Главное меню
Главная О сайте Добавить материалы на сайт Поиск по сайту Карта книг Карта сайта
Книги
Аналитическая химия Ароматерапия Биотехнология Биохимия Высокомолекулярная химия Геохимия Гидрохимия Древесина и продукты ее переработки Другое Журналы История химии Каталитическая химия Квантовая химия Лабораторная техника Лекарственные средства Металлургия Молекулярная химия Неорганическая химия Органическая химия Органические синтезы Парфюмерия Пищевые производства Промышленные производства Резиновое и каучуковое производство Синтез органики Справочники Токсикология Фармацевтика Физическая химия Химия материалов Хроматография Экологическая химия Эксперементальная химия Электрохимия Энергетическая химия
Новые книги
Сидельковская Ф.П. "Химия N-вннилпирролидона и его полимеров" ()

Райт П. "Полиуретановые эластомеры" (Высокомолекулярная химия)

Сеидов Н.М. "Новые синтетические каучуки на основе этилена и олефинов" (Высокомолекулярная химия)

Поляков А.В "Полиэтилен высокого давления. Научно-технические основы промышленного синтеза" (Высокомолекулярная химия)

Попова Л.А. "Производство карбамидного утеплителя заливочного типа" (Высокомолекулярная химия)
Книги по химии
booksonchemistry.com -> Добавить материалы на сайт -> Высокомолекулярная химия -> Беднарж Б. -> "Светочувствительные полимерные материалы" -> 19

Светочувствительные полимерные материалы - Беднарж Б.

Беднарж Б., Ельцов А.В., Заковал Я., Краличек Я., Юрре Т.А. Светочувствительные полимерные материалы — Л.: Химия, 1985. — 296 c.
Скачать (прямая ссылка): photopolimers.djvu
Предыдущая << 1 .. 13 14 15 16 17 18 < 19 > 20 21 22 23 24 25 .. 139 >> Следующая

Рис. I. 22. Разрез маски для рентгеновской литографии:
I — полиимид (2,5 мкм); 2 — золото (0,1— 1,0 мкм); 3 — полиимид (2 мкм); 4 — нитрид бора (3—6 мкм); 5 — окно в кремниевой подложке (3—6 мкм); 6 — кольцо из пирекса.
-rfc-
-6
2-4
несен слой рентгеновского резиста. Для уменьшения потерь излучения пространство между источником рентгеновского излучения и маской вакуумировано или заполнено гелием с низким давлением.
Для создания потока экспонирующего рентгеновского излучения были испытаны синхротроны, плазма и мощные лазеры [56], но их практическое использование ограничено высокой стоимостью или недостаточной изученностью. Типичный спектр источника из
40
палладия, бомбардируемого электронами с энергией 20 кэВ, имеет один острый пик при 2,84 кэВ и очень малое излучение с другой энергией. Светосила источника определяется параметрами электронной оптики, характеристикой анода (температурой плавления, давлением пара, модулем упругости) и эффективностью охлаждающей системы.
Поскольку в настоящее время не существует оптических систем для рентгеновского излучения, необходимо конструировать экспозиционные устройства для переноса изображения в масштабе 1:1, Можно одновременно экспонировать всю подложку или использовать пошаговое экспонирование; при этом не избежать необходимости решения некоторых проблем, например, повышения стабильности маски.
Наиболее узким местом всей системы рентгеновской литографии является маска [57]. Мембрана, имеющая рисунок микросхемы в виде слоя рентгеновского абсорбента, должна быть очень тонкой, сделанной из материала с низким атомным номером для сведения к минимуму абсорбции рентгеновского излучения, и одновременно должна обладать достаточной механической прочностью, чтобы сохранять все элементы рисунка. В большинстве случаев мембрана натянута на твердом ровном кольце, коэффициент термического расширения которого такой же, как и у кремния (см. рис. 1.22) Необходимо корректировать расстояние между маской и пластиной в зависимости от температуры, так как абсорбционный материал, образующий маску, и кремниевая пластина могут иметь разные коэффициенты термического расширения [58].
В то время как при оптической литографии пропускание для прозрачной и непрозрачной областей различается на несколько порядков, для масок рентгеновской литографии достаточно отношение пропусканий около 10. Для достижения хорошей контрастности абсорбционный материал — золото — наносится слоем толщиной 0,1—1,0 мкм.
При современной технологии производства интегральных схем с помощью рентгеновской литографии можно создавать элементы размером 0,5—1,0 мкм. Резистами служат хлорсодержащие полимеры, которые, по всей видимости, являются пока наилучшими. Лучшего разрешения можно достичь при использовании более мягкого излучения (большей длины волны), чем у La палладия, поскольку в этом случае можно использовать более тонкий слой абсорбента на маске, при котором одновременно возрастает поток, экспонирующий резист. Рентгеновские маски фирм Hewlett-Packard и Bell Laboratories описаны в [59, 60].
При взаимодействии рентгеновского излучения с веществом наблюдается абсорбция в соответствии с уравнением (I. 16):
/ = 1^т°а (1.16)
где /0 и / — интенсивности излучения; |лт — коэффициент абсорбции; р — плотность; d — толщина поглощающего слоя.
41
Одновременно с этим возникает небольшое количество фотоэлектронов, которые в результате упругих и неупругих столкновений инициируют химические реакции в слое резиста. Пробег фотоэлектронов составляет 100—200 нм и не лимитирует разрешения. На разрешение сильно влияет полутень, изображенная на рис. I. 23. Поскольку источник имеет конечный размер и находится от маски на расстоянии И, край маски образует не четкую тень, а полутеневой переход о. Из данных рис. 1.23 и уравнения (1.16) эту полутень можно вычислить по уравнению (I. 17):
а = йй&1й (1.17)
Одновременно с этим явлением при экспонировании наблюдается небольшое увеличение размеров, которое определяется фактором Л = dig®. Это увеличение может усложнить производство многослойных интегральных схем, однако в случае постоянного рисунка схемы при экспонировании каждого слоя оно постоянно, если при этом не наблюдается смещения меток совмещения слоев.
Преимущества рентгеновской технологии состоят в высоком качестве образования структур (отсутствуют дифракция и эффект близости [61]), однородном экспонировании, позволяющем ис-
Рнс. 1.23. Геометрия экспонирования рентгеновскими лучами:
ds — размер источника; D — расстояние между источником н маской; d — расстояние между маской и поверхностью резнста; а — расстояние пучка рентгеновских лучей; Д — отклонение ширины лннин; 1 — маска; 2 — по* верхность резиста.
^77777777777777777777777777.
пользовать толстые слои резиста с высоким АИ *, в возможности управления толщиной линий и нечувствительности к загрязнениям. Преимущества отдельных литографических систем можно рассматривать в соответствии с рядом критериев [62]: разрешение, которое может быть получено, производительность, капитальные и эксплуатационные расходы, занимаемая площадь. В ряду всех известных литографических систем, дающих субмикронное разрешение, рентгеновская литография наиболее предпочтительна. При этой оценке, однако, не рассматривается ряд проблем, возникающих при изготовлении масок для рентгеновской литографии.
Предыдущая << 1 .. 13 14 15 16 17 18 < 19 > 20 21 22 23 24 25 .. 139 >> Следующая

Авторские права © 2011 BooksOnChemistry. Все права защищены.
Реклама