.А. Светочувствительные полимерные материалы — Л.: Химия, 1985. — 296 c.
Скачать (прямая ссылка): photopolimers.djvu
Предыдущая << 1 .. 11 12 13 14 15 16 < 17 > 18 19 20 21 22 23 .. 139 >> Следующая

Рис. I. 15. Схема системы, работающей с пучком электронов переменного сечения и размеров:
/ — формирующая сечение маска; 2, 5 — линзы; 3 — устройство, отклоняющее пучок для вторичного формирования; 4 — экспозиционная маска; 6 — устройство, отклоняющее пучок при экспонировании; 7 — экспонируемая поверхность (слой резнста).
памяти на магнитных доменах или МДП (металл-диэлектрик-проводник)-транзистор] удобно сразу придать пучку сложную форму, соответствующую этим структурам. На рис. I. 16 схематически изображены примеры экспонирования геометрически сложного рисунка.
Проекционные ЭЛУ сконструированы для проекции отдельных схем или сразу всей пластины. ЭЛУ для экспонирования пластины
2*
35
целиком созданы в нескольких лабораториях в начале 70-х годов [40]. Эти установки основаны на фотоэлектронной эмиссии с облучаемого УФ-светом катода (служащего одновременно маской) и
ГХ
а р А в |-р-1 в
4
1 25 150 450
Рис. I. 16. Сравнение приемов экспонирования разнообразных структур (а) и результирующих профилей (о-):
/—Гауссов круглый пучок; 2 — пучок постоянного (не круглого) сечения; 3 — пучок сечения переменной формы; 4 — экспонирование пучком сложной геометрической формы; внизу указано относительное число точек изображения, создаваемых одновременно.
ориентацией образующегося потока электронов магнитной линзой. Описана и ЭЛУ с уменьшением [41] (рис. I. 17).
В конце 50-х годов методам с использованием электронного пучка начали уделять главное внимание вследствие их способности давать высокое разрешение. Затем последовало успешное развитие сканирующей электронной микроскопии, и опыт показал, что модификация этой системы дает возможность непосредственно образовывать с большой скоростью и точностью высокоразре-шениые рельефы. Первые экспериментальные ЭЛУ, работающие с электронным
Рис. I. 17. Схема проекционной ЭЛУ:
а — изображение образовано электронами, испускаемыми фотокатодом; б — изображение с уменьшением, полученное на подложке при помощи поглощающей маски; / — УФ-свет; 2 — прозрачный носитель фотокатода; 3 — непрозрачные участки фотокатода; 4 — эмитирующая поверхность катода; 5 — соленоид; 6 — поток электронов; 7 — подложка с резнстом; 8— маска; 9 — электронная пушка; 10— система линз.
пучком, использовали его высокую разрешающую способность [42]: в первых промышленных ЭЛУ экспонирование электронным пучком применялось для создания масок и малосерийных интегральных схем, так как оно позволяет непосредственно получать структуры по программе, заложенной в ЭВМ. Электронная литография сейчас становится промышленным методом для изготовления высокопрецизионных масок для фотолитографии, важным преимуществом которых является точное размещение структур [43] с соблюдением постоянства их размеров [44].
Рис I 18 иллюстрирует главные элементы технологии электроииои литогра-(Ьии и последовательность отдельных операций. Хотя большинство операций формально соответствует операциям при УФ-литографии, их необходимо осуществлять на качественно и количественно более высоком уровне. При использовании электронной литографии в технологическом процесссе необходимо при-
зе
нимать во внимание ее ограничения, определяемые возможностями отдельных подсистем.
Источники электронов, используемые в ЭЛУ, такие же, как и в классическом электронном микроскопе. Эти источники в зависимости от способа эмиссии электронов делятся на 2 типа: с непосредственно накаляемым катодом и с катодом с полевой эмиссией [45]. В первом случае эмиссия электронов осуществляется нагреванием выше критической температуры такого материала, как вольфрам, вольфрам с примесью тория, гексаборид лантана.
ПОДЛОЖКА
СОЗДАНИЕ РЕЗИСТНЫХ СЛОЕВ
ЭКСПОНИРОВАНИЕ
Электронно-лучевая установка
ПРОЯВЛЕНИЕ (РАСТВОРИТЕЛЯМИ, СУХОЕ)
Изображение Изображение
негативное позитивное
Б-Б'
Образование следующего слоя резиста
ТРАВЛЕНИЕ ПОДЛОЖКИ (ХИМИЧЕСКОЕ, ПЛАЗМЕННОЕ, ИОННОЕ)
ДРУГИЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ
МАСКИ
Рнс. I. 18. Схема технологического цикла электронной литографии.
Преимуществом вольфрамовых катодов является легкость их производства, стабильность по току и нечувствительность к изменению вакуума, они имеют максимальную интенсивность 1-Ю5 — 3-105 А/(см2-ср), а обогащение их поверхности торием повышает их срок службы. Гексаборид лантана менее стабилен, но интенсивнее излучает [106 А/(см2-ср)], требуя, однако, более высокий вакуум в рабочем пространстве.
В источниках с катодом с полевой эмиссией используется узкий вольфрамовый катод, помещенный в электростатическое поле с высоким напряжением. На конце катода возникает электронный луч диаметром несколько нанометров. Такие источники способны работать с высокой интенсивностью [108—109 А/(см2-ср)], но
37
сложны в изготовлении и требуют для работы вакуум 10~в— Ю-8 Па.
Все части электронной оптической системы в зависимости от их использования могут быть скомпанованы по-разному [46]. Технически невозможно в сканирующих системах отклонять электронный пучок по всей поверхности кремниевой подложки, поэтому необходимо использовать механическое устройство, движущее подложку. Движение может осуществляться двумя способами: 1) шагами между отдельными экспонированиями соседних площадей
Предыдущая << 1 .. 11 12 13 14 15 16 < 17 > 18 19 20 21 22 23 .. 139 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама