Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Сидельковская Ф.П. "Химия N-вннилпирролидона и его полимеров" ()

Райт П. "Полиуретановые эластомеры" (Высокомолекулярная химия)

Сеидов Н.М. "Новые синтетические каучуки на основе этилена и олефинов" (Высокомолекулярная химия)

Поляков А.В "Полиэтилен высокого давления. Научно-технические основы промышленного синтеза" (Высокомолекулярная химия)

Попова Л.А. "Производство карбамидного утеплителя заливочного типа" (Высокомолекулярная химия)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Высокомолекулярная химия -> Беднарж Б. -> "Светочувствительные полимерные материалы" -> 18

Светочувствительные полимерные материалы - Беднарж Б.

Беднарж Б., Ельцов А.В., Заковал Я., Краличек Я., Юрре Т.А. Светочувствительные полимерные материалы — Л.: Химия, 1985. — 296 c.
Скачать (прямая ссылка): photopolimers.djvu
Предыдущая << 1 .. 12 13 14 15 16 17 < 18 > 19 20 21 22 23 24 .. 139 >> Следующая

Рис. I. 19. Способы работы систем, использующих электронный пучок:
а —строчное сканирование с непрерывным движением стола; б — векторное сканирование с пошаговым движением стола; 1 — отклоняющая система; 2— пучок электронов; 3 — линейный размер одного сканирования; 4 — кристалл (чип); 5 — подложка с резнстом; 6 — направления движения стола,
[47] (точность фиксации в новом положении обеспечивается ин-терферометрически лазерным лучом или при помощи меток совмещения; 2) непрерывным движением подложки с одновременным экспонированием по заданному рисунку [48] (рис. I. 19). Мгновенное положение подложки должно быть обеспечено с точностью долей микрометра, чтобы погрешность в установке подложки могла быть устранена изменением в отклонении пучка. Эти сложные системы управляются ЭВМ, которая в реальном времени осуществляет мониторинг рабочих параметров электронной оптической и механической систем и на его основе переносит данные, необходимые для дискретного образования изображения, в отклоняющую систему. Скорость, с которой управляющая система способна передавать эти данные, лимитирует время экспонирования. Вышеизложенное справедливо как для растровой системы, так и для систем, работающих с пучком определенной формы (векторная система). Растровая и векторная системы представляют собой два основных сканирующих метода, используемых в электронной литографии [49, 50] (рис. 1.20). При векторной системе электронный пучок отклоняется в соответствии с заданным рисунком микро-
88
электронной схемы, а не вдоль кремниевой подложки, как в случае растровой системы. Это, однако, делает отклоняющую систему в первом случае гораздо более сложной, так как необходимо компенсировать гистерезисные эффекты и большие углы отклонения. Векторная система использована в нескольких успешно работающих ЭЛУ фирм Philips, IBM VSI, Texas Instruments EBSP и Cambrige EBMF-2. Имеются данные о более совершенной ЭЛУ, EBMF-6, предназначенной для ускоренного изготовления шаблонов [51]. Все эти ЭЛУ работают с гауссовым круглым пучком. Однако, как уже было сказано, векторный сканирующий метод
1 и 1 1 1 1 1 1 и 1







2








Рис. 1.20. Схематическое сравнение образования структур при векторном (а) и растровом (6*) сканировании:
/ — размер пучка электронов; 2 — путь пучка электронов.
более перспективен в отношении использования пучка определенной формы и он реализован в чехословацкой ЭЛУ.
Растровая система с использованием непрерывно движущейся кремниевой подложки была впервые описана в 1971 г. [48]. Эта система известна как ЕВЕБ, она создана для проведения быстрого, практичного и экономичного экспонирования в производстве высокоточных масок и схем специального назначения. Движение подложки контролируется с точностью 0,125 мкм на площади 100 см2.
При изучении взаимной зависимости характеристик электронного луча и свойств резиста оказалось, что воспроизводимость профиля зависит от ошибок положения луча, его расфокусировки, наклона луча, уровня шумов [52]. С целью увеличения производительности сканирующей ЭЛУ исследованы возможности многолучевого сканирования в варианте с параллельной фокусировкой, но с индивидуальным бланкированием лучей [39]. Некоторые практические аспекты электронной литографии отражены в [53].
I. 3.3. Рентгеновская литография
Впервые возможности получения структур с большим числом элементов с помощью рентгеновского излучения продемонстрировали в 1972 г. Спирс и Смит [54], которые высказали предноложе-
39
253050375871?????230
ние, что этот метод может быть с высокой производительностью использован для получения полупроводниковых микросхем [55].
Рентгеновская литография — технология будущего. Для нее можно использовать квазиточечный источник мягкого (0,25—
3,0 кэВ) рентгеновского излучения. Наиболее важные части экспозиционного устройства, работающего с рентгеновским излучением, приведены на рис. 1.21. Рентгеновское излучение возникает при бомбардировке плоскости источника ускоренными электронами в вакууме, после чего проходит через тонкое (25—30 мкм) бериллиевое окно. Для бомбардировки источника используются элек-
Рис. 1.21. Схема рент! еновского литографа:
1 — охлаждение а.юдов. 2 — налла-диевый анод; 3 - электронная пушка; 4 — пучок электронов; 5 — бер-риллиевое окно; 6 — кремниевая подложка; 7 — стол; 8 — маска; 9—12 — механизмы, обеспечивающие движение стола по осям х, у, г и поворот з одной из плоскостей; 13 — система охлаждения корпуса; 14 — система вакуумировання
троны с энергией 10—30 кэВ. Однородный поток рентгеновского излучения затем формируется маской, образованной поглощающим слоем на мембране из прозрачного материала 5—10 мкм толщиной (рис. 1.22). Маска размещена параллельно подложке на расстоянии 10—100 мкм от экспонируемой поверхности, на которую на-
Предыдущая << 1 .. 12 13 14 15 16 17 < 18 > 19 20 21 22 23 24 .. 139 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама